Kushiev G‘iyosiddin Abdivahob o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «GexSi1-x-Si geterovarizon strukturali kremniyning fotoelektirik va optik xossalari» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.4.PhD/FM733
Ilmiy rahbar: Zikrillaev Nurullo Fatxullaevich fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar:
Gulyamov Gafur, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Karimov Ibrohim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Yetakchi tashkilot: Berdaq nomidagi Qoraqalpoq davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: GexSi1-x-Si geterovarizon strukturali kremniy namunalarini olish, olingan materialning fotoelektrik va optik xususiyatlarini hamda element tarkibini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
germaniy kirishma atomlari bilan diffuzion ligerlash jarayonida sirti emirilmagan kremniy namunalarini olishning past haroratli ikki bosqichli diffuziyon texnologiyasi ishlab chiqildi;
ilk bor germaniy kirishma atomlarini kremniyga diffuzuya qilib Gex Si1-x binar birikmalar va GexSi1-x –Si turdagi geterovarizon strukturalarni olishning maqbul (optimal) termodinamik sharoitlari (harorat T=1200÷1250°C, vaqt t=10÷20 soat) va texnologik rejimlari aniqlandi;
ilk marotaba GexSi1-x –Si turdagi geterovarizon strukturalarga ega kremniyning fotoelektrik va optik xossalarini tadqiq etildi;
germaniy kirishma atomlari bilan legirlanagan kremniyni qo‘shimcha T=850-950°C oralig‘ida haroratli ishlov berib namunlarning sirtida va sirt oldi qatlamida hosil bo‘lgan GexSi1−x–Si geterovarizon strukturalarda germaniy kirishma atomlarida kremniyning elektrofaol konsentratsiaysi Ndif=6.3∙1019 sm-3 dan Nqq=2.5∙1020 sm-3 gacha oshishi aniqlandi. Bu kremniy namunalarini sezgirligining spektral oralig‘ini kengaytirishga hamda ular asosidagi quyosh elementlarining samaradorligini boshlang‘ichiga nisbatan 2.6% gacha oshirishga, samaradorligi yuqori quyosh elementlarini olishga imkon berdi
Germaniy kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy asosida p-n va geterovarizon strukturaga ega bo‘lgan, yangi materiallarni olishda va ular asosida fotoelementlarni yaratishda diffuziya jarayonining vaqtini va sarflanadigan elektr energiyasini kamayishiga hamda materialning tashqi elektrofizik parametrlari haroratga chidamli bo‘lishiga imkon berdi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniyda GexSi1-x-Si geterovarizon strukturalarni shakllantirish asosida yangi turdagi materiallarni hosil qilish va ular asosidagi fotoelementlarning spektral sezgirlik sohasini kengaytirishni o‘rganish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
Germaniy kirishma atomlari bilan legirlanagan kremniy namunalarga qo‘shimcha haroratli ishlov berilsa (T=850-950°C), germaniy kirishma atomlarining elektrofaol konsentratsiaysi NGe=6,3∙1019 sm-3 dan NGe=2,5∙1020 sm-3 gacha ortishi aniqlandi. Bu olingan materialning fotosezgirligining Ge spektral oralig‘ini kengaytirishiga va ular asosida yaratilgan fotoelementlar samaradorligini boshlang‘ichlarinikiga nisbatan 2,6% gacha oshirishga olib keldi. GexSi1-x-Si geterovarizon strukturalarni kremniyda diffuzion usulda olishda yaratilgan texnologiya “FOTON” AJda foydalanish natijasida kirishma atomlarning diffuzion jarayonning vaqtini va sarflanadigan elektr energiyani kamaytirdi hamda olinadigan diod, tranzistorlarning elektrofizik parametrlarini haroratga turg‘unligini oshirdi (O‘zeltexanoat AK ning 2023-yil-4-dekabrdagi 233-son № 04-3/1704-son dalolatnoma). Ilmiy natijalarning Foton OAJ da qo‘llanilishi kremniyni kirishma atomlar bilan legirlash jarayonini takomillashtirishga imkon berdi:
Toshkent davlat texnika universitetida 2017-2020-yillarda bajarilgan № OT-F2-50 raqamli “Kremniy panjarasida AIIBVI va AIIIBV yarimoʻtkazgich birikmalarning elementar yacheykalari shakllanishining ilmiy asoslarini ishlab chiqish - fotoenergetika va fotonika uchun istiqbolli materiallar olishdagi yangi yondashuv” mavzusidagi fundamental loyihani bajarishda disertatsiya ishida yaratilgan past haroratli diffuzion legirlash usuli bilan kremniy kristall panjarasida binar birikmalarni shakllanishining termodinamik shartlari hamda texnologik bosqichlaridan foydalanib fotoenergetika va fotonikada istiqbolli yangi materiallarni olishga imkon berdi (Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligining 2023-yil 4-dekabrdagi 4/17-16-11 son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanib diffuziya usuli yordamida olingan GexSi1-x birikmalari mavjud kremniy namunalarining fotoelektrik va optik xususiyatlari o‘rganilib yangi turdagi optik qurilmalar hamda samaradorligi yuqori fotoelementlarni yaratish imkoniyatlari ko‘rsatib berildi.