Довранов Қувондиқ Турақулович
фалсафа доктори (ПҳД) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ион-плазма усули билан монокристалл кремний сиртида наноўлчамли CрСи2, СиО2 плёнкаларини ҳосил бўлиши, тузилиши, оптик ва фотоелектрик хоссалари”, 01.04.04 - “Физик электроника” (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: Б2023.4.PhD/FM973.
Илмий раҳбар: Нормурадов Мурадулла Тоғаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Қарши давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Расмий оппонентлар: Ёдгоров Эшмўмин Жаббарович, физика-математика фанлари доктори,профессор; Донаев Сардор Бурхонович, физика-математика фанлари доктори,профессор.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Кремний монокристалл юзасида ион-плазма усулида ўстирилган хром дисилицид (CрСи2) ва кремний оксид (СиО2) юпқа плёнкаларининг ҳосил бўлиш қонуниятлари, уларнинг кимёвий таркиби, электрофизик, термоелектрик ва оптик хусусиятларини такомиллаштиришдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
    магнетрон чанглатиш қурилмаси (эпос-пвд-деск-про)ёрдамида қаттиқ фазали “ион-плазма” усули билан юқори вакуумда (10-5 торр)наноўлчамдаги CрСи2 поликристалл плёнкаларини ҳосил қилиниши аниқланган;
    хром силицид плёнкаларини кристалланиш ҳароратининг бошланғич аморф фазалар таркибига боғлиқлиги аниқланиб, поликристалл CрСи2 плёнкалари ҳосил бўлиши учун оптимал температура 750 К эканлиги асосланган;
    ИҚ тадқиқот натижаларига кўра, тўлқин сони 869,9 см−1пик Си-Cр-Си валент молекуляр тебранишларга мос келиши, 1977 см−1 га тенг бўлган пик Си ≡ Cр ≡ Си учланган боғланишлар тебранишларига мос келиши, 717,52 см−1пик эса Cр-Си ассиметрик деформацион тебранишларига мос эканлиги аниқланган;
ион-плазма усули ёрдамида ҳосил қилинган CрСи2 юпқа плёнкаси учун термоелектрик катталиклар: иссиқлик кенгайиш коеффициенти (11,23·10-6 К-1), солиштирма қаршилик (0,82 мΩ·см), Зеебек коеффициенти (67 мкВ/К), қувват омили (5,5 мВт/см·К2) ва термоелектрик кўрсаткичи(зТ≈0,071) ўлчангани асосланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Си монокристалл сиртида хром дисилицид юпқа қатламли структураларининг шаклланиши, уларнинг электрофизик ва оптик хусусиятларини тадқиқ қилиш натижалари асосида:
магнетрон чанглатиш қурилмаси (эпос-пвд-деск-про) ёрдамида қаттиқ фазали “ион-плазма” усули билан юқори вакуумда (10-5 торр) наноўлчамдаги CрСи2 поликристалл плёнкаларини ҳосил қилиниши аниқланганига доир хулосаларидан «Ўзелтехсаноат» уюшмасининг “Фотон” АЖ ишлаб чиқариш корхонасида фойдаланилган (“Фотон” акциядорлик жамиятининг 2023-йил 18 декабрдаги № 241-сон маълумотномаси). Натижада кремний монокристалл юзасида наноўлчамли хром дисилицид юпқа плёнкаларининг оптик, термоелектрик ва электрофизик параметрларини аниқлаш  имконини берган;
ИҚ тадқиқот натижаларига кўра, тўлқин сони 869,9 см−1 пик Си-Cр-Си валент молекуляр тебранишларга мос келиши, 1977 см−1 га тенг бўлган пик Си ≡ Cр ≡ Си учланган боғланишлар тебранишларига келиши, 717,52 см−1 пик эса Cр-Си ассиметрик деформацион тебранишларига мос эканлиги тасдиқланганига доир хулосаларидан Қарши муҳандислик иқтисодиёт институтининг “Физика ва электроника” кафедрасида ўқитиладиган “Наноелектроника” фанининг ўқитишда ва талабаларнинг битирув малакавий ишларида фойдаланилган (ҚарМИИ ректорининг 2024-йил 27-январдаги №6 - сонли далолатномаси). Натижада “Физика ва электроника” кафедрасида ўқитиладиган “Наноелектроника” фанининг ўқитишда ва талабаларнинг битирув малакавий ишларинибажаришда мукаммаллаштириш имконини берган.