Абдувайитов Акбаржон Абдумажидовичнинг
докторлик (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

l Умумий маълумотлар.
Диссертация  мавзуси,  ихтисослик  шифри  (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Турли табиатли материаллар асосида кўп қатламли наноструктуралар олиш, уларни электрон ва оптик хоссаларини ўрганиш”, 01.04.04 - Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: B2023.4.DSc/FM241.
Илмий маслаҳатчи: Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика  фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.  
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ҳузуридаги DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 рақамли Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар:
Усманов Дилшадбек Турсунбаевич, физ.-мат. фанлари доктори, профессор;
Кремков Михаил Виталевич, физ.-мат. фанлари доктори, профессор;
Ташатов Алланазар Каршиевич, физ.-мат. фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номли Ўзбекистон Миллий университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Диссертация ишининг мақсади  Ти, CдТе, CдФ2, CаФ2 асосидаги кўп қатламли тизимларни олиш ва шаклланиш қонуниятларини ўрганиш, ҳамда атомларни адсорбсия ва газ, металл ионларини имплантасия қилиб, уларнинг электрон ва оптик хусусиятларининг ўзгариш механизмларини ёритиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
- Поликристалл Ти намунасига О2+ ионларини имплантацияси ва кейинги қиздириш натижасида олинган қалинлиги 25-30 Å бўлган ТиО2 плёнкасининг валент электронлар зонасининг зичлиги ва  энергетик зона параметрлари аниқланди.
- биринчи марта CдТе намунасига энергияси 10 дан 40 кеВ гача бўлган фаол металл ионларининг максимал кириб бориш чуқурлиги ва уларнинг тақсимланиш профиллари экспериментда аниқланди. Олинган натижалар назарий ҳисобланган маълумотлар билан таққосланди.
- CдТе плёнкасига кичик энергияли (Э0 ≤5кеВ) Мг+ ва О2+ ионларини имплантацияси, кейинги қиздириш таъсири натижасида уларнинг электрон структурасининг  ўзгаришларини асосий механизмларини изоҳлаш ва уч компонентли CдМгТе/CдТе ва CдТеО3/CдТе плёнкаларининг асосий шаклланиш  қонуниятларини ўрганилди.
- биринчи марта МНЕ плёнкалари CаФ2 ва CдФ2 юзасини электрон ва Ар+ ионлари билан бомбардимон қилишда уларнинг юзасини морфологияси, таркиби ва физик хусусиятларига таъсири ўрганилди. Cд/CдФ2/Си ва Cа/CаФ2/Си типидаги уч қатламли тизимларни олишнинг оптимал шартлари аниқланди.
- биринчи марта CдФ2 плёнкасига Мг+ ионларини имплантацияси ва кейинги қиздириш орқали Cд1-хМгхФ2 наноплёнкаси олинди. Мг+ нинг турли хил таркибига эга бўлган CдМгФ2 нинг электрон ҳолатларининг зичлиги ва энергетик зона параметрлари аниқланди.
- биринчи марта уч қатламли Ни-ГаП-СнО2 тизимининг таркибидаги киришма атомлар ва уларнинг чуқурлик бўйича тақсимоти аниқланди. Металл-ярим ўтказгич чегарасида кислород атомларини мавжудлиги никел контактининг қисман оксидланишига олиб келади ва шунга мос равишда унинг қаршилигини ортиши кўрсатилди.
- Ни–CдС-СнО2 тизимининг чегарасида асосий ва киришма атомларнинг тарқалиш тақсимоти ўрганилди. CдС юзасида мавжуд бўлган киришма атомлари металл плёнкасига диффузия орқали тарқалиши кўрсатилди. CдС таркибидаги назорат қилиб бўлмайдиган киришма атомларининг Ни га кириб бориш чуқурлиги ~300–400 нм эканлиги аниқланди. Хусусан, контакт соҳасида кислород консентрацияси 8-10 ат.% гача ортиши, бу НиО ва НиО2 типидаги бирикмалар ҳосил бўлишига олиб келади.
- Ал-Си тизими чегарасида назорат қилиб бўлмайдиган кремнийдаги киришма атомларининг алюминийга кириб бориш чуқурлиги ~300–400 нм эканлиги аниқланди.
- биринчи марта, CдС плёнкасини Ар+ ионлари билан бомбардимон қилиш орқали, унинг юзасида ултра юпқа контактларни олиш имконини бериши кўрсатилди.
IV.Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Турли табиатли материаллар асосида кўп қатлами наноструктуралар олиш, уларни электрон ва оптик хоссаларини ўрганишда олинган илмий натижалар асосида:
турли табиатдаги материаллар асосида кўп қатламли наноструктураларни олиш ва уларнинг таркиби, электрон ва оптик хоссаларини ўрганишни ҳисобга олиш Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университетида бажарилган ОТ-Ф2-063-сонли “Ион лигерлаш усулида олинган қийин эрувчи материаллар асосидаги қотишмаларнинг электрон структуралари шаклланиши механизмини тадқиқ қилиш” фундаментал лойиҳада фойдаланилган. (Ўзбекистон Миллий университети ректорининг 2024-йил 8-майдаги 01/11-4108-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Оже электрон спектроскопияси усули ёрдамида олинган турли табиатдаги материаллар таркибидаги киришма атомларининг чуқурлик бўйича тақсимланишини, электрон ва оптик хоссаларини аниқлаш имконини берган.
яримўтказгичлар асосидаги кўп қатламли МДЯ ва ЯДЯ гетероструктураларини олиш ва уларнинг элементар таркибини ўрганиш натижаларини баҳолаш Тошкент давлат техника университетида амалга оширилган Давлат илмий-техника дастуридаги КА-4-001 рақамли “Кремний асосида кўпқатламли наноўлчамли МДЯ ва ЯДЯ гетероструктуралар олиш технологиясини яратиш” лойиҳасини бажаришда фойдаланилган. (ТошДТУ ректорининг 2024 йил 26 мартдаги 01/9–14-372-сонли маълумотномаси). Тадқиқот натижаларидан фойдаланиш МДЯ ва ЯДЯ гетероструктураларини шакллантиришнинг оптимал режимларини олиш имконини берган.
яримўтказгичли материалларга Ба, О, Ни каби киришма атомларини киритиб ёруғликни кенг энергия диапазони ютувчи материаллар олиш усули, “Ўзелтехсаноат” АКнинг “Фотон” АЖда киришма атомлар билан лигерланган CдТе, CдС, ГаП, Си асосида ёруғликка сезгирлиги юқори бўлган материаллар олишда қўлланилган. (Ўзелтехсаноат АКнинг 2024 йил 01 апрелдаги №04-3/431 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларни амалиётда қўллаш, намуна датчикларининг электрофизик параметрларини яхшилаш, яримўтказгичлар сиртида металл контактларининг адгезиясини ошириш имконини берган.