Кулиев Шукурулло Мустафаевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Ўртача қувватли кремнийли диодларнинг функционал параметрларини бошқариш усулларини ишлаб чиқиш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.3.PhD/T843.
Илмий раҳбар: Рахматов Ахмад Зайнидинович, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.
Расмий оппонентлар: Алиев Раимжон, техника фанлари доктори, профессор; Рахманов Анваржон Таджибаевич, техника фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ўрта қувватли кремнийли диодларнинг функционал параметрларини бошқариш ва тўғрилаш усулларини терморадиацияли таъсирлаш орқали ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
оксидли қатлам остидаги электронлар концентрациясининг гамма-квантлари билан радиацион нурлантирилганда оксидли қатламлардан ток сизиб оқишининг пайдо бўлиши нейтраллашувчи ортиқча мусбат зарядлар ҳисобидан ортишига боғлиқлиги исботланган;
кремнийли диодларнинг вольтампер характеристикаларини уларнинг тезкорлиги билан оптимал мослашувини (тўғри дифференциал қаршиликни ва тескари ток сизиб оқиши камайишини) таъминланлайдиган стабиллаштирувчи термик ишлов билан гамма квантлар ва электронлар билан нурлантириш жараёнини бир йўла қўшиш усули ишлаб чиқилган;
ўртача қувватли эпитаксиал-диффузияли диодлар Фγ =5∙1016 см-2 дозали гамма-квантлар билан нулантирилганда вольтампер характеристикаларида иккита: ток ташишнинг диффузияли механизми устун келган (n1=1.1) ва кетма-кет қаршиликнинг таъсири бўлган (n1=1.5) участкалар ҳосил бўлиши, аралашмалар градиентининг арзимаган ўзгаришида ҳам (5,25·1018 см-4 дан 5,07·1018 см-4 гача) ноасосий ташувчилар яшаш вақтининг кўпроқ камайиши билан боғлиқ бўлган тўғри кучланиш тушишининг эса 10% гача пасайиши асосланган;
илк бор диффузияли диодларни электронлар билан нурлантирилганда ток ўсишининг дастлабки участкасида кучланиш тушиши камайиши (0.15В га), 0.45В дан ортиқ кучланишларда эса база қаршилиги таъсири ҳисобига ортиши ноасосий ташувчиларнинг яшаш вақти ва ҳаракат тезкорлигини ўн баробарга ошириш билан камайиши исботланган;
илк бор стабиллаштирилган ток билан таъминлаш учун шунингдек, токи кескин ортиб кетувчи яримўтказгичли структураларнинг статик характеристикаларини ўлчаш учун мўлжалланган универсал микросхема майдон транзисторида динамик юкли каскад асосида ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ўртача қувватли кремнийли диодларнинг функционал параметрларини бошқариш усуллари бўйича олинган натижалар асосида:
майдон транзисторида динамик юкли каскаднинг функционал имкониятларини кенгайтириш йўллари бўйича «Универсал микросхема» га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти олинган (№ IAP 05540 от 31.01.2018). Ишлаб чиқилган микросхема токи кескин ортиб кетувчи яримўтказгичли структураларнинг статик характеристикаларини ўлчаш учун токнинг прецизион регулятори (тартиблаштиргичи)ни яратишга имкон берган;
кремнийли диодларни гамма-квантлари билан нурлантириш бўйича олинган натижалар Носибирск яримўтказгичли асбоблар заводида ўртача қувватли р+-n-n+-структурали диодларни ишлаб чиқаришда фойдаланилган (««Новосибирск яримўтказгичли асбоблар заводи ОКБси билан» акционерлик жамиятининг 2019 йил 25 апрелдаги 04/401-188/3158-сон маълумотнома). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичли диодларда ток сизиб оқиб кетишини 10 мартагача камайтириш имконини берган.
