Абдижалиев Султанбек Каллибековичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Термик ва микротўлқинли ишловларни TiB_X(ZrB_X)–n-SiC6H Шоттки  тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.3.PhD/FM142.
Илмий раҳбар: Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Нукус давлат педагогика институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.30.08.2019.FM/T.01.12.
Расмий оппонентлар: Расулов Рустам Явкачевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Зикриллаев Нурулла Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: тезлашган термик ишловлар ва микротўлқин нурланишларини TiB_X(ZrB_X)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига  таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
1000°С ҳароратда 90 секунд давомида термик ишлов бериш TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H тўсиқли контактлар таркибига таъсир кўрсатмаслиги аниқланган;
n-SiC6H да дислокациялар орқали ток ташувчиларни ўтказиш билан ва SiC да дислокация зичлигининг катталиги билан ифодаланувчи ток ўтказиш механизми аниқланган;
микротўлқинли нурланиш TiB_x-n-SiC6H Шоттки диодларининг тўсиқ баландлигининг 1,2% га ошиши аниқланган;
қисқа муддатли микротўлқинли нурлантириш (5 секунд) карбид кремний асосидаги тўсиқ ва омик контакт хусусиятларини яхшилаши аниқланган;
Au-TiB_X(ZrB_X)-n-SiC 6H асосида Шоттки детектор диодларини яратиш мумкинлиги кўрсатилган;
TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H тузилмалар асосида ҳароратга барқарор Шоттки тўсиқли диодлар яратиш мумкинлиги асосланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Термик ва микротўлқинли ишловларни TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H Шоттки  тўсиқли карбидкремний диодли структуралар-нинг электрофизик хоссаларига таъсирини тадқиқ қилиш асосида:  
Шоттки тўсиғининг термобардошлигини аниқлаш бўйича олинган натижалар, жумладан TiB_X(ZrB_X)-n-SiC6H тўсиқли контактларнинг таркибига  1000°С ҳарорат остида 90 секунд давомида термик юмшатиш Ф-2-37 рақамли «Яримўтказгичлардаги нуқсон ҳосил бўлиш лазер индуцирланган ночизиқли жараёнларнинг ўзига хослиги» фундаментал лойиҳасида яримўтказгичларда лазер ва микротўлқинли нурланишлар таъсиридаги физик жараёнларни аниқлаш учун қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2019 йил 5 октябрдаги 89-03-3748-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Шоттки тўсиқли детектор диодларнинг ишончлилигини назорат қилиш ва прогнозлаш учун бузилмайдиган экспресс усулини ишлаб чиқиш имконини берган;
узатиш характеристикалари GaAs асосидаги Шоттки тўсиқли детектор диодларидан устун бўлган, TiBx ва ZrBx асосида илк бор яратилган Шоттки тўсиқли SiC детектор диодлари «NEOMAX» илмий ишлаб чиқариш корхонасида замонавий қўриқлаш тизимининг электрон схемасини яратишда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси савдо-саноат палатаси Тошкент шаҳар худудий бошқармасининг 2019 йил 1 ноябрдаги 6703/13-01-сон маълумотномаси). Яратилган Шоттки тўсиқли SiC детектор диодлари четдан келтирилган диодларнинг ўрнини босди ва қўриқлаш тизими қурилмаларининг сезгирлигини ошириш имконини берган.