Dovranov Quvondiq Turaqulovich
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Ion-plazma usuli bilan monokristall kremniy sirtida nanoo‘lchamli CrSi2, SiO2 plyonkalarini hosil bo‘lishi, tuzilishi, optik va fotoelektrik xossalari”, 01.04.04 - “Fizik elektronika” (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.4.PhD/FM973.
Ilmiy rahbar: Normuradov Muradulla Tog‘aevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qarshi davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Rasmiy opponentlar: Yodgorov Eshmo‘min Jabbarovich, fizika-matematika fanlari doktori,professor; Donaev Sardor Burxonovich, fizika-matematika fanlari doktori,professor.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Kremniy monokristall yuzasida ion-plazma usulida o‘stirilgan xrom disilisid (CrSi2) va kremniy oksid (SiO2) yupqa plyonkalarining hosil bo‘lish qonuniyatlari, ularning kimyoviy tarkibi, elektrofizik, termoelektrik va optik xususiyatlarini takomillashtirishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
    magnetron changlatish qurilmasi (epos-pvd-desk-pro)yordamida qattiq fazali “ion-plazma” usuli bilan yuqori vakuumda (10-5 torr)nanoo‘lchamdagi CrSi2 polikristall plyonkalarini hosil qilinishi aniqlangan;
    xrom silisid plyonkalarini kristallanish haroratining boshlang‘ich amorf fazalar tarkibiga bog‘liqligi aniqlanib, polikristall CrSi2 plyonkalari hosil bo‘lishi uchun optimal temperatura 750 K ekanligi asoslangan;
    IQ tadqiqot natijalariga ko‘ra, to‘lqin soni 869,9 sm−1pik Si-Cr-Si valent molekulyar tebranishlarga mos kelishi, 1977 sm−1 ga teng bo‘lgan pik Si ≡ Cr ≡ Si uchlangan bog‘lanishlar tebranishlariga mos kelishi, 717,52 sm−1pik esa Cr-Si assimetrik deformatsion tebranishlariga mos ekanligi aniqlangan;
ion-plazma usuli yordamida hosil qilingan CrSi2 yupqa plyonkasi uchun termoelektrik kattaliklar: issiqlik kengayish koeffisienti (11,23·10-6 K-1), solishtirma qarshilik (0,82 mΩ·sm), Zeebek koeffisienti (67 mkV/K), quvvat omili (5,5 mVt/sm·K2) va termoelektrik ko‘rsatkichi(zT≈0,071) o‘lchangani asoslangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Si monokristall sirtida xrom disilisid yupqa qatlamli strukturalarining shakllanishi, ularning elektrofizik va optik xususiyatlarini tadqiq qilish natijalari asosida:
magnetron changlatish qurilmasi (epos-pvd-desk-pro) yordamida qattiq fazali “ion-plazma” usuli bilan yuqori vakuumda (10-5 torr) nanoo‘lchamdagi CrSi2 polikristall plyonkalarini hosil qilinishi aniqlanganiga doir xulosalaridan «O‘zeltexsanoat» uyushmasining “Foton” AJ ishlab chiqarish korxonasida foydalanilgan (“Foton” aksiyadorlik jamiyatining 2023-yil 18 dekabrdagi № 241-son ma’lumotnomasi). Natijada kremniy monokristall yuzasida nanoo‘lchamli xrom disilisid yupqa plyonkalarining optik, termoelektrik va elektrofizik parametrlarini aniqlash  imkonini bergan;
IQ tadqiqot natijalariga ko‘ra, to‘lqin soni 869,9 sm−1 pik Si-Cr-Si valent molekulyar tebranishlarga mos kelishi, 1977 sm−1 ga teng bo‘lgan pik Si ≡ Cr ≡ Si uchlangan bog‘lanishlar tebranishlariga kelishi, 717,52 sm−1 pik esa Cr-Si assimetrik deformatsion tebranishlariga mos ekanligi tasdiqlanganiga doir xulosalaridan Qarshi muhandislik iqtisodiyot institutining “Fizika va elektronika” kafedrasida o‘qitiladigan “Nanoelektronika” fanining o‘qitishda va talabalarning bitiruv malakaviy ishlarida foydalanilgan (QarMII rektorining 2024-yil 27-yanvardagi №6 - sonli dalolatnomasi). Natijada “Fizika va elektronika” kafedrasida o‘qitiladigan “Nanoelektronika” fanining o‘qitishda va talabalarning bitiruv malakaviy ishlarinibajarishda mukammallashtirish imkonini bergan.