Ашуров Хатам Бахроновичнинг

докторлик диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

    I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри: «Поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологияси ва кремний структураларини яратишнинг ионли стимуллашган усуллари», 01.04.04 – Физик электроника (техника фанлари).

Талабгорнинг илмий ва илмий-педагогик фаолият олиб боришга лаёқати бўйича тест синовидан ўтгани ҳақида маълумот: /физика-математика фанлари номзоди/.

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: 30.06.2015/B2015.2.Т522.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.

ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Физика-техника институти ва Самарканд давлат университети ҳузуридаги 16.07.2013.FM/T.12.01 рақамли Илмий кенгаш асосидаги бир марталик илмий кенгаш.

Расмий оппонентлар: Расулев Уткир Хасанович, физика-математика фанлари доктори, академик; Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Рахматов Ахмад Зайнидинович, техника фанлари доктори.

Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

    II. Тадқиқотнинг мақсади: поликристалл кремний олиш моносиланли технологияси, ҳамда кремний структураларини яратишнинг ионли стимуллашган усулларини ишлаб чиқишдан иборат.

    III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:

металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясига асосланган 95 фоиздан юқори селективликни ва реагентларнинг юқори даражали 100 фоизга яқин конверсиясини таъминловчи алкоксисиланлар синтези технологияси ишлаб чиқилган;

илк бор металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясининг индукцион даври йўқотиш ва технологик жараён тўлиқ узлуксиз режимда амалга ошириш имконини берувчи усул ишлаб чиқилган;

реакция зонасида ёнбош реакциялар учун катализатор бўлиши мумкин бўлган нокерак киришмаларни йиғилишининг олди олиш ва реакция муҳитини фаоллаштириш усули ишлаб чиқилган;

алкоксисиланлардан фойдаланиб поликристалл кремний олишнинг хлорсиз моносиланли технологияси ишлаб чиқилган,

технологик жараёндан агрессив  прекурсорлар ва чала маҳсулотлар-нинг йўқотилганлиги туфайли бир марталик дистилляция  орқали моносилан тозалигини юқори даражагача кўтариш имконияти яратилган;

триэтоксисилан диспропорциялаш орқали моносилан синтез қилиш жараёнини хона ҳароратида ва узлуксиз равишда ўтқазиш имконини берувчи фаол катализатор тайёрлашнинг янги усулини ишлаб чиқилган;

поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологиясини амалга ошириш учун экспериментал қурилма яратилган;

ўсиш сиртидаги жараёнларни назорат қилиш ҳамда бошқаришда ион манбаси ўрнида электрон нурли буғлатиш пайтида ҳосил бўлувчи ионлардан фойдаланиш имконини берувчи зараядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни амалга оширувчи қурилма ишлаб чиқилган;

ўсиш вақтида кремний кристалл панжарасида сурьма атомларининг ионли стимуллашган жойлаштириш эвазига легирлаш даражаси 10¹⁹ см^-3гача оширилган;

кремний-германий гетероструктураларидаги механик зўриқишларни ионли стимуллашган релаксация усули ишлаб чиқилган ва механик зўриқишлар релаксация даражасини бошқариш мумкинлиги тажрибада тасдиқланган;

ионли стимуллашган молекуляр нурли эпитаксия усулида олинган кремний сиртидаги германий нанооролчаларининг зичлиги ошиши ва тақси-мот функциясининг қисқаруви максималлиги ионлар энергияси 200 эВда амалга ошиши аниқланган;

вакуумда ионли стимуллашган усулда олинган кремнийнинг қатламли p-n структураларида 500Кдан юқори ҳароратда термовольтаик хоссаларни яққол намойиш этилиши аниқланган;

иссиқлик барьер қатламларини тагликка мослаштириш учун кимёвий яқинликли ва градиент ўтишли оралик қатламларини яратишнинг ионли стимуллашган усули ишлаб чиқилган.

    IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологияси ҳамда кремнийли структуралар олишнинг ионли стимуллашган усулларини яратиш жараёнида:

металлургик кремний ва спиртларнинг бевосита реакциясига асосланган алкоксисиланлар синтезининг яратилган янги технологияси асосида 7 та давлатда 7 та ихтиро патентлари олинган: «Алкоксисиланлар олиш усули» (IAP05023, 31.03.2015, Ўзбекистон), «Method for preparing trialkoxysilane» (US9156861, October. 13, 2015, АҚШ), «Method for preparing trialkoxysilane» (JP5836489, Dec. 24, 2015, Япония), «Method for preparing trialkoxysilane» (EP2754664, July 16, 2014, Европа иттифоқи), «Method for preparing trialkoxysilane» (TW201339094, October 01, 2013. Тайван), «Method for preparing trialkoxysilane» (CN103797018, May 14, 2014, ХХР), KR101422080 «Method for preparing trialkoxysilane» (KR101422080, July 16, 2014, Корея), эритувчи суюқлик муҳитида кремнийни майдалаш, суспензиянинг белгиланган миқдорини узлуксиз равишда реакторга узатиш ва реактордан ортиқча эритувчи суюқликни унда эриган кераксиз киришмалар билан биргаликда олиб чиқиш каби техник ечимларни бирвақтда амалга ошириш металлургик кремний ва спиртнинг бевосита реакциясининг индукцион даври йўқотиш, реакцион муҳитда кремний, катализатор ва эритувчи миқдорини алкоксисиланлар синтезининг бутун жараёни даврида бир текис ўзгармас ҳолда ушлаш ва реакцион муҳитнинг фаоллигини сақлаш имконини яратади ва технологик жараённи бутунлай узлуксиз режимда олиб боришни таъминлайди;

триалкоксисиланларни каталитик диспропорциялашга асосланган моносилан синтезининг яратилган янги технологияси асосида 7 та давлатда 7 та ихтиро патентлари олинган: «Алкоксисиланлардан фойдаланиб моносилан олиш усули» (IAP05179, 31.03.2016), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane», (US9278864, March 8, 2016, АҚШ), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (JP2015535802, December 17, 2015, Япония), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (EP2905258, August 12, 2015, Европа Иттифоқи), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (TW201425222, July 01, 2014, Тайван), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (CN104797527, July 22, 2015, ХХР), «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane» (KR101532142, June 26, 2015, Корея), алкоксисиланлар синтези маҳсулотларидан триалкоксисиланларни ажратиш, катализатор тайёрлаш, реакциянинг мақсадли маҳсулотларини тозалаш бўйича   таклиф қилинган техник ечимлар қисқа технологик циклда триэтоксисилан ва моносиланларнинг чуқур тозалашни ва технологик жараённи узлуксиз режимда ўтқазишни  ва унинг юқори самарадорлигини таъминлайди;

зарядланган заррачаларнинг ажратиш ва уларнинг оқимларини бошқариш учун яратилган усул ва қурилма – ион зонди асосида “Зараядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни амалга оширувчи қурилма” ихтиро патенти олинган (IAP02958, 30.12.2005, Ўзбекистон), таклиф этилган техник ечимлар ёрдамида: ўсиш вақтида кремний кристалл панжарасида сурьма атомларининг ионли стимуллашган жойлаштириш эвазига легирлаш даражасини оширилишига эришилган; кремний-германий гетероструктура-ларидаги механик зўриқишлар релаксациялашнинг ионли стимуллашган усули ишлаб чиқилган ва гетероструктураларидаги механик зўриқишлар релаксацияни бошқаришни имконияти тажрибада тасдиқланган; ионли стимуллашган молекуляр нурли эпитаксия усулида кремний сиртидаги германий нанооролчалар массиви шакллантирилиб зичлигини ошириш ва катталиги бўйича тақсимоти фунциясининг торайишига эришилган; вакуумда ионли стимуллашган усулда олинган кремнийнинг қатламли p-n структураларнинг термовольтаик хоссаларни 500К дан юқори хароратда намойиш қилиши аниқланган; ионли стимуллашган буғдан физик ўстириш усулида иссиқлик барьер қатламларини тагликка мослаштирувчи кимёвий яқинликли ва градиент ўтишли оралиқ қатламлари шакллантирилган;

поликристалл кремний олишнинг моносиланли технологияси ва тажриба қурилмаси яратилиши учун Жанубий Кореянинг OCI компанияси томонидан 500 минг АҚШ доллари миқдорида чет эл инвестицияси киритилган (Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ва OCI компанияси орасида 2010 йил 17 августида тузилган шартноманинг якунлангани тўғрисидаги 2012 йил 6 декабрида имзоланган акт). Жаҳонда поликремний ишлаб чиқарувчи йирик учлик таркибига кирувчи компаниянинг янги ишланмага бўлган қизиқиши ишланманинг юқори савиясини тасдиқлаши билан бир пайтда, жалб қилинган инвестиция лабораторияда янги инновацион технологик қурилма яратиш ва лабораторияни замонавий асбоб ускуналар билан жихозлаш имконини берди.

«Зарядланган зарралар оқимини ажратиш ва ўлчаш усули ва буни амалга оширувчи қурилма» IAP02958 ихтиро патентига лицензия бериш тўғрисида шартнома тузилган. (Шартнома 01.04.2016 йил санасида №SIP 4/2016 рақами остида Интеллектуал мулк агентлигида рўйхатга олинган, «Расмий ахборотнома», №5 (181), 2016 й., 238 б.). Ушбу лицензион шартнома ишланмани бевосита ишлаб чиқаришга жорий қилишга тайёрлаш, ҳамда ишлаб чиқарилувчи юқори технологик маҳсулотни ички ва ташқи бозорда сотиш имконини яратади.