Содиқов Усмонхўжа Хасановичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри(илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремнийли фотоэлементларнинг спектрал сезгирлик соҳасини бинар элементар ячейкалар ёрдамида кенгайтириш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.1.PhD/FM86.

Илмий раҳбар: Илиев Халмурат Миджитович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Тошкент давлат техника университети, Андижон давлат университети, DSc.31.01.2019.FM/T.03.05.

Расмий оппонентлар: Далиев Хожакбар Султанович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Арипов Хайрулла Кабулович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Физика-техника институти.  

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: кремнийда ҳосил қилинган бинар элементар ячейкаларнинг фотоэлектрик хоссаларига таъсирларини аниқлаш ва  фотоэлементларнинг спектрал сезгирлик соҳасини кенгайтиришдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

кремний панжарасида III, V ва II, VI гуруҳ элементларидан киришмалар танлаш йўли билан мақбул термодинамик шароитда A^IIIB^V ва A^IIB^VI  структурали бинар элементар ячейкалар ҳосил бўлиши аниқланган;

киришма атомлари концентрациясини ошириш асосида кремний панжарасида Si₂A^IIIB^V ва Si₂A^IIB^VI структурали бинар элементар ячейкалар ассоциацияси ҳамда A^IIIB^V ва A^IIB^VI  нанокристаллар ҳосил бўлиши илмий асосланган;

паст ҳароратли диффузия усулида III, V ва II, VI гуруҳ элементларининг кремний панжарасида бирикиши натижасида A^IIIB^V ва A^IIB^VI структурали бинар элементар ячейкалар ҳосил қилиш технологияси яратилган;

диффузия усулида юза емирилиши бартараф этилган кремний намуналари олиш имконини берувчи ҳароратни босқичма-босқич ошириш йўли билан коэффициент диффузияси кичик бўлган III, V гуруҳ элементларини киритиш технологияси ишлаб чиқилган;

Si₂A^IIIB^V ва Si₂A^IIB^VI структурага эга бинар элементар ячейкали кремнийнинг электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини бошқарилиши аниқланган;

Si₂A^IIIB^V ва Si₂A^IIB^VI структурали бинар элементар ячейкаларга эга бўлган кремний материалидан  фотоэлементлар яратилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

Кремний кристалл панжарасидабинар элементар ячейкали структуралар ҳосил қилиш билан янги материал олиш ва  фотоэлементларнинг спектрал сезгирлик соҳасини  кенгайтириш асосида:

III, V ва II, VI гуруҳ элементларининг кремний панжарасида бирикиши натижасида A^IIIB^V ва A^IIB^VI структурали бинар элементар ячейкалар ҳосил қилиш технологияси «FOTON» акциядорлик жамиятида инфрақизил нурлар соҳасидаги сезгирлиги катта бўлган материал олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1876-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланилиши кремний асосида яратилаётган инфрақизил датчикларнинг спектрал диапазонини кенгайтириш имконини берган;

диффузия коэффициенти кичик бўлган III, V гуруҳ элементларини киришма сифатида ҳароратни босқичма-босқич ошириш йўли билан киритиш технологияси «FOTON» акциядорлик жамиятида кремний материалини легирлашда фойдаланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1876-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланилиши кремнийни легирлаш жараёнини такомиллаштиришга имконини берган.