Абраева Севара Тоштемировнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Чанглатиш ва ион имплатация усуллари билан Ге юзасида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон тузилиши ва оптик хоссалари”, 01.04.04 - “Физик электроника” (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2024.2.PhD/FM720.
Илмий раҳбар: Ташмуҳамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Баҳром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Садуллаев Аловуддин Мухторович, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Ге юзасида атомларни чанглатиш ва ион имплантация усули ёрдамида германидларнинг шаклланиши қонуниятларини аниқлаш ҳамда бу таъсирлар натижасида уларнинг электрон ва оптик хусусиятларининг ўзгариш механизмларини ёритишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
барийни чанглатиш ва кейинги қиздириш жараёнида Ге(111) юзаси таркиби, электрон ва кристалл тузилиши ўзгаришларининг асосий қонуниятлари (чиқиш ишининг камайиши, σм ва Й ошиши), ҳамда юпқа наноўлчамли германид плонкаларини олишда ион имплантасия энергияси Э0 = 0,5 кеВ, Д = 6·1016 cм-2 дозада ва кейинги қиздириш (Т = 850 К) нинг оптимал технологик режимлари аниқланган;
олдиндан Ар+ ионлари билан бомбардимон қилиш усулидан фойдаланиб СрФ2 (111) юзасида Т=750 К да чанглатиш усули билан олинган Ге плонкасининг адгезияси ортади ва Ге/СрФ2 системасида қалинлиги 25 – 30 Å бўлган бир жинсли, ўта юпқа монокристалл Ге(111) плонкаси (ўтиш қатлами) ҳосил бўлиши аниқланган;
Ге(111) юзасини Ар+ ионлари билан бомбардимон қилишнинг кристалл ва электрон тузилишига таъсири, яъни ҳолат зичлиги сезиларли даражада оʻзгариши кузатилиши, бу эса ўз навбатида асосан юзага яқин қатламларнинг бузилиши билан тушунтирилиши аниқланган;
На+ ионлари билан имплантасия қилинган Ге нинг валент электронлар зичлик ҳолатининг ўзгариш динамикаси, ҳамда Ге(111) ни На ионлари имплантасияси ва кейинги қиздириш натижасида НаГе ва НаГе2 германидларининг ҳосил бўлиш механизмлари ва Т=850 К ҳароратда Ге(111) юза ости қатламининг тоʻлиқ кристалланиши ва НаГе2 типидаги бирикма ҳосил боʻлиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг амалиётга жорий қилиниши. Чанглатиш ва ион имплантация усуллари билан Ге юзасида ҳосил қилинган наноструктураларнинг электрон тузилиши ва оптик хоссаларини ўрганишда олинган илмий натижалар асосида:
яримўтказгичларнинг юза ва юза ости соҳаларида нано ўлчамлардаги металл силицидларини шакллантириш бўйича тадқиқот натижалари, шунингдек, силицидлар ва германид-германий-металл гетеротизимларини ҳосил бўлиши алгоритми Узб-Инд-2021-78 “Метал оксиди билан легирланган силикатларда термо-электр хоссалари ва ўз-ўзини ташкил қилиш жараёнлари” лойиҳасини бажаришда фойдаланилган (Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университетининг 2024-йилнинг 17-январдаги 01//11-590-сонли маълумотномаси). Натижада кремний диоксидидан самарали ва арзон термоелектрматериалларни олиш ва унинг асосида юқори қувватли энергетикада, юпқа қатламли силицид ва силикат шишаларида кенг фойдаланиш учун мўлжалланган нанотизимларни яратиш йўлларини аниқлаш имконини берган;
қуёш элементларида ишлатиладиган германий ва кремний намуналарини ионлар билан имплантациялашда юза қатламларининг солиштирма қаршилиги, иккиламчи электрон эмиссия (ИЕЕ) коеффицийенти ва ёруғликни қайтариш коеффицийентларининг ўзгариши аниқланганига доир хулосаларидан “ФОТОН” АЖда аралашма атомлари билан легирланган Си ва Ге асосида яратилган юқори ёруғлик сезгирлигига эга материал олишда қўлланилган (“Ўзелтехсаноат” АЖ дан 2024-йил 30-январдаги 04-3/142-сонли ма'лумотнома). Илмий натижаларни амалиётда қўллаш юқори сезгирликка эга ёруғлик датчикларини ишлаб чиқариш имконини берган.