РАХМАТОВ Ахмад Зайнидинович: «Яримўтказгичли юқори частотали ва чеклагич диодлар тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш, уларнинг параметрларини термо- ва радиацион таъсирда оптималлаштириш» (01.04.10 техника фанлари) - ЎзР ФА Физика-техника институти, Ион плазма ва лазер технологиялари институти ва Самарқанд давлат университети (100084, Тошкент, Бодомзор йўли кўчаси 2б - уй. Tел. (99871) 233-12-71; факс: (99871) 235-42-91; e-mail:lutp@uzsci.net) (диссертация рус тилида)

Илмий маслахатчи: А.В.Каримов

Иш бажарилган ташкилот: ЎзР ФА Физика-техника институти ва «FOTON» ОАЖ

Расмий оппонентлар: В.Н.Улимов, А.М.Касымахунова, М.Б.Тагаев

Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети

Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга мойил

 

    I. Тадқиқотнинг мақсади: дифференциал қаршилиги кичрайтирилган кремний диоди тузилмаларини ишлаб чиқаришнинг оптимал диффузион технологиясини ишлаб чиқиш ва юқори частотали тўғрилагич диод ва кучланишни чеклагичларнинг сифатини яхшилаш, ишончлилигини радиация таъсирида кўтаришдан иборат.

    II. Диссертация натижаларининг илмий янгилиги:

илк бор маргимуш билан легирланган кремний р+-n+ -структураси асосида манба блоклари муҳофазаси учун кичик вольтли (< 7 В) кучланиш чеклагичлари олиш технологияси яратилган;

илк боркремний р+-p-n-n+-структураси асосида эффектив иссиқлик тарқатувчи контактли қувватли (10А) тўғрилагич-чеклагич диодлар олиш усули ишлаб чиқилган;

илк бор қувватли р+-p-n-n+-ўтишли диодларга 450 да қотадиган икки қаватли кумуш ва ванадий асосида уч қатламдан иборат омик контакт олиш усули ишлаб чиқилди, иссиқлик узатувчи компенсатор сифатида гальваник усулда кумуш билан қопланган мис қатлами танланган;

кучланиш чеклагичи параметрларини ўлчайдиган – универсал икки генераторли, хатолиги бир генераторли усулга нисбатан уч марта кам бўлган янги усул ишлаб чиқилган;

илк бор арсенид галлий асосида, омик контактли, биринчи тип таглик, бири иккинчисидан маълум масофада жойлашган иккита омик контактли, иккинчи тип ўтказувчан юпқа қатламдан ва омик контактга уланган электродлардан иборат ярим ўтказгич асбоб ишлаб чиқилган;

кучланиш чеклагичи самарадорлигини қаршилик билан ток зичлиги орасидаги боғлиқлик асосида, кенг тешилиш токи соҳасида аниқлаш усули ишлаб чиқилган;

ҳарорат потенциали ва иссиқлик оқими генераторлар сифатида уланиш ва импульсли кучланиш бериш шароитида, иссиқликни узатиш ва p-n-ўтишни қизиш температурасини ҳисоблашга асосланган, иссиқлик моделлари ишлаб чиқилган;

кучланиш чеклагичи ва юқори частотали диодлар параметрларининг оптимал мослашишини таъминлайдиган радиацион технологик таъсирлар турини аниқлашнинг муҳандислик услуби ишлаб чиқилган;

илк бор кучланиш чеклагичининг ишдан чиқиш фурсатини қайд қилувчи радиоэлектрон аппаратурани ҳимоя этувчи қурилма ишлаб чиқилган.

    III. Диссертациянинг амалиётга жорий этилган натижалари ва уларнинг самарадорлиги: Тадқиқотлар натижаси асосида қилинган ихтироларга 3та Ўзбекистон Республикаси патенти (№ IAP 04599 04.10.2012й., № IAP 04721 03.05.2013й., № IAP 04571 22.08.2012й.) ва 1та Россия патенти (№ 2522786 21.05.2014й.) олинган. Тадқиқотлар натижасида кичик вольтли кучланиш чеклагичлари ва юқори частотали тўғриловчи-чеклагич диодлар технологияси ишлаб чиқилган ҳамда кучланиш чеклагичларининг характеристикаларини оптималлаштириш услублари ОАЖ «FOTON» да ишлаб чиқаришга жорий этилиб, йиллик иқтисодий самара 78 млн сўмни ташкил этган («Ўзэлтехсаноат» Ассоциациясининг 12.12.2013 йилдаги жорий қилинганлик далолатномаси).

Бош меню

Янгиликларга обуна бўлиш