Shayimov Fayzullo Fatullaevichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «GaAs ning nochiziqli optik xossalari va uning qattiq jismli va suyuqlikli lazerlarda qo‘llanilishi», 01.04.11–Lazer fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM89.

Ilmiy rahbar: Baxramov Sagdilla Abdullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor, akademik.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.30.05.2018.FM./T.65.01.

Rasmiy opponentlar: Kadirov Mumin Kadirovich, fizika-matematika fanlari doktori; Sapaev Usmon Kalandarovich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: rezonator ichki nurlanishiga uchragan yarimo‘tkazgichli yutgichlar nochiziqli xossalarini lazerning chiqish parametrlariga ta’sirini aniqlashdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

ilk bor lazer rezonatorlarida chiquvchi oyna va to‘yinuvchi yutuvchi sifatida ishlatilgan yarimo‘tkazgichli GaAs kristallarida yuqori intensivlikli rezonator ichki nurlanishi natijasida nuqsonlar konsentratsiyasining o‘sishi eksperimental aniqlangan;

lazerlar rezonatorlarida chiquvchi oyna va to‘yinuvchi yutuvchi sifatida foydalanilgan yarimo‘tkazgichlarning yuza qatlamlarida lazerlarning ishlash jarayonida nuqtaviy nuqsonlar hosil bo‘lishi to‘g‘risida ma’lumot olish imkoniyatini beruvchi tadqiqotning solishtirma usuli yaratilgan;

natijalari eksperiment natijalari bilan qoniqarli darajada muvofiq tushuvchi, nuqsonlar konsentratsiyasining lazerning chiquvchi parametrlariga ta’sirini o‘rganish bo‘yicha sonli tajribalarni o‘tkazish uchun matematik model` yaratilgan;

ilk bor quyosh lazerlari damlash effektivligining parabolik konsentrator qamrash burchagiga bog‘liqligi aniqlangan;

suyuqlikli quyosh lazerining matematik modeli yaratilgan va davomiyligi 1 ms bo‘lgan quyosh nurlanishining to‘plangan oqimida impul`sli damlashda chiquvchi quvvati va aktiv muhitning yuqori lazer sathi zichligining vaqtga bog‘liqligi aniqlangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

Lazer rezonatori ichki nurlanishi orqali to‘yinuvchi yutuvchilar sirtida nuqtaviy nuqsonlar hosil bo‘lishi bo‘yicha olingan natijalar asosida:

passiv teskari manfiy bog‘lanishli modalar sinxronizatsiyasi rejimida ishlovchi lazerlarning generatsion xarakteristikalariga  yarimo‘tkazgich GaAs ning ta’siri, xususan uning lazer rezonatori aslligini modulyasiya qilish natijasida olinadigan impul`slar hamda parabolik konsentratorlardagi quyosh lazerlari rezonatorlari aslligini modulyasiyalash bo‘yicha olingan natijalar FA-A-16-F028 raqamli «Katta Quyosh Pechida mahalliy xomashyo va ishlab chiqarish chiqindilariga asoslangan shisha-keramik buyumlar ishlab chiqarish texnologiyasini yaratish va ular asosida sital namunalarni tayyorlash» va I-2-FA-0-16498 raqamli «To‘qimachilik sanoati uchun sital ip yo‘naltirgichlarni ishlab chiqarish texnologiyasini o‘zlashtirish» loyihalarda sitall materiallarni qayta ishlashda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 2018 yil 7 sentyabrdagi 2/1255-2387-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish qalinligi 0,5-1mm bo‘lgan sitall materiallarni samarali qayta ishlash, xususan yuqori aniqlikdagi  teshiklar hosil qilish imkonini bergan;

lazer nurlanishi ta’siri natijasida GaAs kristallidagi antistrukturali nuqsonlar hosil bo‘lishi bo‘yicha olingan natijalar FA-A3-F059 raqamli «Nanosekundli qayta ulanuvchi kremniy karbidida p-n o‘tishni yaratish va qattiq fazali diffuzion legirlash texnologiyasini ishlab chiqish» amaliy loyihasida SiC kristallida nuqsonlar hosil bo‘lishini o‘rganishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 2018 yil 7 sentyabrdagi 2/1255-2388-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish GaAs va SiC kristallari nuqsonlarining umumiy o‘xshash xususiyatlari asosida kremniy karbidida antistrukturali nuqsonlar hosil bo‘lish mexanizmlarini aniqlash imkonini bergan.