Ашуров Жасур Джўраевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «TlInSe2 монокристалларининг ва улар асосидаги қаттиқ эритмаларнинг тензорезистив хусусиятлари», 01.04.07–Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.2.PhD/FM248.
Илмий раҳбар: Нуритдинов Иззатилло,физика-математика фанлари доктори.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ядро физикаси институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Ядро физикаси институти, Астрономия институти, Ўзбекистон Миллий университети, DSc.27.06.2017.FM/T.33.01.
Расмий оппонентлар: Хидиров Ирисали, физика-математика фанлари доктори, профессор; Турсунов Икромжон Гуламжонович, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: TlInSe2 монокристаллари ва улар асосидаги қаттиқ эритмаларининг тензорезистив хусусиятларига турли киришмаларнинг таъсир этиш қонуниятлари ва механизмларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
TlInSe2 кристалларида зоналараро билвосита электрон ўтишлар бевосита электрон ўтишларга нисбатан нафақат кичик энергиялар соҳасида балки спектрнинг юқори энергиялар соҳада ҳам мавжудлиги кўрсатилган;
мусбат ва манфий деформацияланганда TlInSe2 кристалларининг турли воҳаларидаги электрон ўтишлар билан боғлиқ фотостимулланган тензосезгирлик коэффициентининг спектрал тақсимоти максимумлари қайта тақсимланиши натижасида кристаллардаги тензорезистивлик кўп воҳали механизм билан боғлиқлиги кўрсатилган (деформация жараёнида воҳалар энергетик ҳолатларининг ўзгариши туфайли зарядлар бир воҳадан бошқасига оқиб ўтиши аниқланган);
даврий системанинг I ва IV гуруҳ элементлари киришмалари киритилиши натижасида киришма сатҳларнинг пайдо бўлиши, шунингдек 300£Т£410K оралиқдаги ҳарорат таъсирида термоионизацияси ҳисобига заряд ташувчилар концентрациясининг ортиши туфайли TlInSe2 кристалларида [001] йўналишда тензосезгирлик коэффициенти кўплаб марта (1,1 дан ~24 мартагача) ортиши аниқланган;
илк марта кобальтнинг 0£х£0,5 концентрацияси оралиғида TlIn1-хСоxSe2 системаси бирикмаларининг, шунингдек миснинг 0£х£0,1 концентрацияси оралиғида Tl1-хСuхInSe2 системаси бирикмаларинингтензорезистивлик хусусиятлари ҳамда тензосезгирликнинг температурага боғлиқлиги қаттиқ эритмаларнинг концентрацион мавжудлик соҳасида чизиқли концентрациявий боғланишга эгалиги ва қаттиқ эритмалар мавжудлик соҳаси чегарасидан ўтиши билан кескин ўзгариши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
TlInSe2 монокристаллари ва улар асосидаги қаттиқ эритмаларнинг тензорезистивлик хусусиятларига турли киришмаларнинг таъсир этиш қонуниятлари ва механизмларини аниқлаш асосида:
мусбат ва манфий деформацияланган TlInSe2 кристаллардаги тензорезистивлик кўп воҳали механизм билан боғлиқлиги ЁФ-2-13 рақамли «Кремнийли структураларни электрофизик хусусиятларига титан кичик гуруҳи кириндиларининг таъсиридаги эффектлар» (2016-2017) фундаментал лойиҳада кремнийли яримўтказгич структураларда нуқсонлар ҳосил бўлиши механизмларини аниқлашда фойдаланилган (Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2019 йил 11 апрелдаги 89-03-1378-сон маълумотномаси). Илмий натижаларининг қўлланилиши титан кичик гуруҳидаги киришмалар билан легирланган кремнийли структураларда тензрезистив ҳодисаларни ўрганиш ва тензосезгирлик коэффициентини аниқлаш даражасини оширишга имкон берган;
TlInSe2 кристалларида ва унинг асосидаги TlIn1-хСоxSe2 (0£х£0,5) ва Tl1-хСuхInSe2 (0£х£0,1) қаттиқ эритмаларда киришмалар концентрацияси ва ҳароратнинг ошиши, шунингдек, фотосезгирлик соҳасида ёритилиш туфайли термик ва фотоионизация натижасида заряд ташувчилар концентрациясининг ортиши ҳисобига тензосезгирлик коэффициентининг кўп марта ошиши, шунингдек тензорезистив эффектнинг кўпвоҳали механизми ФА-А3-002 рақамли «Оғирликни ўлчовчи қурилмалар учун яримўтказгичли тензодатчик ишлаб чиқиш» лойиҳасида ярим ўтказгичли тензометриянинг ҳозирги замон ҳолати ва ривожланиш тенденцияларини баён этишда ва тадқиқот вазифаларини шакллантиришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2019 йил 26 мартдаги 2/1255-918-сон маълумотномаси). Илмий натижаларининг қўлланилиши яримўтказгич қўшимчали плёнкали тензодатчикларга чизиқли узатиш характеристикасини беришни асослаш имконини яратган;
I ва IV гуруҳ элементлари киришмалари билан легирланган TlInSe2 монокристалларида хусусий ютилиш соҳасида ёритиш ва 300£Т£410K оралиқда ҳароратнинг таъсирида легирлаш туфайли киришма сатҳларнинг пайдо бўлиши ҳамда уларнинг термик ва фотоионизациялануви натижасида заряд ташувчилар концентрациясининг ортиши ҳисобига [001] йўналишда тензосезгирлик коэффициентининг кўп марта ошиши етакчи хорижий илмий журналларда (Journal of Materials Science: Materials in Electronics Volume 24 Number 9, pp. 3555-3563, 2013; Scientific Bulletin of Volyn National University, Vol. 1, Series: Solid state physics, 16, pp.19-24, 2012; Physical Chemistry Chemical Physics, 15, pp.6965, 2013) қалайнинг x=0÷0,25 концентрациясида Tl1-xIn1-xSnxSe2 қаттиқ эритмаларнинг фотоэлектрик хусусиятларини ва электрон структурасини аниқлаш мақсадида фойдаланилган. Илмий натижаларининг қўлланилиши ўрганилган намуналарда концентрациянинг ортиши ва температуранинг кўтарилиши билан фотоўтказувчанликнинг ошишини тушунтирувчи фотоактив марказлар қайта зарядланиш моделини ишлаб чиқиш имконини берган.
