Abdijaliev Sultanbek Kallibekovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Termik va mikroto‘lqinli ishlovlarni TiB_X(ZrB_X)–n-SiC6H Shottki  to‘siqli karbidkremniy diodli strukturalarning elektrofizik xossalariga ta’siri», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.3.PhD/FM142.
Ilmiy rahbar: Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Nukus davlat pedagogika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.30.08.2019.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Rasulov Rustam Yavkachevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Zikrillaev Nurulla Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: tezlashgan termik ishlovlar va mikroto‘lqin nurlanishlarini TiB_X(ZrB_X)–n-SiC6H Shottki to‘siqli karbidkremniy diod strukturalarining elektrik tavsiflariga  ta’sirini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
1000°S haroratda 90 sekund davomida termik ishlov berish TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H to‘siqli kontaktlar tarkibiga ta’sir ko‘rsatmasligi aniqlangan;
n-SiC6H da dislokatsiyalar orqali tok tashuvchilarni o‘tkazish bilan va SiC da dislokatsiya zichligining kattaligi bilan ifodalanuvchi tok o‘tkazish mexanizmi aniqlangan;
mikroto‘lqinli nurlanish TiB_x-n-SiC6H Shottki diodlarining to‘siq balandligining 1,2% ga oshishi aniqlangan;
qisqa muddatli mikroto‘lqinli nurlantirish (5 sekund) karbid kremniy asosidagi to‘siq va omik kontakt xususiyatlarini yaxshilashi aniqlangan;
Au-TiB_X(ZrB_X)-n-SiC 6H asosida Shottki detektor diodlarini yaratish mumkinligi ko‘rsatilgan;
TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H tuzilmalar asosida haroratga barqaror Shottki to‘siqli diodlar yaratish mumkinligi asoslangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Termik va mikroto‘lqinli ishlovlarni TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H Shottki  to‘siqli karbidkremniy diodli strukturalar-ning elektrofizik xossalariga ta’sirini tadqiq qilish asosida:  
Shottki to‘sig‘ining termobardoshligini aniqlash bo‘yicha olingan natijalar, jumladan TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H to‘siqli kontaktlarning tarkibiga  1000°S harorat ostida 90 sekund davomida termik yumshatish F-2-37 raqamli «Yarimo‘tkazgichlardagi nuqson hosil bo‘lish lazer indusirlangan nochiziqli jarayonlarning o‘ziga xosligi» fundamental loyihasida yarimo‘tkazgichlarda lazer va mikroto‘lqinli nurlanishlar ta’siridagi fizik jarayonlarni aniqlash uchun qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2019 yil 5 oktyabrdagi 89-03-3748-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Shottki to‘siqli detektor diodlarning ishonchliligini nazorat qilish va prognozlash uchun buzilmaydigan ekspress usulini ishlab chiqish imkonini bergan;
uzatish xarakteristikalari GaAs asosidagi Shottki to‘siqli detektor diodlaridan ustun bo‘lgan, TiBx va ZrBx asosida ilk bor yaratilgan Shottki to‘siqli SiC detektor diodlari «NEOMAX» ilmiy ishlab chiqarish korxonasida zamonaviy qo‘riqlash tizimining elektron sxemasini yaratishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi savdo-sanoat palatasi Toshkent shahar xududiy boshqarmasining 2019 yil 1 noyabrdagi 6703/13-01-son ma’lumotnomasi). Yaratilgan Shottki to‘siqli SiC detektor diodlari chetdan keltirilgan diodlarning o‘rnini bosdi va qo‘riqlash tizimi qurilmalarining sezgirligini oshirish imkonini bergan.