Qosimov Isroil Odinaevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmogʻi nomi): “Kremniy yuzasida hosil qilingan Cu, CdSe va TiO2 yupqa plyonkalarining elektron spektroskopiyasi”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.3.PhD/FM765.
Ilmiy rahbar: Isaxanov Zinaobidin Abilpeyzovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: U.A. Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM/T.65.01.
Rasmiy opponentlar:
Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, kat.i.x.;
Axrorov Subxan Kurbonovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi.
TiO2, SdSe, Si/Cu ning nano o‘lchamdagi tuzilmalarining hosil bo‘lish qonuniyatlarini va ularning elektron tuzilishi, tarkibi va xususiyatlariga ion bombardimon qilish va qizdirishning ta’sirini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Ilk bor Si(111) yuzasida turli qalinlikdagi TiO2 plyonkalari olindi va Miller indekslari va panjara parametrlari aniqlandi. Plyonka tarkibida TiOx, TiOxCy kabi birikmalar holida O, C va ba’zan H ning mikro yoki nanozarrachalari atomlari borligi ko‘rsatilgan, TiO2 ning kristalli va amorf fazalarining foizi aniqlanadi: kristall qismi 19%, amorf qismi 81%;
kremniy yuzasiga o‘stirilgan CdSe plyonkalarini dastlab xona haroratida va 800°C gacha qizdirilganda amorflik va kristallik darajalari Raman spektroskopiya usulida aniqlandi. Kadmiy seleniddagi amorf fazaning ulushi 46% dan 17% gacha kamayganligi aniqlandi. Olingan natijalar quyosh elementlari, mikroelektronika, nuqsonlarning paydo bo‘lish sohalarida, shuningdek, optoelektronika va nanotexnologiya sohalari uchun materiallar yaratish tadqiqotlar uchun katta qiziqishlar uyg‘otadi;
kremniy taglik yuzasida misning yupqa kichik qarshilikli kontakt qatlami olindi, va bu o‘stirilgan mis qatlami yupqa va silliq bo‘lib, yuzasining tuzilishi va morfologiyasini o‘zgartirmaydi, shu bilan birga kremniy yuzasida o‘stirilgan fotoelementlar yuza relefi (silliqlanganligi) tok oqimining yo‘qotishlarini kamaytirishga, va shunga mos ravishda ularning samaradorligini oshirishga imkon beradi;
qalin va erkin yupqa plyonkalar valent elektronlarining holat zichliklari bir-biridan keskin farq qilishi aniqlandi. Ba+ ionlarini implantatsiya qilish va so‘ngra qizdirish natijasida VaSi tipidagi nanoplyonka hosil bo‘lishi va ma’lum miqdorda bog‘lanmagan Si atomlari borligi aniqlandi. Kremniyning qalinligi d≤400Å bo‘lgan erkin Si−Cu plyonkalariga aktiv metall ionlarini implantatsiya qilishda quyidagi cheklovlar mavjudligi aniqlandi: ion energiyasi E0 =4−5 keV dan kam bo‘lishi kerak; implantatsiyadan keyingi qizdirish T≤800 K da amalga oshirilishi kerak. BaSi plyonkalari polikristal tuzilishga ega bo‘lib, Si atomlarining bir oz ko‘pligi bilan ajralib turadi;
IIMS va OES usuli yordamida Cu ning elementar va kimyoviy tarkibidagi o‘zgarishlarni, Cs+ ionlarini implantatsiya qilish va so‘ngra qizdirish orqali sirtini tozalashning samarali usuli ishlab chiqildi. Cs+ atomlari yuqori faolligi tufayli kislorod va uglerod atomlari bilan kimyoviy bog‘ hosil qilishi va qizdirilgandan so‘ng Cs+O, Cs+S holatda bug‘lanishi aniqlandi;
Ba+ va Cs+ ionlari bilan bombardimon qilinganda Cu–Si nanoplyonkasining tormozlash qobiliyati nazariy tadqiqotlari Si–Cu kontakt qatlamigacha kirib borganida energiya yo‘qotilishi sezilarli darajada oshishi aniqlandi. Hisoblashlar shuni ko‘rsatdiki, kontakt qatlamlaridagi diamis (Cu2Si) va triamis (Cu3Si) silisidlari konsentratsiyasi ortib borishi bilan, implantatsiya qilinayotgan ionlarning energiya yo‘qotishi keskin oshishi aniqlandi. Buni plyonkada kremniy ionlarining misga va mis ionlarining kremniyga diffuziyalanishi natijasida bo‘lishi aniqlandi, bu esa sochilish markazlarining oshib borishiga olib kelishi aniqlandi..
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Dissertatsiya ishi doirasida foydalanilgan maqolaga “Isakhanov, Z.A., Kosimov, I.O., Umirzakov, B. E., & Erkulov, R. M. (2020). Modification of the surface properties of free Si–Cu films by implantation of active metal ions. Technical Physics, 65(1), 114-117”, skopus ilmiy bazasida 3 ta havola berilgan. Ushbu havola maqolalar quyidagi mavzuda keltirilgan:
1. Sharopov U. B. et al. Comparison of electron irradiation on the formation of surface defecs in situ and post thin-film LiF/Si (111) deposition //Thin Solid Films. – 2021. – T. 735. – S. 138902. https://doi.org/10.1016/j.sf.2021.138902
2. Theodosiou A. et al. Formation of cesium carbonate in ion-implanted graphite, examined with dual-source x-ray photoelectron spectroscopy, density functional theory calculations and thermodynamic modelling //Carbon. – 2022. – T. 197. – S. 226-237. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2022.06.034
3. Bernatskiy D. P., Pavlov V. G. Polevaya desorbsiya seziya i bariya s nanoklasterov grafena na poverxnosti iridiya //Fiziko-ximicheskie aspekti izucheniya klasterov, nanostruktur i nanomaterialov. – 2023. – Vip. 15 -2023. -S.40-45.
4. Sharopov, U.B., Kaur, K., Kurbanov, M.K. et al. Controlling the Low-temperature Ionic Purification of a Silicon Surface by Electron Spectroscopy. Silicon 14, 4661–4667 (2022). https://doi.org/10.1007/s12633-021-01268-0
Dissertatsiya ishida olingan natija asosida eng yaxshi jahon analoglari darajasida elektrofizik parametrlarning prototiplari ishlab chiqarildi. (“Foton AJ” “Maxsulotlar sirtiga kombinatsiyalangan qatlam o‘stirishda tajriba na’munasida ishlatish” bo‘yicha direktor o‘rinbosarining 06.12.2023 dagi ilmiy tadqiqot ishlarining natijalari bo‘yicha joriy etish № 236 raqamli ma’lumotnomasi):
dissertatsiya ishida taklif qilingan magnetron ionli changlatish manbasi yordamida yupqa mis qatlamini qo‘llash orqali kremniy polikristaliga Cu-Si past qarshilikli kontakt yaratish, uning yuqori o‘tkazuvchanligi va qalinligi 3,0 - 3,5 mikron bo‘lganligi sababli, uning kichik qarshilikka erishish imkonini beradi.
dissertatsiya ishida keltirilgan raman usuli yordamida xona haroratidan 8000C gacha qizdirilganda CdSe plyonkalarida amorf va kristallanish darajasining o‘zgarishi o‘rganildi. Bunda kadmiy selen tarkibida amorf fazaning ulushi 17% gacha kamayishi aniqlandi. Olingan natijalar mikroelektronika, nuqsonlarni shakllantirish, shuningdek, opto- va nanoelektronika uchun materiallar yaratish sohasidagi tadqiqotlar uchun katta qiziqish uyg‘otadi.
Olingan natijalar mikroelektron qurilmalarni yaratishda «FOTON» AJda joriy etildi va foydalanildi. Ilmiy natijalardan foydalanish «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida termik barqaror parametrlarga ega yarimo‘tkazgichli qurilmalarni yaratish hamda ishlab chiqarilayotgan mahsulotlar tannarxini pasaytirish va shunday parametrlarga ega qurilmalarning rentabilligini ta’minlashga imkon beradi.
