Tohirjonov Mahmudjon Sobitjon o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «AlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/AlAs geterotuzilma kvant o‘rasidagi elektronning energetik xarakteristikasi» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2024.4.PhD/FM583
    Ilmiy rahbar: Abdulazizov Baxrom Toshmirza o‘g‘li, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Namangan davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Onarkulov Karimberdi Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Imamov Erkin Zunnunovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zR FA Fizika-texnika instituti    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: AlAs/InxGa1-xAs/InAs geterotuzulma o‘stirilgan va o‘tkazuvchanlik zonasi Keyn tipidagi noparabolik xususiyatga ega bo‘lgan asos materiallar(InAs va InxGa1-xAs)dagi tok tashuvchilarning diskret energetik sathlarini modellashtirishdan iborat.
III. Tadqiqotni ilmiy yangiligi quydagilardan iborat.
ilk bor, parabolik zona modelida qaralayotgan o‘rada ikkita energiya sathi, noparabolik zona modelida esa uchta energiya sathi mavjud bo‘lishi ko‘rsatilgan;
keng o‘ra (L=2a+b=8 nm) uchun bog‘langan statsionar sathlar sonining ko‘payishi, energiya sathlarining pastga siljishi, birinchi sathning qo‘shimcha o‘rachaga tushib qolishi aniqlangan.
ilk bor, energetik sathlarning qo‘shimcha kiritilgan nanoqatlam qalinligiga bog‘liqlik formulasi yordamida toq tartib raqamli energiya sathlarining pastga, juft tartib raqamli energiya sathlari esa yuqoriga siljishi isbotlangan;
o‘tish koeffisientining hisoblash algoritmidan foydalanib, kvazistatsionar sathlar energiyasi va tabiiy kengligi qiymatlari topilgan. Bu natijalarning parabolik va noparabolik dispersiya modellarida olingan natijalar bir-biridan katta farq qilishi ko‘rsatilgan;
sonli hisoblashlar asosida, AlAs to‘siq va InAs nanoqatlam qalinliklarining turli qiymatlarida kvazistatsionar sathlar va ularning tabiiy kengliklari baholangan hamda o‘zaro taqqoslangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Murakkab geterotuzilma kvant o‘rasidagi elektronning energetik xarakteristikasi uchun olingan natijalar asosida:
murakkab geterotuzilma kvant o‘rasiga kiritilgan yupqa nanoqatlamni elektronning energetik sathlariga ta’sirini ifodalovchi analitik formulalardan rezonans tunnel diodlar ishlab chiqarishda va ularning ishchi xarakteristikasini yaxshilashda foydalanildi. (“Foton” AJ ning 2024 yil 26 noyabrdagi 201-son ma’lumotnomasi). “Foton” aksionerlik jamiyatida olib borilgan ilmiy izlanishlarda ko‘rsatilgan natijalar asosida namunalar ishlab chiqildi, namunalarning parametrlari mavjud normativ texnologik jarayonlarga mos kelishi aniqlangan;
kvant o‘raga kiritilgan nanoqatlamning qalinligining o‘zgarishi energetik sathlarni siljitishi, shuningdek, potensial to‘siq qalinligini o‘zgarishi bilan elektronning tunnel o‘tish ehtimolligini o‘zgarishi uchun olingan ifodalardan energetik sathlarni boshqarish mumkinligi aniqlandi (Namangan muhandislik-texnologiya institutining 2025 yil 8 yanvardagi № 80-024 – son ma’lumotnomasi). Nazariy hisoblashlar tajriba natijalari bilan mos kelishi kuzatilgan.