Muratov Abat Seypullaevichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli tuzilmalarda manfiy differensial qarshilik va foto EYuKlarning shakllanish jarayonlari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.3.PhD/FM284.

Ilmiy rahbar: Ismaylov Kanatbay Abdreymovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qoraqalpoq davlat universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.

Rasmiy opponentlar: Zikrillaev Nurulla Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;Imamov Erkin Zunnunovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich tuzilmalarda elektr yurituvchi kuchi va manfiy differensial qarshilik shakllanishining mexanizmlarini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich tuzilma vol`tamper xarakteristikasining istalgan nuqtasidagi chastotaviy xarakteristikasi sonli hisobining hamda τ mexanizm bilan bog‘liq S simon vol`tamper xarakteristikali yarimo‘tkazgich diod impedansining algoritmi ishlab chiqilgan;

hisob ma’lumotlari asosida impedansning haqiqiy qismi chastota ortishi bilan noldan (ωτ_po=0.2 da) o‘tib, musbatga aylanishi isbotlangan;

N simon vol`tamper xarakteristikali diod tuzilmalarda burilish nuqtalarida potensial to‘siq ortishi bilan toklar va kuchlanish tushishlari kamayishi aniqlangan;

ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich tuzilmada bo‘ylama effektning chastotaviy diapazoni, eng avvalo, relaksatsiya vaqti, harorat va o‘tkazuvchanlik bilan bog‘liq bo‘lgan xarakterli vaqtga bog‘liqligi aniqlangan;

Tomas-Fermi potensialining shaffofligi Kulon potensialining shaffofligidan r³ marta kattaligi va yarimo‘tkazgich-vakuum tizimi orqali o‘tadigan tok zichligi aniqlangan;

ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich tuzilmaning geterokontakt sohasida elektron gazi mavjud bo‘lganida elektr maydoni induksiyalangan gradient kuchlarining hosil bo‘lishi elektr yurituvchi kuch ishorasining inversiyasiga olib kelishi aniqlanib, u keltirilgan ekvivalent sxemaga muvofiq kontaktga yo‘nalgan monoxromatik yorug‘lik signalining chastotasiga bog‘liq bo‘lishi asoslangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

Ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli tuzilmalarda manfiy differensial qarshilik va fotoelektr yurituvchi kuchining shakllanish mexanizmlarini aniqlash asosida:

ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgich tuzilma vol`tamper xarakteristikasining istalgan nuqtadagi chastota xarakteristikasi S simon vol`tamper xarakteristikali yarimo‘tkazgich diod impedansining sonli hisoblash usullari «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida p⁺–n–n⁺-tuzilmali kremniyli diodlarning impedansini baholashda foydalanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2018 yil 25 dekabrdagi 02-2878-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi kremniyli diod tuzilmaning chastota diapazonini aniqlash imkonini bergan;

ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli tuzilma chastotasining haroratga bog‘liqligi bo‘yicha olingan natijalar «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida kremniyli diodlarning ishchi chastotasini harorat orqali boshqarishda foydalanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2018 yil 25 dekabrdagi 02-2878-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi kremniyli diod tuzilmalar asosidagi generatorlarning chastotalarini boshqarish chegaralarini (10 kGs gacha) aniqlash imkonini bergan;

p⁺–n–n⁺-tuzilmali yarimo‘tkazgichli diodning impedansi va ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli tuzilmalarning vol`tamper xarakteristikasining istalgan nuqtasidagi chastota xarakteristikalarini sonli hisoblash usullari «Elektr iste’moli tarmoqlarida radioelektron asboblarni 100 V teshilish kuchlanishi, 10 kVt gacha impul`sli tarqalish quvvatli himoya qiluvchi qurilmalarni yaratishda asosiy texnologiyani ishlab chiqish» loyihasida qo‘llanilgan (2015–2017 yy.) («Novosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodi» aksionerlik jamiyatining 2019 yil 21 yanvardagi 04/401-26-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kremniyli diodlar asosida o‘zgaruvchan signallarni to‘g‘rilagich diodlar chastotasini boshqarish chegarasini aniqlash imkonini bergan.