Азимов Туланбой Маъруфжоновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Би-Сб-(Те, Се) асосидаги термоелектрик қотишмаларнинг коммутацион материаллар билан контактидаги физик-кимёвий ўзаро таъсирлашувининг хосликлари» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2023.1.PhD/FM850
Илмий раҳбар: Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Фарғона давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар:
Зайнобидинов Сирожиддин Зайнобидинович, физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги.;
Аюпов Кутуб Саутович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Бухоро давлат университети.    
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: висмут ва сурма халкогенидлари асосида термоелектрик материалларнинг самарадорлигини ошириш, контакт соҳаларидаги диффузия жараёнларини ўрганиш орқали самарали коммутация ўтишларини яратиш ҳамда яримўтказгичли термоелементлар олиш технологиясини такомиллаштиришдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор, Би-Сб-(Те,Се) асосидаги яримўтказгичли термоелектрик материалларни Ни билан лигерлаш орқали янги электрофизик хусусиятларга эга бўлган термоелемент материалларни яратиш технологияси такомиллаштирилган;
БиСб ва ПбСб эвтектиклари ва припой ёрдамида термоелектрик материаллар билан коммутация контактларидаги диффузия жараёнлари камайтириш ва самарадорликни оширишини аниқловч модел ишлаб чиқилган;
термоелектрик материалларнинг диффузия коеффисиентларини камайтириш ва контактлашувчи юзаларини металлаштириш орқали термоелементларнинг электрофизик самарадорлигини ошиши аниқланган;
коммутация контактларидаги диффузия жараёнларини камайтириш ҳамда контактлашувчи юзаларини металлаштириш орқали юқори самарадорликка эга бўлган янги термоелектрик батареяларнинг  ишлаб чиқариш технологияси такомиллаштирилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. БиСб-(Те, Се) асосидаги термоелектрик қотишмаларнинг коммутация материаллари билан контактидаги физик-кимёвий ўзаро таъсирлари хосликларини тадқиқ қилиш бўйича олинган илмий–амалий натижалар асосида:
п-типдаги Би2Те3-Сб2Те3 асосга очиқ тигелда киришмалар киритилганда унинг термоелектрик хусусиятларининг барқарорлигини таъминлаб, яримўтказгич материалларининг термоелектрик хусусиятларини такрор ҳосил қилиш имконини бериши кўрсатилган. (Ўзбекистон республикаси интеллектуал мулк агентлигининг 2019 йил 6 августдаги № ИАП 05968 рақамли патенти). Натижада, материалнинг барқарорлиги, иқтисодий энергия самарадорлиги оширилган.
Би2Те2,88Се0.12 ва Би0,5Сб1,5Те3 асосида никел билан легирланган термоелектрик самарадорлик қийматларини сақлаган, мустаҳкамлик даражаси юқори бўлган термоелектрик материаллар олингани; контактлашиш юзаларига никелнинг кимёвий усулда қопланиши BiSb ва PbSb эвтетиклари билан ишончли аралашувчанликни таъминлаши; PbSb ва ВiSb оптимал қоришма эвтетикларининг термоелектрик материаллар билан контактлашиш диффузия коеффисиентлари ва энергия активасиялари аниқланган. (Андижон давлат университетининг 2024 йил 11 декабрдаги №04-2791 сонли маълумотномаси). Натижада бир жинсли структурали киришма-нуқсонли кристаллар олиш имконини оширган.