Karimov Abduvaxob Abdusattorovichning

falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Yuqori chastotali kremniyli diodlardagi issiqlik-texnikaviy jarayonlarning xususiyatlari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (texnika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.2.PhD/T840.

Ilmiy rahbar: Raxmatov Axmad Zaynidinovich, texnika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01 raqamli ilmiy kengash asosidagi bir martalik ilmiy kengash.

Rasmiy opponentlar: Nasriddinov Sayfillo Saidovich, texnika fanlari doktori, dotsent;  Tagaev Marat Baymuratovich, texnika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.

II.Tadqiqotning maqsadi: kremniyli yuqori chastotali diod tuzilmalarida issiqlik-texnikaviy va o‘tish jarayonlarining xususiyatlarini baza sohasining parametrlariga bog‘liq holda aniqlashdan iborat.

III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

r-n- o‘tishning xaroratini o‘lchashning kompensatsion usuli va uni amalga oshirish uchun qurilma ishlab chiqilgan;

diffuzion-epitaksial tuzilmalarda kuzatiladigan kuchlanishning noldan 5 vol`tgacha bo‘lgan intervalida sig‘imning keskin kamayib ketishi r-n- o‘tishni olishning texnologik jarayonida p⁺r^o-i-n⁺–tuzilmaning hosil bo‘lishi bilan  tushuntirilib, bu dinamik sig‘imning qoplovchi potensialga bog‘lanishida yaqqol ko‘rinishi ko‘rsatilgan; 

diffuzion-epitaksial p⁺r^o-i-n⁺–tuzilmada tiklanish vaqtining qoplovchi kuchlanishga bog‘liq ravishda kamayishi o‘tish jarayonlarida tashuvchilar ko‘chishining ham dreyf, ham diffuzion mexanizmlarining bir vaqtning o‘zida, bazada aralashmalarning gradientli taqsimoti hosil qiluvchi elektr maydoni tufayli, amalga oshishi bilan bog‘liqligi eksperimental ravishda topilgan;

rr^o-n–tuzilma tiklanish vaqtining eksponensial ortishini tushuntiruvchi mexanizmi taklif qilingan: bunga ko‘ra baza sohasining qalinligi asosiy bo‘lmagan tashuvchilar diffuzion uzunligidan ikki-uch marta katta bo‘lgani uchun to‘g‘ri tok yo‘nalishida injeksiyalangan kavaklarga proporsional diffuzion sig‘im paydo bo‘lib, teskari tokning tiklanish vaqtini ortishiga olib kelishi aniqlangan;

p⁺r^o-i-n⁺– tuzilmada tok tashish mexanizmi, nazariyaga mos xolda, tok tashuvchilarning hajmiy zaryad sohasida generatsiya va rekombinatsiya jarayonlari bilan aniqlanishi, teskari qarshilikning tiklanish vaqti esa, bazasida aralashmalar teng taqsimlangan tuzilmadagiga nisbatan besh marta kam qiymatga ega bo‘lishi tasdiqlangan;

impul`s quvvatidan bir xil 17 gradus haroratga qizish holati, diffuzion p⁺p^o-n⁺– tuzilma uchun 0,5 Vt da, epitaksial p⁺p^o-n⁺–tuzilma uchun 0,8 Vt da hamda p⁺p^o-M–tuzilma uchun 1 Vt da sodir bo‘lishi eksperimental ravishda ko‘rsatilgan;

baza sohasi qalinligini 500 mkm dan 250 mkm gacha kamaytirish berilgan harorat uchun pp^o-n–diod tuzilmasining berilgan harorat uchun bardosh beriladigan maksimal quvvatini 30% ga oshirish imkonini bergan;

yuqori chastotali diodda issiqlik jarayonlarining hisobi o‘tkazilgan bo‘lib, u diodning har bir qismida harorat o‘zgarishining ta’sir qilayotgan impul`sga bog‘liq dinamikasini aniqlashga, shuningdek ishchi haroratining maksimal qiymatini bashoratlash mumkinligi asoslangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

Kremniyli yuqori chastotali diod tuzilmalardagi issiqlik va o‘tish jarayonlarining xususiyatlarini baza sohasi parametrlari bilan o‘zaro bog‘liqlikda aniqlash natijalari asosida:

yuqori chastotali diodlarning issiqlik parametrlarini aniqlash bo‘yicha «r-n-o‘tishning haroratini aniqlash usuli va uni amalga oshirish uchun qurilma»ga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiroga patenti olingan (№ IAP 05436 31.07.2017y). Ishlab chiqilgan usul va qurilmadan foydalanish r-n-o‘tishning haroratini yuqori aniqlikda (±0.1^°S) qayd etish imkonini bergan;

yuqori chastotali diodlarda issiqlik jarayonlarining hisobi bo‘yicha olingan natijalar «Elektriste’mol tarmoqlarida kuchlanish oshishidan radioelektron asboblarni himoyalash qurilmalari – mukammallashtirilgan elektron modullar yaratishning asosli texnologiyasini ishlab chiqish» (2015-2017 yy.) loyihasida yuqori quvvatli diodlarda (teshilish kuchlanishi 500 Vgacha, impul`sli tarqatish quvvati 150 kVtgacha) impul`sli toklarning maksimal qiymatini baholash uchun ishlatilgan («Novosibirsk yarimo‘tkazgichli asboblar zavodi» aksionerlik jamiyatining 2018 yil 6 apreldagi 04/401-187-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarining qo‘llanilishi diod strukturalarining aktiv sohasida haroratning o‘zgarish dinamikasini aniqlash imkonini bergan.