Элмуротова Дилноза Бахтиёровнанинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Радиациявий-индуцирланган ZnO нанозарранинг шаклланиши ва ZnSe кристалларида электролюминесценция», 01.04.07–Конденсирланган ҳолат физикаси  (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.4.PhD/FM159.

Илмий раҳбар: Ибрагимова Эльвира Меметовна,физика-математика фанлари доктори.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Ядро физикаси институти.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Ядро физикаси институти, Астрономия институти, Ўзбекистон Миллий университети, DSc.27.06.2017.FM/T.33.01.

Расмий оппонентлар: Ташмуҳамедова Дилноза Артиқбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор; Хидиров Ирисали, физика-математика фанлари доктори, профессор.

 Етакчи ташкилот: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: нурланиш таъсирида стехиометрланмаган ZnSe кристалларининг яқин сирт қатламидаги ZnO нанозарранинг ҳосил бўлиш механизмини ва самарали ёруғлик тарқатувчи наногетероўтишларнинг электрон структурасини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

силлиқ наноплёнкали 27 нм (013)ZnO/(311)ZnSe:O,Zn, наноустунли чўтка 40 нм (110)ZnO/(220)ZnSe(0.2% Те):O,Zn ва наноустунчалар билан безатилган 50 нм (002)ZnO/(111)ZnSe(0.5% Те):Zn наногетероўтишлар интерфейсида панжара кучланишининг минимизация шартига асосан ZnO нанокристалларининг критик ўлчами, шакли ва ориентацияси ZnSe кристалл-тагликнинг мос ориентациясига боғлиқлиги аниқланган;

гамма ⁶⁰Со нурлари таъсири натижасида электролюминесценцияси 600±10 нм ли кучланиш қутбига боғлиқ бўлмаган ва ZnSe нинг таъқиқланган зонадаги нуқсонлар йиғиндиси–Zn_I марказ ва V_ZnZn_iO_Se ёки V_ZnZn_iTe_Se ассоциат сатҳлари иштирокида ҳосил бўлган кичик волтли ёруғлик тарқатувчи ZnSe/ZnO:О,Zn (21 В, I_El=91), ZnSe(0.2% Те)/ZnO:О,Zn (12 В, I_El=70) ва ZnSe(0.5% Те)/ZnO:Zn (30 В, I_El=112) наногетероўтишлар олинган;

~1.25 МэВ ли гамма нурлари таъсири натижасида ZnO наноустунчалар билан безатилган, қалинлиги 50 нм ли планар ZnSe(0.5% Те)/ZnO:Zn наногетероўтишда бешта резонанс сатҳлар Г_6v-5.76 эВ, L_1,3v-4.85 эВ, Zn_i-3.39 эВ,O_Se- 3.17 эВ ва Х=2.72 эВ ҳосил бўлиши, E_g нинг 0.06 эВ қийматгача камайиши ва фотоўтказувчанликнинг 10^-6 Ом^-1 гача ошиши аниқланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:

Радиациявий-индуцирланган ZnO нанозарранинг шаклланиши ва ZnSe кристалларида электролюминесценцияни аниқлаш асосида:

ZnO наноустунлар билан безатилган интерфейсида панжара кучланишининг минимизациясига мосланганлиги ва ⁶⁰Со гамма-нури таъсирида ZnSe кристаллининг яқин сирт қатламидаги ZnO-нано миқдорининг ўсиш шарти А4-ФА-Ф156 рақамли «ZnO-наноструктур ва органик яримўтказгичлар асосида юқори самарали гибрид қуёш элементлари технологиясини ишлаб чиқариш» (2012–2014) амалий лойиҳасида юпқа ZnO плёнканинг ўтказиш спектрларини аниқлашда қўлланилган (Ўзбекистон Фанлар академиясининг 2018 йил 24 декабрдаги 2/1255-3372-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши юпқа ZnO плёнканинг микротасвирини таҳлил қилиш ва структуравий характеристикаларини аниқлаш имконини берган;

гамма ~1.25 МэВ нурлари таъсири натижасида планар ZnSe(0.5%Те)/ZnO:Zn наногетероўтишда Zn_i-3.39 эВ, O_Se-3.17 эВ резонанс сатҳларнинг ҳосил бўлиши, E_g нинг 0.06 эВ гача камайиши ва фотоўтказувчанликнинг 10^-6 Ом^-1 ошиши А4-ФА-Ф156  рақамли «ZnO-наноструктур ва органик ярим ўтказгичлар асосида юқори самарали гибрид қўёш элементлари технологиясини ишлаб чиқариш» (2012–2014) амалий лойиҳада ZnO нанотуркумнинг рентгенограмма таҳлилини ўтказишда фойдаланилган (Ўзбекистон Фанлар академиясининг 2018 йил 24 декабрдаги 2/1255-3372-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши ZnO нанотуркумларнинг фотовольтаик ва фотолюминесценция хусусиятларини аниқлаш имконини берган;

ZnSe нинг таъқиқланган зонадаги нуқсонлар йиғиндиси Zn_I марказ ва V_ZnZn_iO_Se ёки V_ZnZn_iTe_Se ассоциат сатҳлари иштирокидаги кичик вольтли ёруғлик тарқатувчи ZnSe/ZnO:О,Zn (21 В, I_El=91) ва ZnSe(0.2%Те)/ZnO:О,Zn (12 В, I_El=70) наногетеро- ўтишларнинг кучланиш қутбига боғлиқ бўлмаган 600±10 нм ли электролюминесценция натижалари халқаро олимлар томонидан (халқаро илмий журналларда Spectrochimica Acta, Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy, 2011; Прикладная физика, 2011; Матерiали для сенсорiв, 2011; Journal of Advances in Condensed Matter Physics, 2018; Journal of Applied Physics, 2018; Journal of Luminescence, 2018) ZnO нанозарранинг фотоўтказувчанлигини, фотолюминесценциясини, микротасвирини ва рентгенограммасини ҳамда ZnSe ёруғлик диодларининг электро-фото-рентгено-люминесцент хусусиятларига гамма ва рентгент нурланишлар таъсирини тушунтиришда қўлланилган. Илмий натижаларнинг қўлланилиши ZnO нанозарранинг вюрцитли гексагональ структурасини, V_O билан боғлиқ фотолюминесценциянинг яшил эмиссиясини, фотоўтказувчанликни ҳамда соф ZnSe кристалларининг юқори ҳароратли ўтказувчанлигини, люкс-ампер хусусиятининг рентгено рағбатлантирилган ўтказувчанликнинг боғлиқлигини ва ультрабинафша фотоўтказувчанликни тушунтириш имконини берган.