Хашаев Муслим Мусагитовичнинг

фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «A^IIIB^V кенг зонали яримўтказгичларда бўш жой ва киритмаларнинг ўз ҳолича шаклланиш жараёнларининг ривожланиш механизми», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.PhD/FM41.

Илмий раҳбар: Лейдерман Ада Юльевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика-техника институти.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.

Расмий оппонентлар: Расулов Рустам Явкачович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Арипов Хайрулла Кабулович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.

Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: A^IIIB^V турдаги яримўтказгичларда эркин вакансия ва киритмаларнинг ўз ҳолича шаклланиш жараёнларининг ривожланиш механизми ҳамда улар асосида яратилган тузилмалардаги инжекция ҳодисаларини аниқлашдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

n-тип ўтказувчанликка эга бўлган А^IIIB^Vтипдаги яримўтказгичлардаги номувозанат ток ташувчиларнинг саёз донор ва бўш жой типидаги икки сатҳли мураккаб рекомбинация комплекслари орқали содир бўладиган рекомбинацияси тезлиги ҳисоблаб топилган;

n-тип ўтказувчанликка эга бўлган А^IIIB^Vтипдаги яримўтказгичлардаги номувозанат ток ташувчиларнинг яшаш вақти оддий рекомбинация марказлари, эркин бўш жойлари, саёз донор ва бўш жой типидаги комплекслар орқали кечадиган рекомбинация жараёнларида қўзғатиш даражасига боғлиқ ҳолда ортиши аниқланган; 

бир жинсли n-тип ўтказувчанликка эга бўлган A^IIIB^V типдаги яримўтказгичларда бир жинсли қиздириш таъсирида синергетик ток ва кучланиш юзага келишига олиб келувчи бўш жойларнинг ва саёз сатҳли донорларнинг ўз ҳолича шаклланиши назарий жиҳатдан башорат қилинган ҳамда GaAs<Te>, GaAs<Sn>, InP<Te>, InSb<Te> яримўтказгичларда тажрибада тасдиқланган;

рекомбинация марказлари даврий жойлашган яримўтказгичларда ток характеристикаларини ҳисоблашда диффузион-дрейфли ва инжекцияли-диффузия режимларида ҳосил бўлувчи даврий қўшимчаларни хисобга олиш кераклиги кўрсатилган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.

A^IIIB^V кенг зонали яримўтказгичларда бўш жой ва киришмаларнинг ўз ҳолича шаклланиш жараёнларининг ривожланиш механизми асосида:

синергетик ток ва кучланишлар ҳосил бўлишига олиб келувчи саёз донор ва бўш жой комплексларининг бир жинсли қиздириш таъсирида ажралиши ва кейинги ўз ҳолича тартибли тузилишининг ишлаб чиқилган модели Ф-2-37 рақамли «Яримўтказгичларда нуқсонлар ҳосил бўлишининг лазерли индуцирланган ночизиқли жараёнларининг хусусиятлари» (2012-2016 й.й.) фундаментал лойиҳасида инжекцияли фотоқабуллагичлар ва фотодиодларни назорат қилишнинг ва эксплуатация вақтида ишончлилигини башорат қилишнинг тезкор услубини ишлаб чиқишда фойдаланилган (Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 22 декабрдаги ФТА-02-11/1345-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш яримўтказгичларда нуқсонларнинг содир бўлиш жараёнида иссиқлик ва лазерли индуцирлаш таъсирларининг бир хил эканлигини очиб беришга имкон берган; 

p-n-тузилмаларда ток ўтиш жараёнларига рекомбинация марказлари концентра-цияси ўзгаришининг таъсири «FOTON» акциядорлик жамиятида яримўтказгичли кристаллар ва яримўтказгичли асбоблар ишлаб чиқаришда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2018 йил 4 майдаги 02-1035-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўллашланиши инжекцияли-диффузия ва диффузияли-дрейф режимларида ишловчи p-n-тузилмаларнинг ток характеристкаларини яхшилаш имконини берган.