Kuliev Shukurullo Mustafaevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «O‘rtacha quvvatli kremniyli diodlarning funksional parametrlarini boshqarish usullarini ishlab chiqish», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.3.PhD/T843.
Ilmiy rahbar: Raxmatov Axmad Zaynidinovich, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Aliev Raimjon, texnika fanlari doktori, professor; Raxmanov Anvarjon Tadjibaevich, texnika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: o‘rta quvvatli kremniyli diodlarning funksional parametrlarini boshqarish va to‘g‘rilash usullarini termoradiatsiyali ta’sirlash orqali ishlab chiqishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
oksidli qatlam ostidagi elektronlar konsentratsiyasining gamma-kvantlari bilan radiatsion nurlantirilganda oksidli qatlamlardan tok sizib oqishining paydo bo‘lishi neytrallashuvchi ortiqcha musbat zaryadlar hisobidan ortishiga bog‘liqligi isbotlangan;
kremniyli diodlarning vol`tamper xarakteristikalarini ularning tezkorligi bilan optimal moslashuvini (to‘g‘ri differensial qarshilikni va teskari tok sizib oqishi kamayishini) ta’minlanlaydigan stabillashtiruvchi termik ishlov bilan gamma kvantlar va elektronlar bilan nurlantirish jarayonini bir yo‘la qo‘shish usuli ishlab chiqilgan;
o‘rtacha quvvatli epitaksial-diffuziyali diodlar Fγ =5∙1016 sm-2 dozali gamma-kvantlar bilan nulantirilganda vol`tamper xarakteristikalarida ikkita: tok tashishning diffuziyali mexanizmi ustun kelgan (n1=1.1) va ketma-ket qarshilikning ta’siri bo‘lgan (n1=1.5) uchastkalar hosil bo‘lishi, aralashmalar gradientining arzimagan o‘zgarishida ham (5,25·1018 sm-4 dan 5,07·1018 sm-4 gacha) noasosiy tashuvchilar yashash vaqtining ko‘proq kamayishi bilan bog‘liq bo‘lgan to‘g‘ri kuchlanish tushishining esa 10% gacha pasayishi asoslangan;
ilk bor diffuziyali diodlarni elektronlar bilan nurlantirilganda tok o‘sishining dastlabki uchastkasida kuchlanish tushishi kamayishi (0.15V ga), 0.45V dan ortiq kuchlanishlarda esa baza qarshiligi ta’siri hisobiga ortishi noasosiy tashuvchilarning yashash vaqti va harakat tezkorligini o‘n barobarga oshirish bilan kamayishi isbotlangan;
ilk bor stabillashtirilgan tok bilan ta’minlash uchun shuningdek, toki keskin ortib ketuvchi yarimo‘tkazgichli strukturalarning statik xarakteristikalarini o‘lchash uchun mo‘ljallangan universal mikrosxema maydon tranzistorida dinamik yukli kaskad asosida ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
O‘rtacha quvvatli kremniyli diodlarning funksional parametrlarini boshqarish usullari bo‘yicha olingan natijalar asosida:
maydon tranzistorida dinamik yukli kaskadning funksional imkoniyatlarini kengaytirish yo‘llari bo‘yicha «Universal mikrosxema» ga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiroga patenti olingan (№ IAP 05540 ot 31.01.2018). Ishlab chiqilgan mikrosxema toki keskin ortib ketuvchi yarimo‘tkazgichli strukturalarning statik xarakteristikalarini o‘lchash uchun tokning presizion regulyatori (tartiblashtirgichi)ni yaratishga imkon bergan;
kremniyli diodlarni gamma-kvantlari bilan nurlantirish bo‘yicha olingan natijalar Nosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodida o‘rtacha quvvatli r+-n-n+-strukturali diodlarni ishlab chiqarishda foydalanilgan (««Novosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodi OKBsi bilan» aksionerlik jamiyatining 2019 yil 25 apreldagi 04/401-188/3158-son ma’lumotnoma). Ilmiy natijalardan foydalanish yarimo‘tkazgichli diodlarda tok sizib oqib ketishini 10 martagacha kamaytirish imkonini bergan.
