Ashurov Jasur Djo‘raevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «TlInSe2 monokristallarining va ular asosidagi qattiq eritmalarning tenzorezistiv xususiyatlari», 01.04.07–Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.2.PhD/FM248.
Ilmiy rahbar: Nuritdinov Izzatillo,fizika-matematika fanlari doktori.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Yadro fizikasi instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Yadro fizikasi instituti, Astronomiya instituti, O‘zbekiston Milliy universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.33.01.
Rasmiy opponentlar: Xidirov Irisali, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Tursunov Ikromjon Gulamjonovich, fizika-matematika fanlari doktori.
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: TlInSe2 monokristallari va ular asosidagi qattiq eritmalarining tenzorezistiv xususiyatlariga turli kirishmalarning ta’sir etish qonuniyatlari va mexanizmlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
TlInSe2 kristallarida zonalararo bilvosita elektron o‘tishlar bevosita elektron o‘tishlarga nisbatan nafaqat kichik energiyalar sohasida balki spektrning yuqori energiyalar sohada ham mavjudligi ko‘rsatilgan;
musbat va manfiy deformatsiyalanganda TlInSe2 kristallarining turli vohalaridagi elektron o‘tishlar bilan bog‘liq fotostimullangan tenzosezgirlik koeffisientining spektral taqsimoti maksimumlari qayta taqsimlanishi natijasida kristallardagi tenzorezistivlik ko‘p vohali mexanizm bilan bog‘liqligi ko‘rsatilgan (deformatsiya jarayonida vohalar energetik holatlarining o‘zgarishi tufayli zaryadlar bir vohadan boshqasiga oqib o‘tishi aniqlangan);
davriy sistemaning I va IV guruh elementlari kirishmalari kiritilishi natijasida kirishma sathlarning paydo bo‘lishi, shuningdek 300£T£410K oraliqdagi harorat ta’sirida termoionizatsiyasi hisobiga zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining ortishi tufayli TlInSe2 kristallarida [001] yo‘nalishda tenzosezgirlik koeffisienti ko‘plab marta (1,1 dan ~24 martagacha) ortishi aniqlangan;
ilk marta kobal`tning 0£x£0,5 konsentratsiyasi oralig‘ida TlIn1-xSoxSe2 sistemasi birikmalarining, shuningdek misning 0£x£0,1 konsentratsiyasi oralig‘ida Tl1-xSuxInSe2 sistemasi birikmalariningtenzorezistivlik xususiyatlari hamda tenzosezgirlikning temperaturaga bog‘liqligi qattiq eritmalarning konsentratsion mavjudlik sohasida chiziqli konsentratsiyaviy bog‘lanishga egaligi va qattiq eritmalar mavjudlik sohasi chegarasidan o‘tishi bilan keskin o‘zgarishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
TlInSe2 monokristallari va ular asosidagi qattiq eritmalarning tenzorezistivlik xususiyatlariga turli kirishmalarning ta’sir etish qonuniyatlari va mexanizmlarini aniqlash asosida:
musbat va manfiy deformatsiyalangan TlInSe2 kristallardagi tenzorezistivlik ko‘p vohali mexanizm bilan bog‘liqligi YoF-2-13 raqamli «Kremniyli strukturalarni elektrofizik xususiyatlariga titan kichik guruhi kirindilarining ta’siridagi effektlar» (2016-2017) fundamental loyihada kremniyli yarimo‘tkazgich strukturalarda nuqsonlar hosil bo‘lishi mexanizmlarini aniqlashda foydalanilgan (Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2019 yil 11 apreldagi 89-03-1378-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi titan kichik guruhidagi kirishmalar bilan legirlangan kremniyli strukturalarda tenzrezistiv hodisalarni o‘rganish va tenzosezgirlik koeffisientini aniqlash darajasini oshirishga imkon bergan;
TlInSe2 kristallarida va uning asosidagi TlIn1-xSoxSe2 (0£x£0,5) va Tl1-xSuxInSe2 (0£x£0,1) qattiq eritmalarda kirishmalar konsentratsiyasi va haroratning oshishi, shuningdek, fotosezgirlik sohasida yoritilish tufayli termik va fotoionizatsiya natijasida zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining ortishi hisobiga tenzosezgirlik koeffisientining ko‘p marta oshishi, shuningdek tenzorezistiv effektning ko‘pvohali mexanizmi FA-A3-002 raqamli «Og‘irlikni o‘lchovchi qurilmalar uchun yarimo‘tkazgichli tenzodatchik ishlab chiqish» loyihasida yarim o‘tkazgichli tenzometriyaning hozirgi zamon holati va rivojlanish tendensiyalarini bayon etishda va tadqiqot vazifalarini shakllantirishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 2019 yil 26 martdagi 2/1255-918-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi yarimo‘tkazgich qo‘shimchali plyonkali tenzodatchiklarga chiziqli uzatish xarakteristikasini berishni asoslash imkonini yaratgan;
I va IV guruh elementlari kirishmalari bilan legirlangan TlInSe2 monokristallarida xususiy yutilish sohasida yoritish va 300£T£410K oraliqda haroratning ta’sirida legirlash tufayli kirishma sathlarning paydo bo‘lishi hamda ularning termik va fotoionizatsiyalanuvi natijasida zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining ortishi hisobiga [001] yo‘nalishda tenzosezgirlik koeffisientining ko‘p marta oshishi yetakchi xorijiy ilmiy jurnallarda (Journal of Materials Science: Materials in Electronics Volume 24 Number 9, pp. 3555-3563, 2013; Scientific Bulletin of Volyn National University, Vol. 1, Series: Solid state physics, 16, pp.19-24, 2012; Physical Chemistry Chemical Physics, 15, pp.6965, 2013) qalayning x=0÷0,25 konsentratsiyasida Tl1-xIn1-xSnxSe2 qattiq eritmalarning fotoelektrik xususiyatlarini va elektron strukturasini aniqlash maqsadida foydalanilgan. Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi o‘rganilgan namunalarda konsentratsiyaning ortishi va temperaturaning ko‘tarilishi bilan fotoo‘tkazuvchanlikning oshishini tushuntiruvchi fotoaktiv markazlar qayta zaryadlanish modelini ishlab chiqish imkonini bergan.
