Абдурахманов Бахромжон Абдукаххаровичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремнийда киришма атомларнинг кластерини шакллантиришнинг физик ва технологик асоси», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2018.4.PhD/T845.
Илмий раҳбар: Баҳодирхонов Муҳаммад Кабир, физика-математика фанлари доктори, профессор, академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Тошкент давлат техника университети, Ўзбекистон Миллий университети, DSc.28.02.2018.FM/T.03.05.
Расмий оппонентлар: Касимахунова Анорахон Мамасадиковна, техника фанлари доктори, профессор; Тагаев Марат Баймуратович, техника фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ион плазма ва лазер технологиялари институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: кремний кристалл панжарасида киришма атомларнинг физик табиатига боғлиқ равишда кластерларни ўзини ўзи ташкил қилиш орқали шаклланишини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кремний материалининг фундаментал параметрларини бошқариш имконини берувчи киришма атомларнинг табиатига боғлиқ равишда кластерларни шакллантиришнинг технологияси ишлаб чиқилган ва унинг асосида керакли электрофизик параметрга эга бўлган кремний олинган;
кремнийда киришма атомлари нанокластерларининг концентрациясини бошқариш ҳисобига ташқи таъсирларга нисбатан сезгирлигини ошириш усули асосланган ва унинг асосида сезгирлиги юқори бўлган янги турдаги яримўтказгичли датчик яратилган;
кремний материалида никел кластерларини ҳосил қилиш шароити аниқланган;
бир нечта Шоттки микротўсиқлар кетма-кетлигидан ташкил топган янги турдаги диодлар яратилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Кремний кристалл панжарасида шакллантирилган кластерларни материалнинг фундаментал хоссаларига таъсирларини аниқлаш асосида:
кремний кристалл панжарасида киришма атомларнинг табиатига боғлиқ равишда ҳажм бўйича тенг тақсимланган кластерларни шакллантириш технологияси «FOTON» акциядорлик жамиятида стуктураси бошқариладиган наноструктурали кремнийни олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1879-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши Шоттки микротўсиқлар кетма-кетлигидан ташкил топган диодларни ишлаб чиқиш имконини берган;
кремний панжарасида киришма атомларни табиатига боғлиқ ҳолда ўз ўзини ташкил қилган кластер шаклланиши «FOTON» акциядорлик жамиятида киришмаларни яримўтказгич материалларига диффузия қилиш шароитларини олдиндан танлаб олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1879-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши диффузия жараёнига кетадиган вақт ва сарфланадиган электр энергиянинг камайишига ҳамда олинаётган материалнинг параметрларини барқарорлигини таъминлаш имконини берган;
марганец кластери мавжуд бўлган кремний асосида ҳароратнинг оптик датчиги «FOTON» акциядорлик жамиятида инфрақизил нурни сезувчи материалларни олишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1879-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши юқори ҳароратни ўлчаш учун мўлжалланган кремний асосидаги оптик датчигни ишлаб чиқаришга имкон берган.
