Razzokov Alijon Shonazarovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmogʼi nomi): “Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari”, 01.04.10 – «Yarim’otkazgichlar fizikasi».
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.2.DSc/FM221.
Ilmiy maslahatchi: Saidov Amin Safarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor, bosh ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch davlat universiteti va O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Fizika-texnika instituti, DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01.
Rasmiy opponentlar: Oksengeller Boris Leonidovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Nuritdinov Izzatulla, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Karajanov Smagul Jangabergenovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Berdaq nomidagi Qoraqalpoq davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x monokristall qattiq qorishmalarining mavjudligini nazariy va eksperimental asoslash, epitaksial plyonkalarning o‘sish mexanizmlarining fizik-kimyoviy xususiyatlarini tushuntirish, ularning tuzilishini va fotoelektrik xossalarini tadqiq qilish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ko‘p elektronli atomlarning statistik umumlashgan momentining qiymatlari nazariy jihatdan hisoblab chiqildi va qattiq qorishmalarni hosil qiluvchi kimyoviy birikmalarning eng ehtimoliy element juftliklari aniqlangan;
Si tagliklarga Si1-x-yGexSny, (Si1-xGex)1-z(Al1-yGayas)z, va GaAs tagliklarga
(Sn2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y Ge1-xSnx qattiq qorishmalar epitaksial qatlamlarini o‘stirishning shart-sharoitlari hamda ular asosidagi geterostrukturalarning fotoelektrik xossalari aniqlangan;
eritma tizimining Gibbs energiyasini hisoblash yordamida mukammal kristall strukturali Si (1173 K), Ge (923 K), Si1-xGex (1135 K), Ge1-xSnx (800 K)epitaksial qatlamlarini Si, Ge tagliklarga qalayli eritmadan o‘stirish jarayonining termodinamik sharoitlari ko‘rsatilgan;
Sin, Gen, SinGem, GanPn nanoklasterlari hosil boʻlishining kvant kimyoviy hisoblash natijalari va ularning Si1-xGex, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalar oʻsishida ishtirok etib, qorishma kristall tuzilishiga ta’siri etishi ko‘rsatilgan;
Si kristall panjarasida Ge atomlarining katta ehtimollik bilan Ge, Ge2, Ge5 ko‘rinishida, Ge kristall panjarasida Si atomlarining katta ehtimollik bilan Si, Si5 ko‘rinishida, GaP kristall panjarasida Si2 ko‘rinishida joylashishi aniqlangan;
taglik-plyonka chegarasida dislokatsiyalar hosil bo‘lish mexanizmi keltirilgan; tizim komponentlari nanoklasterlari o‘lchamlarining haroratga bog'liqligi nazariy va eksperimental jihatdan asoslangan; yuqori harorat va shunga mos ravishda eritmada katta hajmli nanoklasterlarning mavjud bo‘lishi, hosil bo‘layotgan kristalldagi dislokatsiya zichligining oshishiga olib kelishi isbotlangan (Si uchun 1323 K da b = 5,47 nm va 1073 K da b = 3,46 nm; Ge uchun 1173 K da b = 6,7 nm va 800 K da b = 1 nm);
Si-Si1-xGex-GaAs plyonkalarini suyuq fazadan o‘stirish jarayonida hosil bo‘ladigan dislokatsiya zichligi kristallanish haroratining boshlang‘ich qiymatiga bog‘liqligi nazariy va eksperimental tarzda aniqlangan; boshlang‘ich kristallanish haroratining 1073 K dan 1323 K gacha o‘sishida taglik-plyonka chegarasidagi dislokatsiyalar zichligi 9.6·104 sm-2 dan 8.2·105 sm-2 gacha ortishi ko‘rsatilgan va dislokatsiyalar zichligining plyonka qalinligiga exponensial bog‘liqligi analitik isbotlangan;
mukammal tuzilishli epitaksial qatlamlarni olish uchun tagliklar orasidagi masofani kritik qiymatidan oshirmaslik yoki suyuq eritmaning sovutish tezligini kamaytirish kerakligi isbotlangan;
ilk bor yagona texnologik jarayonda bufer qatlami yordamida Si- Si1-xGex - Si1-x-yGex Sny, Si - Si1-xGex -(Si1-xGex)1-z(Al1-yGayas)z - Si1-xGex - (Si1-xGex)1-z(Al1-yGayas)z, Si-Si1-xGex-GaAs strukturalar Si taglikka o‘stirilgan.Funksional strukturalarning yuqori mukammalligi plyonkalarning kimyoviy tarkibining ularning o‘sish yo‘nalishi bo‘yicha silliq o‘zgarishi tufayli taglik-plyonka panjara parametrlaridagi farq kamayib borishi orqali ta'minlanishi aniqlangan;
suyuq fazadan qattiq qorishma o‘stirishda, ion bombardimoni modellashtirish usuli bilan Si, Ge, GaAs, GaP tagliklari uchun nishon parametrlari qiymatlari aniqlanib, kristall-mukammal epitaksial qatlamlarni o‘stirish imkoniyati nazariy hisoblashlar asosida ibotlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
“(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y” qattiq qorishmasining epitaksial qatlamlarini olish usuli” patenti (Patent. №IAP 02652, 29.04.2005) olingan;
Chop qilingan ilmiy ishlar ro‘yxatidagi 2 ta maqolaga 7 ta xorijiy maqolada mualliflar tomonidan iqtiboslar keltirilgan. Jumladan, A.S.Saidov, A.Sh.Razzakov, V.A.Risaeva, E.A.Koschanov. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x //Materials chemistry and physics. – 2001. – Vol. 68. – P. 1-6.(Scopus IF: 2.072) maqolaga 3 ta iqtibos (Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 59(5), 670-673, 2023. IF:1.6; Herald of the Bauman Moscow State Technical University, Series Natural Sciences, (4), 58-72, 2020. IF: 1.1; Journal of Analytical Atomic Spectrometry, 16(10), 1217-1237, 2001. IF: 6.4); va A.S.Saidov, A.Sh.Razzakov, E.A.Koshchanov. Liquid phase epitaxy of Ge1−xSnx semiconductor films //Technical Physics Letters. – 2001. – Vol. 27. – P. 698-700.(Scopus IF:1.7) maqolaga 4 ta iqtibos (Optical Materials Express, 3(9), 1385-1396, 2013. IF: 5.9; Journal of Applied Physics, 109(10), 103115, 2011, IF: 5.1; Handbook of Crystal Growth: Thin Films and Epitaxy: Second Edition 3, 225-316, 2015 (Texas universitetining kutubxonasi katalogida, QD 921 H32 2015). Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, 109-178, 2007 (AQSh Kongress kutubxonasi, TK7871 .L57 2007) keltirilgan;
Eritma tizimining Gibbs energiyasini nazariy hisoblash natijalari, epitaksial qatlamlar o‘sishining tavsiya etilgan mexanizmi, yuqori tagliklarda o‘stirilgan plyonkalar qalinligining kattaroq bo‘lish sabablarining Reyleigh-Teylor noturg‘unligi hodisasi yordamida tushuntirilishlari №DR0121U113046 “Turli morfologiyadagi nanozarrachalar va ular asosidagi kompozitlarning kimyoviy, issiqlik va plazma xossalarini o‘rganish” fundamental tadqiqot loyihasini amalga oshirishda foydalanilgan (“Zaporoje politexnika” Milliy universitetining 2023 yil 06 iyundagi (Ukraina) № 67/01/1586- sonli ma’lumotnomasi));
Eritmada kristallar hosil bo‘lishida ishtirok etuvchi nanozarrachalarning eksperimental aniqlangan o‘lchami va kristallanish jarayoni uchun keltirilgan nanozarrachalar hosil bo‘lishi mexanizmi, shuningdek, ular radiuslarining (zarrachalarning kritik radiusi) haroratga bog‘liqligi “Urganchkormmash” AJ da ishlab chiqarishdagi, eritmada kristall yadrolarning nano o‘lchamdagi kristallar hosil bo‘lishiga olib keladigan fizik hodisalarini tushuntirishda qo‘llanilgan.
