Sodiqov Usmonxo‘ja Xasanovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri(ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniyli fotoelementlarning spektral sezgirlik sohasini binar elementar yacheykalar yordamida kengaytirish», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.1.PhD/FM86.

Ilmiy rahbar: Iliev Xalmurat Midjitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Toshkent davlat texnika universiteti, Andijon davlat universiteti, DSc.31.01.2019.FM/T.03.05.

Rasmiy opponentlar: Daliev Xojakbar Sultanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Aripov Xayrulla Kabulovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Fizika-texnika instituti.  

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: kremniyda hosil qilingan binar elementar yacheykalarning fotoelektrik xossalariga ta’sirlarini aniqlash va  fotoelementlarning spektral sezgirlik sohasini kengaytirishdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

kremniy panjarasida III, V va II, VI guruh elementlaridan kirishmalar tanlash yo‘li bilan maqbul termodinamik sharoitda A^IIIB^V va A^IIB^VI  strukturali binar elementar yacheykalar hosil bo‘lishi aniqlangan;

kirishma atomlari konsentratsiyasini oshirish asosida kremniy panjarasida Si₂A^IIIB^V va Si₂A^IIB^VI strukturali binar elementar yacheykalar assotsiatsiyasi hamda A^IIIB^V va A^IIB^VI  nanokristallar hosil bo‘lishi ilmiy asoslangan;

past haroratli diffuziya usulida III, V va II, VI guruh elementlarining kremniy panjarasida birikishi natijasida A^IIIB^V va A^IIB^VI strukturali binar elementar yacheykalar hosil qilish texnologiyasi yaratilgan;

diffuziya usulida yuza emirilishi bartaraf etilgan kremniy namunalari olish imkonini beruvchi haroratni bosqichma-bosqich oshirish yo‘li bilan koeffisient diffuziyasi kichik bo‘lgan III, V guruh elementlarini kiritish texnologiyasi ishlab chiqilgan;

Si₂A^IIIB^V va Si₂A^IIB^VI strukturaga ega binar elementar yacheykali kremniyning elektrofizik va fotoelektrik xossalarini boshqarilishi aniqlangan;

Si₂A^IIIB^V va Si₂A^IIB^VI strukturali binar elementar yacheykalarga ega bo‘lgan kremniy materialidan  fotoelementlar yaratilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

Kremniy kristall panjarasidabinar elementar yacheykali strukturalar hosil qilish bilan yangi material olish va  fotoelementlarning spektral sezgirlik sohasini  kengaytirish asosida:

III, V va II, VI guruh elementlarining kremniy panjarasida birikishi natijasida A^IIIB^V va A^IIB^VI strukturali binar elementar yacheykalar hosil qilish texnologiyasi «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida infraqizil nurlar sohasidagi sezgirligi katta bo‘lgan material olishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2018 yil 25 avgustdagi 02-1876-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanilishi kremniy asosida yaratilayotgan infraqizil datchiklarning spektral diapazonini kengaytirish imkonini bergan;

diffuziya koeffisienti kichik bo‘lgan III, V guruh elementlarini kirishma sifatida haroratni bosqichma-bosqich oshirish yo‘li bilan kiritish texnologiyasi «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida kremniy materialini legirlashda foydalanilgan («O‘zeltexsanoat» aksiyadorlik kompaniyasining 2018 yil 25 avgustdagi 02-1876-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanilishi kremniyni legirlash jarayonini takomillashtirishga imkonini bergan.