Ashurov Xatam Baxronovichning

doktorlik dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

    I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri: «Polikristall kremniy olishning monosilanli texnologiyasi va kremniy strukturalarini yaratishning ionli stimullashgan usullari», 01.04.04 – Fizik elektronika (texnika fanlari).

Talabgorning ilmiy va ilmiy-pedagogik faoliyat olib borishga layoqati bo‘yicha test sinovidan o‘tgani haqida ma’lumot: /fizika-matematika fanlari nomzodi/.

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: 30.06.2015/B2015.2.T522.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti va Samarkand davlat universiteti huzuridagi 16.07.2013.FM/T.12.01 raqamli Ilmiy kengash asosidagi bir martalik ilmiy kengash.

Rasmiy opponentlar: Rasulev Utkir Xasanovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik; Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Raxmatov Axmad Zaynidinovich, texnika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

    II. Tadqiqotning maqsadi: polikristall kremniy olish monosilanli texnologiyasi, hamda kremniy strukturalarini yaratishning ionli stimullashgan usullarini ishlab chiqishdan iborat.

    III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:

metallurgik kremniy va spirtlarning bevosita reaksiyasiga asoslangan 95 foizdan yuqori selektivlikni va reagentlarning yuqori darajali 100 foizga yaqin konversiyasini ta’minlovchi alkoksisilanlar sintezi texnologiyasi ishlab chiqilgan;

ilk bor metallurgik kremniy va spirtlarning bevosita reaksiyasining induksion davri yo‘qotish va texnologik jarayon to‘liq uzluksiz rejimda amalga oshirish imkonini beruvchi usul ishlab chiqilgan;

reaksiya zonasida yonbosh reaksiyalar uchun katalizator bo‘lishi mumkin bo‘lgan nokerak kirishmalarni yig‘ilishining oldi olish va reaksiya muhitini faollashtirish usuli ishlab chiqilgan;

alkoksisilanlardan foydalanib polikristall kremniy olishning xlorsiz monosilanli texnologiyasi ishlab chiqilgan,

texnologik jarayondan agressiv  prekursorlar va chala mahsulotlar-ning yo‘qotilganligi tufayli bir martalik distillyasiya  orqali monosilan tozaligini yuqori darajagacha ko‘tarish imkoniyati yaratilgan;

trietoksisilan disproporsiyalash orqali monosilan sintez qilish jarayonini xona haroratida va uzluksiz ravishda o‘tqazish imkonini beruvchi faol katalizator tayyorlashning yangi usulini ishlab chiqilgan;

polikristall kremniy olishning monosilanli texnologiyasini amalga oshirish uchun eksperimental qurilma yaratilgan;

o‘sish sirtidagi jarayonlarni nazorat qilish hamda boshqarishda ion manbasi o‘rnida elektron nurli bug‘latish paytida hosil bo‘luvchi ionlardan foydalanish imkonini beruvchi zarayadlangan zarralar oqimini ajratish va o‘lchash usuli va buni amalga oshiruvchi qurilma ishlab chiqilgan;

o‘sish vaqtida kremniy kristall panjarasida sur`ma atomlarining ionli stimullashgan joylashtirish evaziga legirlash darajasi 10¹⁹ sm^-3gacha oshirilgan;

kremniy-germaniy geterostrukturalaridagi mexanik zo‘riqishlarni ionli stimullashgan relaksatsiya usuli ishlab chiqilgan va mexanik zo‘riqishlar relaksatsiya darajasini boshqarish mumkinligi tajribada tasdiqlangan;

ionli stimullashgan molekulyar nurli epitaksiya usulida olingan kremniy sirtidagi germaniy nanoorolchalarining zichligi oshishi va taqsi-mot funksiyasining qisqaruvi maksimalligi ionlar energiyasi 200 eVda amalga oshishi aniqlangan;

vakuumda ionli stimullashgan usulda olingan kremniyning qatlamli p-n strukturalarida 500Kdan yuqori haroratda termovol`taik xossalarni yaqqol namoyish etilishi aniqlangan;

issiqlik bar`er qatlamlarini taglikka moslashtirish uchun kimyoviy yaqinlikli va gradient o‘tishli oralik qatlamlarini yaratishning ionli stimullashgan usuli ishlab chiqilgan.

    IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Polikristall kremniy olishning monosilanli texnologiyasi hamda kremniyli strukturalar olishning ionli stimullashgan usullarini yaratish jarayonida:

metallurgik kremniy va spirtlarning bevosita reaksiyasiga asoslangan alkoksisilanlar sintezining yaratilgan yangi texnologiyasi asosida 7 ta davlatda 7 ta ixtiro patentlari olingan: «Alkoksisilanlar olish usuli» (IAP05023, 31.03.2015, O‘zbekiston), «Method for preparing trialkoxysilane» (US9156861, October. 13, 2015, AQSh), «Method for preparing trialkoxysilane» (JP5836489, Dec. 24, 2015, Yaponiya), «Method for preparing trialkoxysilane» (EP2754664, July 16, 2014, Evropa ittifoqi), «Method for preparing trialkoxysilane» (TW201339094, October 01, 2013. Tayvan), «Method for preparing trialkoxysilane» (CN103797018, May 14, 2014, XXR), KR101422080 «Method for preparing trialkoxysilane» (KR101422080, July 16, 2014, Koreya), erituvchi suyuqlik muhitida kremniyni maydalash, suspenziyaning belgilangan miqdorini uzluksiz ravishda reaktorga uzatish va reaktordan ortiqcha erituvchi suyuqlikni unda erigan keraksiz kirishmalar bilan birgalikda olib chiqish kabi texnik echimlarni birvaqtda amalga oshirish metallurgik kremniy va spirtning bevosita reaksiyasining induksion davri yo‘qotish, reaksion muhitda kremniy, katalizator va erituvchi miqdorini alkoksisilanlar sintezining butun jarayoni davrida bir tekis o‘zgarmas holda ushlash va reaksion muhitning faolligini saqlash imkonini yaratadi va texnologik jarayonni butunlay uzluksiz rejimda olib borishni ta’minlaydi;

trialkoksisilanlarni katalitik disproporsiyalashga asoslangan monosilan sintezining yaratilgan yangi texnologiyasi asosida 7 ta davlatda 7 ta ixtiro patentlari olingan: «Alkoksisilanlardan foydalanib monosilan olish usuli» (IAP05179, 31.03.2016), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane», (US9278864, March 8, 2016, AQSh), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (JP2015535802, December 17, 2015, Yaponiya), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (EP2905258, August 12, 2015, Evropa Ittifoqi), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (TW201425222, July 01, 2014, Tayvan), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (CN104797527, July 22, 2015, XXR), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (KR101532142, June 26, 2015, Koreya), alkoksisilanlar sintezi mahsulotlaridan trialkoksisilanlarni ajratish, katalizator tayyorlash, reaksiyaning maqsadli mahsulotlarini tozalash bo‘yicha   taklif qilingan texnik echimlar qisqa texnologik siklda trietoksisilan va monosilanlarning chuqur tozalashni va texnologik jarayonni uzluksiz rejimda o‘tqazishni  va uning yuqori samaradorligini ta’minlaydi;

zaryadlangan zarrachalarning ajratish va ularning oqimlarini boshqarish uchun yaratilgan usul va qurilma – ion zondi asosida “Zarayadlangan zarralar oqimini ajratish va o‘lchash usuli va buni amalga oshiruvchi qurilma” ixtiro patenti olingan (IAP02958, 30.12.2005, O‘zbekiston), taklif etilgan texnik echimlar yordamida: o‘sish vaqtida kremniy kristall panjarasida sur`ma atomlarining ionli stimullashgan joylashtirish evaziga legirlash darajasini oshirilishiga erishilgan; kremniy-germaniy geterostruktura-laridagi mexanik zo‘riqishlar relaksatsiyalashning ionli stimullashgan usuli ishlab chiqilgan va geterostrukturalaridagi mexanik zo‘riqishlar relaksatsiyani boshqarishni imkoniyati tajribada tasdiqlangan; ionli stimullashgan molekulyar nurli epitaksiya usulida kremniy sirtidagi germaniy nanoorolchalar massivi shakllantirilib zichligini oshirish va kattaligi bo‘yicha taqsimoti funsiyasining torayishiga erishilgan; vakuumda ionli stimullashgan usulda olingan kremniyning qatlamli p-n strukturalarning termovol`taik xossalarni 500K dan yuqori xaroratda namoyish qilishi aniqlangan; ionli stimullashgan bug‘dan fizik o‘stirish usulida issiqlik bar`er qatlamlarini taglikka moslashtiruvchi kimyoviy yaqinlikli va gradient o‘tishli oraliq qatlamlari shakllantirilgan;

polikristall kremniy olishning monosilanli texnologiyasi va tajriba qurilmasi yaratilishi uchun Janubiy Koreyaning OCI kompaniyasi tomonidan 500 ming AQSh dollari miqdorida chet el investisiyasi kiritilgan (Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti va OCI kompaniyasi orasida 2010 yil 17 avgustida tuzilgan shartnomaning yakunlangani to‘g‘risidagi 2012 yil 6 dekabrida imzolangan akt). Jahonda polikremniy ishlab chiqaruvchi yirik uchlik tarkibiga kiruvchi kompaniyaning yangi ishlanmaga bo‘lgan qiziqishi ishlanmaning yuqori saviyasini tasdiqlashi bilan bir paytda, jalb qilingan investisiya laboratoriyada yangi innovatsion texnologik qurilma yaratish va laboratoriyani zamonaviy asbob uskunalar bilan jixozlash imkonini berdi.

«Zaryadlangan zarralar oqimini ajratish va o‘lchash usuli va buni amalga oshiruvchi qurilma» IAP02958 ixtiro patentiga lisenziya berish to‘g‘risida shartnoma tuzilgan. (Shartnoma 01.04.2016 yil sanasida №SIP 4/2016 raqami ostida Intellektual mulk agentligida ro‘yxatga olingan, «Rasmiy axborotnoma», №5 (181), 2016 y., 238 b.). Ushbu lisenzion shartnoma ishlanmani bevosita ishlab chiqarishga joriy qilishga tayyorlash, hamda ishlab chiqariluvchi yuqori texnologik mahsulotni ichki va tashqi bozorda sotish imkonini yaratadi.