Каримов Абдувахоб Абдусатторовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Юқори частотали кремнийли диодлардаги иссиқлик-техникавий жараёнларнинг хусусиятлари», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2018.2.PhD/Т840.
Илмий раҳбар: Рахматов Ахмад Зайнидинович, техника фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Физика-техника институти, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01 рақамли илмий кенгаш асосидаги бир марталик илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Насриддинов Сайфилло Саидович, техника фанлари доктори, доцент; Тагаев Марат Баймуратович, техника фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Тошкент ахборот технологиялари университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади: кремнийли юқори частотали диод тузилмаларида иссиқлик-техникавий ва ўтиш жараёнларининг хусусиятларини база соҳасининг параметрларига боғлиқ ҳолда аниқлашдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
р-n- ўтишнинг хароратини ўлчашнинг компенсацион усули ва уни амалга ошириш учун қурилма ишлаб чиқилган;
диффузион-эпитаксиал тузилмаларда кузатиладиган кучланишнинг нолдан 5 вольтгача бўлган интервалида сиғимнинг кескин камайиб кетиши р-n- ўтишни олишнинг технологик жараёнида p+ро-i-n+–тузилманинг ҳосил бўлиши билан тушунтирилиб, бу динамик сиғимнинг қопловчи потенциалга боғланишида яққол кўриниши кўрсатилган;
диффузион-эпитаксиал p+ро-i-n+–тузилмада тикланиш вақтининг қопловчи кучланишга боғлиқ равишда камайиши ўтиш жараёнларида ташувчилар кўчишининг ҳам дрейф, ҳам диффузион механизмларининг бир вақтнинг ўзида, базада аралашмаларнинг градиентли тақсимоти ҳосил қилувчи электр майдони туфайли, амалга ошиши билан боғлиқлиги экспериментал равишда топилган;
рро-n–тузилма тикланиш вақтининг экспоненциал ортишини тушунтирувчи механизми таклиф қилинган: бунга кўра база соҳасининг қалинлиги асосий бўлмаган ташувчилар диффузион узунлигидан икки-уч марта катта бўлгани учун тўғри ток йўналишида инжекцияланган кавакларга пропорционал диффузион сиғим пайдо бўлиб, тескари токнинг тикланиш вақтини ортишига олиб келиши аниқланган;
p+ро-i-n+– тузилмада ток ташиш механизми, назарияга мос холда, ток ташувчиларнинг ҳажмий заряд соҳасида генерация ва рекомбинация жараёнлари билан аниқланиши, тескари қаршиликнинг тикланиш вақти эса, базасида аралашмалар тенг тақсимланган тузилмадагига нисбатан беш марта кам қийматга эга бўлиши тасдиқланган;
импульс қувватидан бир хил 17 градус ҳароратга қизиш ҳолати, диффузион p+pо-n+– тузилма учун 0,5 Вт да, эпитаксиал p+pо-n+–тузилма учун 0,8 Вт да ҳамда p+pо-М–тузилма учун 1 Вт да содир бўлиши экспериментал равишда кўрсатилган;
база соҳаси қалинлигини 500 мкм дан 250 мкм гача камайтириш берилган ҳарорат учун ppо-n–диод тузилмасининг берилган ҳарорат учун бардош бериладиган максимал қувватини 30% га ошириш имконини берган;
юқори частотали диодда иссиқлик жараёнларининг ҳисоби ўтказилган бўлиб, у диоднинг ҳар бир қисмида ҳарорат ўзгаришининг таъсир қилаётган импульсга боғлиқ динамикасини аниқлашга, шунингдек ишчи ҳароратининг максимал қийматини башоратлаш мумкинлиги асосланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Кремнийли юқори частотали диод тузилмалардаги иссиқлик ва ўтиш жараёнларининг хусусиятларини база соҳаси параметрлари билан ўзаро боғлиқликда аниқлаш натижалари асосида:
юқори частотали диодларнинг иссиқлик параметрларини аниқлаш бўйича «р-n-ўтишнинг ҳароратини аниқлаш усули ва уни амалга ошириш учун қурилма»га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти олинган (№ IAP 05436 31.07.2017й). Ишлаб чиқилган усул ва қурилмадан фойдаланиш р-n-ўтишнинг ҳароратини юқори аниқликда (±0.1°С) қайд этиш имконини берган;
юқори частотали диодларда иссиқлик жараёнларининг ҳисоби бўйича олинган натижалар «Электристеъмол тармоқларида кучланиш ошишидан радиоэлектрон асбобларни ҳимоялаш қурилмалари – мукаммаллаштирилган электрон модуллар яратишнинг асосли технологиясини ишлаб чиқиш» (2015-2017 йй.) лойиҳасида юқори қувватли диодларда (тешилиш кучланиши 500 Вгача, импульсли тарқатиш қуввати 150 кВтгача) импульсли токларнинг максимал қийматини баҳолаш учун ишлатилган («Новосибирск яримўтказгичли асбоблар заводи» акционерлик жамиятининг 2018 йил 6 апрелдаги 04/401-187-сон маълумотномаси). Илмий натижаларининг қўлланилиши диод структураларининг актив соҳасида ҳароратнинг ўзгариш динамикасини аниқлаш имконини берган.
