Elmurotova Dilnoza Baxtiyorovnaning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Radiatsiyaviy-indusirlangan ZnO nanozarraning shakllanishi va ZnSe kristallarida elektrolyuminessensiya», 01.04.07–Kondensirlangan holat fizikasi  (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.4.PhD/FM159.

Ilmiy rahbar: Ibragimova El`vira Memetovna,fizika-matematika fanlari doktori.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Yadro fizikasi instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Yadro fizikasi instituti, Astronomiya instituti, O‘zbekiston Milliy universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.33.01.

Rasmiy opponentlar: Tashmuhamedova Dilnoza Artiqbaevna, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Xidirov Irisali, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

 Yetakchi tashkilot: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: nurlanish ta’sirida stexiometrlanmagan ZnSe kristallarining yaqin sirt qatlamidagi ZnO nanozarraning hosil bo‘lish mexanizmini va samarali yorug‘lik tarqatuvchi nanogeteroo‘tishlarning elektron strukturasini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

silliq nanoplyonkali 27 nm (013)ZnO/(311)ZnSe:O,Zn, nanoustunli cho‘tka 40 nm (110)ZnO/(220)ZnSe(0.2% Te):O,Zn va nanoustunchalar bilan bezatilgan 50 nm (002)ZnO/(111)ZnSe(0.5% Te):Zn nanogeteroo‘tishlar interfeysida panjara kuchlanishining minimizatsiya shartiga asosan ZnO nanokristallarining kritik o‘lchami, shakli va orientatsiyasi ZnSe kristall-taglikning mos orientatsiyasiga bog‘liqligi aniqlangan;

gamma ⁶⁰So nurlari ta’siri natijasida elektrolyuminessensiyasi 600±10 nm li kuchlanish qutbiga bog‘liq bo‘lmagan va ZnSe ning ta’qiqlangan zonadagi nuqsonlar yig‘indisi–Zn_I markaz va V_ZnZn_iO_Se yoki V_ZnZn_iTe_Se assotsiat sathlari ishtirokida hosil bo‘lgan kichik voltli yorug‘lik tarqatuvchi ZnSe/ZnO:O,Zn (21 V, I_El=91), ZnSe(0.2% Te)/ZnO:O,Zn (12 V, I_El=70) va ZnSe(0.5% Te)/ZnO:Zn (30 V, I_El=112) nanogeteroo‘tishlar olingan;

~1.25 MeV li gamma nurlari ta’siri natijasida ZnO nanoustunchalar bilan bezatilgan, qalinligi 50 nm li planar ZnSe(0.5% Te)/ZnO:Zn nanogeteroo‘tishda beshta rezonans sathlar G_6v-5.76 eV, L_1,3v-4.85 eV, Zn_i-3.39 eV,O_Se- 3.17 eV va X=2.72 eV hosil bo‘lishi, E_g ning 0.06 eV qiymatgacha kamayishi va fotoo‘tkazuvchanlikning 10^-6 Om^-1 gacha oshishi aniqlangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

Radiatsiyaviy-indusirlangan ZnO nanozarraning shakllanishi va ZnSe kristallarida elektrolyuminessensiyani aniqlash asosida:

ZnO nanoustunlar bilan bezatilgan interfeysida panjara kuchlanishining minimizatsiyasiga moslanganligi va ⁶⁰So gamma-nuri ta’sirida ZnSe kristallining yaqin sirt qatlamidagi ZnO-nano miqdorining o‘sish sharti A4-FA-F156 raqamli «ZnO-nanostruktur va organik yarimo‘tkazgichlar asosida yuqori samarali gibrid quyosh elementlari texnologiyasini ishlab chiqarish» (2012–2014) amaliy loyihasida yupqa ZnO plyonkaning o‘tkazish spektrlarini aniqlashda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Fanlar akademiyasining 2018 yil 24 dekabrdagi 2/1255-3372-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi yupqa ZnO plyonkaning mikrotasvirini tahlil qilish va strukturaviy xarakteristikalarini aniqlash imkonini bergan;

gamma ~1.25 MeV nurlari ta’siri natijasida planar ZnSe(0.5%Te)/ZnO:Zn nanogeteroo‘tishda Zn_i-3.39 eV, O_Se-3.17 eV rezonans sathlarning hosil bo‘lishi, E_g ning 0.06 eV gacha kamayishi va fotoo‘tkazuvchanlikning 10^-6 Om^-1 oshishi A4-FA-F156  raqamli «ZnO-nanostruktur va organik yarim o‘tkazgichlar asosida yuqori samarali gibrid qo‘yosh elementlari texnologiyasini ishlab chiqarish» (2012–2014) amaliy loyihada ZnO nanoturkumning rentgenogramma tahlilini o‘tkazishda foydalanilgan (O‘zbekiston Fanlar akademiyasining 2018 yil 24 dekabrdagi 2/1255-3372-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi ZnO nanoturkumlarning fotovol`taik va fotolyuminessensiya xususiyatlarini aniqlash imkonini bergan;

ZnSe ning ta’qiqlangan zonadagi nuqsonlar yig‘indisi Zn_I markaz va V_ZnZn_iO_Se yoki V_ZnZn_iTe_Se assotsiat sathlari ishtirokidagi kichik vol`tli yorug‘lik tarqatuvchi ZnSe/ZnO:O,Zn (21 V, I<sub>El</sub>=91) va ZnSe(0.2%Te)/ZnO:O,Zn (12 V, I<sub>El</sub>=70) nanogetero- o‘tishlarning kuchlanish qutbiga bog‘liq bo‘lmagan 600±10 nm li elektrolyuminessensiya natijalari xalqaro olimlar tomonidan (xalqaro ilmiy jurnallarda Spectrochimica Acta, Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy, 2011; Prikladnaya fizika, 2011; Materiali dlya sensoriv, 2011; Journal of Advances in Condensed Matter Physics, 2018; Journal of Applied Physics, 2018; Journal of Luminescence, 2018) ZnO nanozarraning fotoo‘tkazuvchanligini, fotolyuminessensiyasini, mikrotasvirini va rentgenogrammasini hamda ZnSe yorug‘lik diodlarining elektro-foto-rentgeno-lyuminessent xususiyatlariga gamma va rentgent nurlanishlar ta’sirini tushuntirishda qo‘llanilgan. Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi ZnO nanozarraning vyursitli geksagonal` strukturasini, V_O bilan bog‘liq fotolyuminessensiyaning yashil emissiyasini, fotoo‘tkazuvchanlikni hamda sof ZnSe kristallarining yuqori haroratli o‘tkazuvchanligini, lyuks-amper xususiyatining rentgeno rag‘batlantirilgan o‘tkazuvchanlikning bog‘liqligini va ul`trabinafsha fotoo‘tkazuvchanlikni tushuntirish imkonini bergan.