Abraeva Sevara Toshtemirovnaning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Changlatish va ion implatatsiya usullari bilan Ge yuzasida hosil qilingan nanostrukturalarning elektron tuzilishi va optik xossalari”, 01.04.04 - “Fizik elektronika” (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.2.PhD/FM720.
Ilmiy rahbar: Tashmuhamedova Dilnoza Artikbaevna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Bahrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Sadullaev Alovuddin Muxtorovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Ge yuzasida atomlarni changlatish va ion implantatsiya usuli yordamida germanidlarning shakllanishi qonuniyatlarini aniqlash hamda bu ta’sirlar natijasida ularning elektron va optik xususiyatlarining o‘zgarish mexanizmlarini yoritishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
bariyni changlatish va keyingi qizdirish jarayonida Ge(111) yuzasi tarkibi, elektron va kristall tuzilishi o‘zgarishlarining asosiy qonuniyatlari (chiqish ishining kamayishi, σm va Y oshishi), hamda yupqa nanoo‘lchamli germanid plonkalarini olishda ion implantasiya energiyasi E0 = 0,5 keV, D = 6·1016 cm-2 dozada va keyingi qizdirish (T = 850 K) ning optimal texnologik rejimlari aniqlangan;
oldindan Ar+ ionlari bilan bombardimon qilish usulidan foydalanib SrF2 (111) yuzasida T=750 K da changlatish usuli bilan olingan Ge plonkasining adgeziyasi ortadi va Ge/SrF2 sistemasida qalinligi 25 – 30 Å bo‘lgan bir jinsli, o‘ta yupqa monokristall Ge(111) plonkasi (o‘tish qatlami) hosil bo‘lishi aniqlangan;
Ge(111) yuzasini Ar+ ionlari bilan bombardimon qilishning kristall va elektron tuzilishiga ta’siri, ya’ni holat zichligi sezilarli darajada oʻzgarishi kuzatilishi, bu esa o‘z navbatida asosan yuzaga yaqin qatlamlarning buzilishi bilan tushuntirilishi aniqlangan;
Na+ ionlari bilan implantasiya qilingan Ge ning valent elektronlar zichlik holatining o‘zgarish dinamikasi, hamda Ge(111) ni Na ionlari implantasiyasi va keyingi qizdirish natijasida NaGe va NaGe2 germanidlarining hosil bo‘lish mexanizmlari va T=850 K haroratda Ge(111) yuza osti qatlamining toʻliq kristallanishi va NaGe2 tipidagi birikma hosil boʻlishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining amaliyotga joriy qilinishi. Changlatish va ion implantatsiya usullari bilan Ge yuzasida hosil qilingan nanostrukturalarning elektron tuzilishi va optik xossalarini o‘rganishda olingan ilmiy natijalar asosida:
yarimo‘tkazgichlarning yuza va yuza osti sohalarida nano o‘lchamlardagi metall silisidlarini shakllantirish bo‘yicha tadqiqot natijalari, shuningdek, silisidlar va germanid-germaniy-metall geterotizimlarini hosil bo‘lishi algoritmi Uzb-Ind-2021-78 “Metal oksidi bilan legirlangan silikatlarda termo-elektr xossalari va o‘z-o‘zini tashkil qilish jarayonlari” loyihasini bajarishda foydalanilgan (Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universitetining 2024-yilning 17-yanvardagi 01//11-590-sonli ma’lumotnomasi). Natijada kremniy dioksididan samarali va arzon termoelektrmateriallarni olish va uning asosida yuqori quvvatli energetikada, yupqa qatlamli silisid va silikat shishalarida keng foydalanish uchun mo‘ljallangan nanotizimlarni yaratish yo‘llarini aniqlash imkonini bergan;
quyosh elementlarida ishlatiladigan germaniy va kremniy namunalarini ionlar bilan implantatsiyalashda yuza qatlamlarining solishtirma qarshiligi, ikkilamchi elektron emissiya (IEE) koeffisiyenti va yorug‘likni qaytarish koeffisiyentlarining o‘zgarishi aniqlanganiga doir xulosalaridan “FOTON” AJda aralashma atomlari bilan legirlangan Si va Ge asosida yaratilgan yuqori yorug‘lik sezgirligiga ega material olishda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” AJ dan 2024-yil 30-yanvardagi 04-3/142-sonli ma'lumotnoma). Ilmiy natijalarni amaliyotda qo‘llash yuqori sezgirlikka ega yorug‘lik datchiklarini ishlab chiqarish imkonini bergan.