Хомидов Абдуллажон Қамбарали ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «CдС, ЗнС, CдТе асосидаги яримўтказгичли автоном гелиооптоелектрон асбобларни ишлаб чиқишни такомиллаштириш» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2020.3.PhD/Т1772, B2021.4.PhD/Т1772
Илмий раҳбар: Касимахунова Анархан Мамасадиқовна, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Фарғона политехника институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Азаматов Закиржон Тахирович, физика-математика фанлари доктори, профессор,
Набиев Маҳмуд Базарович, техника фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: қуёш радиацияси табиий оқимининг иссиқлик ва ёруғлик таъсири негизида ишлайдиган гелиооптоелектрон қурилма ва асбоблар ясашнинг илмий-техникавий асосларини ишлаб чиқиш. Қуёш ёруғлигини, кучли электр потенсиалига (электр майдонга) айлантирадиган оптоелектрон қурилма яратиш. Бу қурилмадан тоза ичимлик суви олишда ва ўта тезкор жараёнларни қайд қилиш ва бошқариш тизимида фойдаланиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор, Яримўтказгич халкогенидларидан (CдС, ЗнС ва CдТе) вакуумда термик буғлатиш йўли билан бир жинсли бўлмаган фотоволтаик юпқа пардалар олиш техникаси ва технологияси яратилган;
халкогенид юпқа пардаларида, ўта кўп қатламли микро п-н – тузилмалар ҳамда уларнинг п-н – ўтишлар орасида ўзаро заряд ташувчилар алмашунуви “Транзистор эффекти” усулида қо'шни томон билан заряд алмашмаслиги аниқланган;
вакуум шароитида хар ҳил учувчанликка эга бўлган молекулалардан (атомлардан) ташкил топган халкогенид CдС, ЗнС, CдТе яримўтказгич бирикмаларидан юпқа пардали генератор, н-типидаги фото қабул қилгичлар (АФК-элемент) плонкалари вакумда буғлантириб ўстирилган;
қуёш радиациясининг иссиқлик ва ёруғлик таъсиридан бир вақтда иссиқлик ва электр потенсиали (майдони) оптоелектрон қурилма ҳамда қуёш иссиқлиги ва электрининг хусусиятларидан фойдаланиб қуёш сув тозалаш қурилмаси ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. CдС, ЗнС, CдТе асосидаги яримўтказгичли автоном гелиооптоелектрон асбобларни ишлаб чиқишни такомиллаштириш асосида:
юқори кучланишлар (1 кВ гача) олиш имконини берувчи яримўтказгичли оптоелектрон қурилмасидан юқори кучланишли чекловчи диодларни тешилиш характеристикаларини тадқиқ этиш учун автоном генератори сифатида юқори кучланишли чекловчи диодларни тешилиш кучланишларини импулс режимида аниқлаш ва уларга ташқи омиллар таъсирини баҳолаш имконини берган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси 2023 йил 15 сентябрдаги № 2/1255-1943 сонли маълумотномаси). Натижада фотоелектрик тузилмалар конструкцияларидаги фотонлар ютилиши, асосий бўлмаган заряд ташувчилар фотогенерацияси ва кўчишининг физик жараёнларини тадқиқ қилиш имконини яратиб берган;
яримўтказгич халкогенидларидан (CдС, ЗнС ва CдТе) вакуумда термик буғлатиш йўли билан биржинсли бўлмаган фотоволтаик (АФК-элемент) юпқа пардалар олиш техникаси ва технологияси такомиллаштиришганлиги, яримўтказгич CдС, ЗнС ва CдТе юпқа фотоволтаик пардалар воситасида ихчам, самарадор оптоелектрон қурилмалар яратишнинг илмий асосланган тавсиялари ишлаб чиқилганлиги, қуёш радиациясининг иссиқлик ва ёруғлик таъсиридан бир вақтда фойдаланиб ишлайдиган, иссиқлик ва электр потенсиали (майдони) воситасида турли молекуляр оқимларни саралайдиган оптоелектрон қурилма яратиш технологияси ишлаб чиқилганлиги “ФОТОН” АЖ да жорий этилган. Олинган илмий натижалар хорижий аналог даражасида солиштириш мумкинлиги аниқланган (Узелтехсаноатнинг 2022 йил 23 декабрдаги №04-3/2701 сонли маълумотномаси). Натижада металл нанозаррачалар киритиш орқали фотоелектрик қурилмаларнинг самарадорлигини ошириш имконияти яратилган.
