Шайимов Файзулло Фатуллаевичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «GaAs нинг ночизиқли оптик хоссалари ва унинг қаттиқ жисмли ва суюқликли лазерларда қўлланилиши», 01.04.11–Лазер физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.2.PhD/FM89.

Илмий раҳбар: Бахрамов Сагдилла Абдуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор, академик.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.

ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.30.05.2018.FM./T.65.01.

Расмий оппонентлар: Кадиров Мумин Кадирович, физика-математика фанлари доктори; Сапаев Усмон Каландарович, физика-математика фанлари доктори.

Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: резонатор ички нурланишига учраган яримўтказгичли ютгичлар ночизиқли хоссаларини лазернинг чиқиш параметрларига таъсирини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

илк бор лазер резонаторларида чиқувчи ойна ва тўйинувчи ютувчи сифатида ишлатилган яримўтказгичли GaAs кристалларида юқори интенсивликли резонатор ички нурланиши натижасида нуқсонлар концентрациясининг ўсиши экспериментал аниқланган;

лазерлар резонаторларида чиқувчи ойна ва тўйинувчи ютувчи сифатида фойдаланилган яримўтказгичларнинг юза қатламларида лазерларнинг ишлаш жараёнида нуқтавий нуқсонлар ҳосил бўлиши тўғрисида маълумот олиш имкониятини берувчи тадқиқотнинг солиштирма усули яратилган;

натижалари эксперимент натижалари билан қониқарли даражада мувофиқ тушувчи, нуқсонлар концентрациясининг лазернинг чиқувчи параметрларига таъсирини ўрганиш бўйича сонли тажрибаларни ўтказиш учун математик модель яратилган;

илк бор қуёш лазерлари дамлаш эффективлигининг параболик концентратор қамраш бурчагига боғлиқлиги аниқланган;

суюқликли қуёш лазерининг математик модели яратилган ва давомийлиги 1 мс бўлган қуёш нурланишининг тўпланган оқимида импульсли дамлашда чиқувчи қуввати ва актив муҳитнинг юқори лазер сатҳи зичлигининг вақтга боғлиқлиги аниқланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

Лазер резонатори ички нурланиши орқали тўйинувчи ютувчилар сиртида нуқтавий нуқсонлар ҳосил бўлиши бўйича олинган натижалар асосида:

пассив тескари манфий боғланишли модалар синхронизацияси режимида ишловчи лазерларнинг генерацион характеристикаларига  яримўтказгич GaAs нинг таъсири, хусусан унинг лазер резонатори асллигини модуляция қилиш натижасида олинадиган импульслар ҳамда параболик концентраторлардаги қуёш лазерлари резонаторлари асллигини модуляциялаш бўйича олинган натижалар ФА-А-16-Ф028 рақамли «Катта Қуёш Печида маҳаллий хомашё ва ишлаб чиқариш чиқиндиларига асосланган шиша-керамик буюмлар ишлаб чиқариш технологиясини яратиш ва улар асосида ситал намуналарни тайёрлаш» ва И-2-ФА-0-16498 рақамли «Тўқимачилик саноати учун ситал ип йўналтиргичларни ишлаб чиқариш технологиясини ўзлаштириш» лойиҳаларда ситалл материалларни қайта ишлашда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2018 йил 7 сентябрдаги 2/1255-2387-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш қалинлиги 0,5-1мм бўлган ситалл материалларни самарали қайта ишлаш, хусусан юқори аниқликдаги  тешиклар ҳосил қилиш имконини берган;

лазер нурланиши таъсири натижасида GaAs кристаллидаги антиструктурали нуқсонлар ҳосил бўлиши бўйича олинган натижалар ФА-А3-Ф059 рақамли «Наносекундли қайта уланувчи кремний карбидида p-n ўтишни яратиш ва қаттиқ фазали диффузион легирлаш технологиясини ишлаб чиқиш» амалий лойиҳасида SiC кристаллида нуқсонлар ҳосил бўлишини ўрганишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2018 йил 7 сентябрдаги 2/1255-2388-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш GaAs ва SiC кристаллари нуқсонларининг умумий ўхшаш хусусиятлари асосида кремний карбидида антиструктурали нуқсонлар ҳосил бўлиш механизмларини аниқлаш имконини берган.