Қосимов Исроил Одинаевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
    Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармогʻи номи): “Кремний юзасида ҳосил қилинган Cу, CдСе ва ТиО2 юпқа плёнкаларининг электрон спектроскопияси”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
    Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.3.PhD/FM765.
    Илмий раҳбар: Исаханов Зинаобидин Абилпейзович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
    Диссертация бажарилган муассаса номи: У.А. Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
    ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.02/30.12.2019.FM/Т.65.01.
    Расмий оппонентлар:
Максимов Сергей Евлантиевич, физика-математика фанлари доктори, кат.и.х.;
Ахроров Субхан Курбонович, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
    Етакчи ташкилот: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
    Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади.
ТиО2, СдСе, Си/Cу нинг нано ўлчамдаги тузилмаларининг ҳосил бўлиш қонуниятларини ва уларнинг электрон тузилиши, таркиби ва хусусиятларига ион бомбардимон қилиш ва қиздиришнинг таъсирини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Илк бор Си(111) юзасида турли қалинликдаги ТиО2 плёнкалари олинди ва Миллер индекслари ва панжара параметрлари аниқланди. Плёнка таркибида ТиОх, ТиОхCй каби бирикмалар ҳолида О, C ва баъзан Ҳ нинг микро ёки нанозаррачалари атомлари борлиги кўрсатилган, ТиО2 нинг кристалли ва аморф фазаларининг фоизи аниқланади: кристалл қисми 19%, аморф қисми 81%;
кремний юзасига ўстирилган CдСе плёнкаларини дастлаб хона ҳароратида ва 800°C гача қиздирилганда аморфлик ва кристаллик даражалари Раман спектроскопия усулида аниқланди. Кадмий селениддаги аморф фазанинг улуши 46% дан 17% гача камайганлиги аниқланди. Олинган натижалар қуёш элементлари, микроелектроника, нуқсонларнинг пайдо бўлиш соҳаларида, шунингдек, оптоелектроника ва нанотехнология соҳалари учун материаллар яратиш тадқиқотлар учун катта қизиқишлар уйғотади;
кремний таглик юзасида миснинг юпқа кичик қаршиликли контакт қатлами олинди, ва бу ўстирилган мис қатлами юпқа ва силлиқ бўлиб, юзасининг тузилиши ва морфологиясини ўзгартирмайди, шу билан бирга кремний юзасида ўстирилган фотоелементлар юза релефи (силлиқланганлиги) ток оқимининг йўқотишларини камайтиришга, ва шунга мос равишда уларнинг самарадорлигини оширишга имкон беради;
қалин ва эркин юпқа плёнкалар валент электронларининг ҳолат зичликлари бир-биридан кескин фарқ қилиши аниқланди. Ба+ ионларини имплантация қилиш ва сўнгра қиздириш натижасида ВаСи типидаги наноплёнка ҳосил бўлиши ва маълум миқдорда боғланмаган Си атомлари борлиги аниқланди. Кремнийнинг қалинлиги д≤400Å бўлган эркин Си−Cу плёнкаларига актив металл ионларини имплантация қилишда қуйидаги чекловлар мавжудлиги аниқланди: ион энергияси Э0 =4−5 кеВ дан кам бўлиши керак; имплантациядан кейинги қиздириш Т≤800 К да амалга оширилиши керак. БаСи плёнкалари поликристал тузилишга эга бўлиб, Си атомларининг бир оз кўплиги билан ажралиб туради;
ИИМС ва ОЕС усули ёрдамида Cу нинг элементар ва кимёвий таркибидаги ўзгаришларни, Cс+ ионларини имплантация қилиш ва сўнгра қиздириш орқали сиртини тозалашнинг самарали усули ишлаб чиқилди. Cс+ атомлари юқори фаоллиги туфайли кислород ва углерод атомлари билан кимёвий боғ ҳосил қилиши ва қиздирилгандан сўнг Cс+О, Cс+С ҳолатда буғланиши аниқланди;  
Ба+ ва Cс+ ионлари билан бомбардимон қилинганда Cу–Си наноплёнкасининг тормозлаш қобилияти назарий тадқиқотлари Си–Cу контакт қатламигача кириб борганида энергия йўқотилиши сезиларли даражада ошиши аниқланди. Ҳисоблашлар шуни кўрсатдики, контакт қатламларидаги диамис (Cу2Си) ва триамис (Cу3Си) силицидлари консентрацияси ортиб бориши билан, имплантация қилинаётган ионларнинг энергия йўқотиши кескин ошиши аниқланди. Буни плёнкада кремний ионларининг мисга ва мис ионларининг кремнийга диффузияланиши натижасида бўлиши аниқланди, бу эса сочилиш марказларининг ошиб боришига олиб келиши аниқланди..
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Диссертация иши доирасида фойдаланилган мақолага “Исакҳанов, З.А., Косимов, И.О., Умирзаков, Б. Э., & Эркулов, Р. М. (2020). Модифиcатион оф тҳе сурфаcе пропертиес оф фрее Си–Cу филмс бй имплантатион оф аcтиве метал ионс. Течниcал Пҳйсиcс, 65(1), 114-117”, скопус илмий базасида 3 та ҳавола берилган. Ушбу ҳавола мақолалар қуйидаги мавзуда келтирилган:
1.    Шаропов У. Б. эт ал. Cомпарисон оф элеcтрон иррадиатион он тҳе форматион оф сурфаcе дефеcц ин ситу анд пост тҳин-филм ЛиФ/Си (111) депоситион //Тҳин Солид Филмс. – 2021. – Т. 735. – С. 138902. ҳттпс://дои.орг/10.1016/ж.цф.2021.138902
2.    Тҳеодосиоу А. эт ал. Форматион оф cесиум cарбонате ин ион-имплантед грапҳите, эхаминед wитҳ дуал-соурcе х-рай пҳотоелеcтрон спеcтросcопй, денситй фунcтионал тҳеорй cалcулатионс анд тҳермодйнамиc моделлинг //Cарбон. – 2022. – Т. 197. – С. 226-237. ҳттпс://дои.орг/10.1016/ж.cарбон.2022.06.034
3.    Бернацкий Д. П., Павлов В. Г. Полевая десорбсия сезия и бария с нанокластеров графена на поверхности иридия //Физико-химические аспекти изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. – 2023. – Вип. 15 -2023. -С.40-45.
4.    Шаропов, У.Б., Каур, К., Курбанов, М.К. эт ал. Cонтроллинг тҳе Лоw-температуре Иониc Пурифиcатион оф а Силиcон Сурфаcе бй Элеcтрон Спеcтросcопй. Силиcон 14, 4661–4667 (2022). ҳттпс://дои.орг/10.1007/с12633-021-01268-0
Диссертация ишида олинган натижа асосида энг яхши жаҳон аналоглари даражасида электрофизик параметрларнинг прототиплари ишлаб чиқарилди. (“Фотон АЖ” “Махсулотлар сиртига комбинацияланган қатлам ўстиришда тажриба наъмунасида ишлатиш” бўйича директор ўринбосарининг 06.12.2023 даги илмий тадқиқот ишларининг натижалари бўйича жорий этиш № 236 рақамли маълумотномаси):
диссертация ишида таклиф қилинган магнетрон ионли чанглатиш манбаси ёрдамида юпқа мис қатламини қўллаш орқали кремний поликристалига Cу-Си паст қаршиликли контакт яратиш, унинг юқори ўтказувчанлиги ва қалинлиги 3,0 - 3,5 микрон бўлганлиги сабабли, унинг кичик қаршиликка эришиш имконини беради.
диссертация ишида келтирилган раман усули ёрдамида хона ҳароратидан 8000C гача қиздирилганда CдСе плёнкаларида аморф ва кристалланиш даражасининг ўзгариши ўрганилди. Бунда кадмий селен таркибида аморф фазанинг улуши 17% гача камайиши аниқланди. Олинган натижалар микроелектроника, нуқсонларни шакллантириш, шунингдек, опто- ва наноелектроника учун материаллар яратиш соҳасидаги тадқиқотлар учун катта қизиқиш уйғотади.
Олинган натижалар микроелектрон қурилмаларни яратишда «ФОТОН» АЖда жорий этилди ва фойдаланилди. Илмий натижалардан фойдаланиш «ФОТОН» акциядорлик жамиятида термик барқарор параметрларга эга яримўтказгичли қурилмаларни яратиш ҳамда ишлаб чиқарилаётган маҳсулотлар таннархини пасайтириш ва шундай параметрларга эга қурилмаларнинг рентабиллигини таъминлашга имкон беради.