Раззоков Алижон Шоназаровичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармогʼи номи): “Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x қаттиқ қоришмаларни суюқланма эритмадан олишнинг физик-кимёвий хусусиятлари ва уларнинг структуравий хоссалари”, 01.04.10 – «Яримъотказгичлар физикаси».
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2023.2.DSc/FM221.
Илмий маслаҳатчи: Саидов Амин Сафарбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор, бош илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч давлат университети ва Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Физика-техника институти, DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01.
Расмий оппонентлар: Оксенгеллер Борис Леонидович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Нуритдинов Иззатулла, физика-математика фанлари доктори, профессор; Каражанов Смагул Жангабергенович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Бердақ номидаги Қорақалпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x монокристалл қаттиқ қоришмаларининг мавжудлигини назарий ва экспериментал асослаш, эпитаксиал плёнкаларнинг ўсиш механизмларининг физик-кимёвий хусусиятларини тушунтириш, уларнинг тузилишини ва фотоелектрик хоссаларини тадқиқ қилиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кўп электронли атомларнинг статистик умумлашган моментининг қийматлари назарий жиҳатдан ҳисоблаб чиқилди ва қаттиқ қоришмаларни ҳосил қилувчи кимёвий бирикмаларнинг энг эҳтимолий элемент жуфтликлари аниқланган;
Си тагликларга Си1-х-йГехСнй, (Си1-хГех)1-з(Ал1-йГаяс)з, ва ГаАс тагликларга
(Сн2)1-х-й(ГаАс)х(ЗнСе)й, (Ге2)1-х-й(ГаАс)х(ЗнСе)й Ге1-хСнх қаттиқ қоришмалар эпитаксиал қатламларини ўстиришнинг шарт-шароитлари ҳамда улар асосидаги гетероструктураларнинг фотоелектрик хоссалари аниқланган;
эритма тизимининг Гиббс энергиясини ҳисоблаш ёрдамида мукаммал кристалл структурали Си (1173 К), Ге (923 К), Си1-хГех (1135 К), Ге1-хСнх (800 К)эпитаксиал қатламларини Си, Ге тагликларга қалайли эритмадан ўстириш жараёнининг термодинамик шароитлари кўрсатилган;
Син, Ген, СинГем, ГанПн нанокластерлари ҳосил боʻлишининг квант кимёвий ҳисоблаш натижалари ва уларнинг Си1-хГех, (Си2)1-х(ГаП)х қаттиқ қоришмалар оʻсишида иштирок этиб, қоришма кристалл тузилишига таъсири этиши кўрсатилган;
Си кристалл панжарасида Ге атомларининг катта эҳтимоллик билан Ге, Ге2, Ге5 кўринишида, Ге кристалл панжарасида Си атомларининг катта эҳтимоллик билан Си, Си5 кўринишида, ГаП кристалл панжарасида Си2 кўринишида жойлашиши аниқланган;
таглик-плёнка чегарасида дислокациялар ҳосил бўлиш механизми келтирилган; тизим компонентлари нанокластерлари ўлчамларининг ҳароратга бог'лиқлиги назарий ва экспериментал жиҳатдан асосланган; юқори ҳарорат ва шунга мос равишда эритмада катта ҳажмли нанокластерларнинг мавжуд бўлиши, ҳосил бўлаётган кристаллдаги дислокация зичлигининг ошишига олиб келиши исботланган (Си учун 1323 К да б = 5,47 нм ва 1073 К да б = 3,46 нм; Ге учун 1173 К да б = 6,7 нм ва 800 К да б = 1 нм);
Си-Си1-хГех-ГаАс плёнкаларини суюқ фазадан ўстириш жараёнида ҳосил бўладиган дислокация зичлиги кристалланиш ҳароратининг бошланғич қийматига боғлиқлиги назарий ва экспериментал тарзда аниқланган; бошланғич кристалланиш ҳароратининг 1073 К дан 1323 К гача ўсишида таглик-плёнка чегарасидаги дислокациялар зичлиги 9.6·104 см-2 дан 8.2·105 см-2 гача ортиши кўрсатилган ва дислокациялар зичлигининг плёнка қалинлигига эхпоненсиал боғлиқлиги аналитик исботланган;
мукаммал тузилишли эпитаксиал қатламларни олиш учун тагликлар орасидаги масофани критик қийматидан оширмаслик ёки суюқ эритманинг совутиш тезлигини камайтириш кераклиги исботланган;
илк бор ягона технологик жараёнда буфер қатлами ёрдамида Си- Си1-хГех - Си1-х-йГех Снй, Си - Си1-хГех -(Си1-хГех)1-з(Ал1-йГаяс)з - Си1-хГех - (Си1-хГех)1-з(Ал1-йГаяс)з, Си-Си1-хГех-ГаАс структуралар Си тагликка ўстирилган.Функционал структураларнинг юқори мукаммаллиги плёнкаларнинг кимёвий таркибининг уларнинг ўсиш йўналиши бўйича силлиқ ўзгариши туфайли таглик-плёнка панжара параметрларидаги фарқ камайиб бориши орқали та'минланиши аниқланган;
суюқ фазадан қаттиқ қоришма ўстиришда, ион бомбардимони моделлаштириш усули билан Си, Ге, ГаАс, ГаП тагликлари учун нишон параметрлари қийматлари аниқланиб, кристалл-мукаммал эпитаксиал қатламларни ўстириш имконияти назарий ҳисоблашлар асосида иботланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x қаттиқ қоришмаларни суюқланма эритмадан олишнинг физик-кимёвий хусусиятлари ва уларнинг структуравий хоссалари бўйича олинган илмий натижалар асосида:
“(ГаАс)1-х-й(Ге2)х(ЗнСе)й” қаттиқ қоришмасининг эпитаксиал қатламларини олиш усули” патенти (Патент. №ИАП 02652, 29.04.2005) олинган;
Чоп қилинган илмий ишлар рўйхатидаги 2 та мақолага 7 та хорижий мақолада муаллифлар томонидан иқтибослар келтирилган. Жумладан, А.С.Саидов, А.Ш.Раззаков, В.А.Рисаева, Э.А.Косчанов. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x //Materials chemistry and physics. – 2001. – Vol. 68. – P. 1-6.(Scopus IF: 2.072) мақолага 3 та иқтибос (Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 59(5), 670-673, 2023. IF:1.6; Herald of the Bauman Moscow State Technical University, Series Natural Sciences, (4), 58-72, 2020. IF: 1.1; Journal of Analytical Atomic Spectrometry, 16(10), 1217-1237, 2001. IF: 6.4); ва А.С.Саидов, А.Ш.Раззаков, Э.А.Кошчанов. Лиқуид пҳасе эпитахй оф Ге1−хСнх семиcондуcтор филмс //Течниcал Пҳйсиcс Леттерс. – 2001. – Вол. 27. – П. 698-700.(Сcопус ИФ:1.7) мақолага 4 та иқтибос (Optical Materials Express, 3(9), 1385-1396, 2013. IF: 5.9; Journal of Applied Physics, 109(10), 103115, 2011, IF: 5.1; Handbook of Crystal Growth: Thin Films and Epitaxy: Second Edition 3, 225-316, 2015 (Texas universitetining kutubxonasi katalogida, QD 921 H32 2015). Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, 109-178, 2007 (AQSh Kongress kutubxonasi, TK7871 .L57 2007) келтирилган;
Эритма тизимининг Гиббс энергиясини назарий ҳисоблаш натижалари, эпитаксиал қатламлар ўсишининг тавсия этилган механизми, юқори тагликларда ўстирилган плёнкалар қалинлигининг каттароқ бўлиш сабабларининг Рейлеигҳ-Тейлор нотурғунлиги ҳодисаси ёрдамида тушунтирилишлари №ДР0121У113046 “Турли морфологиядаги нанозаррачалар ва улар асосидаги композитларнинг кимёвий, иссиқлик ва плазма хоссаларини ўрганиш” фундаментал тадқиқот лойиҳасини амалга оширишда фойдаланилган (“Запороже политехника” Миллий университетининг 2023 йил 06 июндаги (Украина) № 67/01/1586- сонли маълумотномаси));
Эритмада кристаллар ҳосил бўлишида иштирок этувчи нанозаррачаларнинг экспериментал аниқланган ўлчами ва кристалланиш жараёни учун келтирилган нанозаррачалар ҳосил бўлиши механизми, шунингдек, улар радиусларининг (заррачаларнинг критик радиуси) ҳароратга боғлиқлиги “Urganchkormmash” АЖ да ишлаб чиқаришдаги, эритмада кристалл ядроларнинг нано ўлчамдаги кристаллар ҳосил бўлишига олиб келадиган физик ҳодисаларини тушунтиришда қўлланилган.
