Кушиев Ғиёсиддин Абдиваҳоб ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «ГехСи1-х-Си гетероваризон структурали кремнийнинг фотоелектирик ва оптик хоссалари» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.4.PhD/FM733
Илмий раҳбар: Зикриллаев Нурулло Фатхуллаевич физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар:
Гулямов Гафур, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Каримов Иброҳим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор;
Етакчи ташкилот: Бердақ номидаги Қорақалпоқ давлат университети.    
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ГехСи1-х-Си гетероваризон структурали кремний намуналарини олиш, олинган материалнинг фотоелектрик ва оптик хусусиятларини ҳамда элемент таркибини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
германий киришма атомлари билан диффузион лигерлаш жараёнида сирти емирилмаган кремний намуналарини олишнинг паст ҳароратли икки босқичли диффузиён технологияси ишлаб чиқилди;
илк бор германий киришма атомларини кремнийга диффузуя қилиб Гех Си1-х бинар бирикмалар ва ГехСи1-х –Си турдаги гетероваризон структураларни олишнинг мақбул (оптимал) термодинамик шароитлари (ҳарорат Т=1200÷1250°C, вақт т=10÷20 соат) ва технологик режимлари аниқланди;
илк маротаба ГехСи1-х –Си турдаги гетероваризон структураларга эга кремнийнинг фотоелектрик ва оптик хоссаларини тадқиқ этилди;
германий киришма атомлари билан легирланаган кремнийни қўшимча Т=850-950°C оралиғида ҳароратли ишлов бериб намунларнинг сиртида ва сирт олди қатламида ҳосил бўлган ГехСи1−х–Си гетероваризон структураларда германий киришма атомларида кремнийнинг электрофаол консентрациайси Ндиф=6.3∙1019 см-3 дан Нққ=2.5∙1020 см-3 гача ошиши аниқланди. Бу кремний намуналарини сезгирлигининг спектрал оралиғини кенгайтиришга ҳамда улар асосидаги қуёш элементларининг самарадорлигини бошланғичига нисбатан 2.6% гача оширишга, самарадорлиги юқори қуёш элементларини олишга имкон берди
Германий киришма атомлари билан легирланган кремний асосида п-н ва гетероваризон структурага эга бўлган, янги материалларни олишда ва улар асосида фотоелементларни яратишда диффузия жараёнининг вақтини ва сарфланадиган электр энергиясини камайишига ҳамда материалнинг ташқи электрофизик параметрлари ҳароратга чидамли бўлишига имкон берди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремнийда ГехСи1-х-Си гетероваризон структураларни шакллантириш асосида янги турдаги материалларни ҳосил қилиш ва улар асосидаги фотоелементларнинг спектрал сезгирлик соҳасини кенгайтиришни ўрганиш бўйича олинган натижалар асосида:
Германий киришма атомлари билан легирланаган кремний намуналарга қўшимча ҳароратли ишлов берилса (Т=850-950°C), германий киришма атомларининг электрофаол консентрациайси НГе=6,3∙1019 см-3 дан НГе=2,5∙1020 см-3 гача ортиши аниқланди. Бу олинган материалнинг фотосезгирлигининг Ге спектрал оралиғини кенгайтиришига ва улар асосида яратилган фотоелементлар самарадорлигини бошланғичлариникига нисбатан 2,6% гача оширишга олиб келди. ГехСи1-х-Си гетероваризон структураларни кремнийда диффузион усулда олишда яратилган технология “ФОТОН” АЖда фойдаланиш натижасида киришма атомларнинг диффузион жараённинг вақтини ва сарфланадиган электр энергияни камайтирди ҳамда олинадиган диод, транзисторларнинг электрофизик параметрларини ҳароратга турғунлигини оширди (Ўзелтеханоат АК нинг 2023-йил-4-декабрдаги 233-сон № 04-3/1704-сон далолатнома). Илмий натижаларнинг Фотон ОАЖ да қўлланилиши кремнийни киришма атомлар билан легирлаш жараёнини такомиллаштиришга имкон берди:
Тошкент давлат техника университетида 2017-2020-йилларда бажарилган № ОТ-Ф2-50 рақамли “Кремний панжарасида АИИБВИ ва АИИИБВ яримоʻтказгич бирикмаларнинг елементар ячейкалари шаклланишининг илмий асосларини ишлаб чиқиш - фотоенергетика ва фотоника учун истиқболли материаллар олишдаги янги ёндашув” мавзусидаги фундаментал лойиҳани бажаришда дисертация ишида яратилган паст ҳароратли диффузион легирлаш усули билан кремний кристалл панжарасида бинар бирикмаларни шаклланишининг термодинамик шартлари ҳамда технологик босқичларидан фойдаланиб фотоенергетика ва фотоникада истиқболли янги материалларни олишга имкон берди (Олий таълим, фан ва инновациялар вазирлигининг 2023-йил 4-декабрдаги 4/17-16-11 сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиб диффузия усули ёрдамида олинган ГехСи1-х бирикмалари мавжуд кремний намуналарининг фотоелектрик ва оптик хусусиятлари ўрганилиб янги турдаги оптик қурилмалар ҳамда самарадорлиги юқори фотоелементларни яратиш имкониятлари кўрсатиб берилди.