Xomidov Abdullajon Qambarali o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «CdS, ZnS, CdTe asosidagi yarimo‘tkazgichli avtonom geliooptoelektron asboblarni ishlab chiqishni takomillashtirish» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.3.PhD/T1772, B2021.4.PhD/T1772
Ilmiy rahbar: Kasimaxunova Anarxan Mamasadiqovna, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Farg‘ona politexnika instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muhandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Azamatov Zakirjon Taxirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor,
Nabiev Mahmud Bazarovich, texnika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: quyosh radiatsiyasi tabiiy oqimining issiqlik va yorug‘lik ta’siri negizida ishlaydigan geliooptoelektron qurilma va asboblar yasashning ilmiy-texnikaviy asoslarini ishlab chiqish. Quyosh yorug‘ligini, kuchli elektr potensialiga (elektr maydonga) aylantiradigan optoelektron qurilma yaratish. Bu qurilmadan toza ichimlik suvi olishda va o‘ta tezkor jarayonlarni qayd qilish va boshqarish tizimida foydalanish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor, Yarimo‘tkazgich xalkogenidlaridan (CdS, ZnS va CdTe) vakuumda termik bug‘latish yo‘li bilan bir jinsli bo‘lmagan fotovoltaik yupqa pardalar olish texnikasi va texnologiyasi yaratilgan;
xalkogenid yupqa pardalarida, o‘ta ko‘p qatlamli mikro p-n – tuzilmalar hamda ularning p-n – o‘tishlar orasida o‘zaro zaryad tashuvchilar almashunuvi “Tranzistor effekti” usulida qo'shni tomon bilan zaryad almashmasligi aniqlangan;
vakuum sharoitida xar hil uchuvchanlikka ega bo‘lgan molekulalardan (atomlardan) tashkil topgan xalkogenid CdS, ZnS, CdTe yarimo‘tkazgich birikmalaridan yupqa pardali generator, n-tipidagi foto qabul qilgichlar (AFK-element) plonkalari vakumda bug‘lantirib o‘stirilgan;
quyosh radiatsiyasining issiqlik va yorug‘lik ta’siridan bir vaqtda issiqlik va elektr potensiali (maydoni) optoelektron qurilma hamda quyosh issiqligi va elektrining xususiyatlaridan foydalanib quyosh suv tozalash qurilmasi ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. CdS, ZnS, CdTe asosidagi yarimo‘tkazgichli avtonom geliooptoelektron asboblarni ishlab chiqishni takomillashtirish asosida:
yuqori kuchlanishlar (1 kV gacha) olish imkonini beruvchi yarimo‘tkazgichli optoelektron qurilmasidan yuqori kuchlanishli cheklovchi diodlarni teshilish xarakteristikalarini tadqiq etish uchun avtonom generatori sifatida yuqori kuchlanishli cheklovchi diodlarni teshilish kuchlanishlarini impuls rejimida aniqlash va ularga tashqi omillar ta’sirini baholash imkonini bergan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi 2023 yil 15 sentyabrdagi № 2/1255-1943 sonli ma’lumotnomasi). Natijada fotoelektrik tuzilmalar konstruksiyalaridagi fotonlar yutilishi, asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar fotogeneratsiyasi va ko‘chishining fizik jarayonlarini tadqiq qilish imkonini yaratib bergan;
yarimo‘tkazgich xalkogenidlaridan (CdS, ZnS va CdTe) vakuumda termik bug‘latish yo‘li bilan birjinsli bo‘lmagan fotovoltaik (AFK-element) yupqa pardalar olish texnikasi va texnologiyasi takomillashtirishganligi, yarimo‘tkazgich CdS, ZnS va CdTe yupqa fotovoltaik pardalar vositasida ixcham, samarador optoelektron qurilmalar yaratishning ilmiy asoslangan tavsiyalari ishlab chiqilganligi, quyosh radiatsiyasining issiqlik va yorug‘lik ta’siridan bir vaqtda foydalanib ishlaydigan, issiqlik va elektr potensiali (maydoni) vositasida turli molekulyar oqimlarni saralaydigan optoelektron qurilma yaratish texnologiyasi ishlab chiqilganligi “FOTON” AJ da joriy etilgan. Olingan ilmiy natijalar xorijiy analog darajasida solishtirish mumkinligi aniqlangan (Uzeltexsanoatning 2022 yil 23 dekabrdagi №04-3/2701 sonli ma’lumotnomasi). Natijada metall nanozarrachalar kiritish orqali fotoelektrik qurilmalarning samaradorligini oshirish imkoniyati yaratilgan.
