Гиясова Феруза Абдиазизовнанинг
техника фанлари доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи):
“Оптоелектрон қурилмалар учун ГаАс ва Си асосида кўп қатламли фотосезгир структураларни яратиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.4.DSc/FM207.
Илмий маслаҳатчи: Рахматов Ахмад Зайнидинович, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти ва “ФОТОН” АЖ.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12.
Расмий оппонентлар: Тагаев Марат Баймуратович, техника фанлари доктори, профессор; Мамадалиева Лола Камилджановна, техника фанлари доктори (DSc), профессор; Қучқаров Кудратулла Мамарасулович, физика-математика фанлари доктори (DSc), катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети
Диссертация йўналиши: Назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади:
Оптоелектрон қурилмалар учун юқори фотосезгирликка эга потенсиал тўсиқли тезкор гетероўтишли галлий арсенид ва кремнийли тузилмаларни ишлаб чиқишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор эпитаксиал қатламли поғонали изотип гетероструктураларни нГаАс-Ау/н0АлГаАс-Ау олишнинг технологик маршрути таклиф қилинган
ИнП, CдС ва CдТе юпқа қатламларни олишда оптимал талаб қилинадиган компонентли галлий арсенид ва кремний асосидаги кўп қатламли фотодиод структураларни тайёрлашнинг технологик маршрути ишлаб чиқилган;
Ау-νГаАс:О-нCдС-нИнП-Ау струcтураларида 16 ÷ 70 ºC ҳарорат оралиғида иш кучланишининг иккала қутбларида оқим ўтказувчанлигини ҳосил қилиш механизми ўзини намоён қилади ва максимал фотосезгирлик 1,2 μм ва 1,55 μм бўлган киришмали спектрал соҳасида эришилганлиги аниқланган;
Ау-νГаАс:О-нCдС-нИнП-Ау структураларнинг тезкорлиги 1,3 μм тўлқин узунликлари учун 100 нс дан 250 нс гача бўлиши аниқланган;
илк бор галий арсенидли кўп қатламли структуралар асосида тақиқланган зона кенглиги Эг1> Эг2> Эг3 металл-яримўтказгичли тўсиқ йўналишда 103÷3,5∙103 эВ/см градиент билан кетма-кет камайиб борувчи яримўтказгичли қурилма яратилган;
металл-яримўтказгич тўсиққа эга кремнийли Аг-нСи-н+Си-(Ин+Сн) структурада база соҳасининг қалинлиги ва солиштирма қаршилигини ошиши билан сиғимни 8÷10 пФ гача камайтиришга олиб келиб, 0,45 μм дан 1,25 μм гача спектрал диапазонини қамраб олишга имкон берганлиги аниқланган;
икки тўсиқли фотодиод Ау-СиО2∙нСи-Ау структурасида тўйиниш токи кам бўлган (4,2∙10-9 А) металл-яримўтказгич ўтишда ташувчиларнинг фотогенерасияси интенсив равишда амалга оширилиши аниқланган;
илк бор 1,0 μм дан 1,4 μм гача спектрал диапазонда 0,57 А/Вт фотосезгирликка ва 3,3 нс дан 89 нс гача тезкорликка эга бўлган Шоттки тўсиқли Ау-нCдС-нСи-пCдТе-Ау гетероструктура яратилган;
Ау-нCдС-нСи-пCдТе-Ау-структураларининг ВАХси уч ҳил: даражали - И∝В 2,44, субчизиқли - И∝В 0,78 ва пробой олди - И∝В 5,55 боғланишли соҳаларни ўз ичига олиши аниқланган;
кремний фотодиодининг юзасига CдС ва CдТе юпқа қатламлари учирилганда, 0,3÷1,4 μм диапазонда спектрал сезгирликни кенгайишига олиб келиши, шунингдек, одатдаги кремний диодига нисбатан фотожавоб икки тартибга ортиши аниқланган;
илк бор юпқа қатламли фотосезгир гетероструктурали фотодиодлар асосида оптик қувват ўлчагичи ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Потенциал тўсиқларга эга бўлган фотодиод структураларни яратишда олинган илмий натижаларга асосида:
битта поғонада иккита ўтиш шакилланган ҳоллатдагига нисбатан сиғимини камайтиришга олиб келадиган юқори қаршиликгаги мос шаклланган поғонали қатламли юқори частотали фотодетектор ишлаб чиқилган (2009 йил 31 августдаги 04002-сонли ИАП панент). νГаАс:О-нГаАс-Ау/н0АлГаАс-Ау структураси асосида ишлаб чиқилган фотодетектордан фойдаланиш, индий фосфиди асосидаги аналогга нисбатан кенг спектрли диапозонда фотосезгирликни ва тезкорликни ошириш имконини берган;
тақиқланган зонанинг кенглиги кетма-кет камайтирилганда тўсиқ майдони таʼсирида ҳажмий заряднинг қатламини самарали кенгайишига ва ёруғлик сигналига сезгирлигини оширишга олиб келадиган асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг диффузия узунлигини ортишига ёрдам берадиган металл-яримўтказгичли тўсиққа эга яримўтказгичли қурилмани тайёрлаш технологияси таклиф қилинган (2009 йил 30 сентябрдаги сонли 04023-сонли ИАП патент). Кўп қатламли гетероўтишли структурани тайёрлашдан фойдаланиш фотодиод структурасининг иш кучланишини бир катталик тартибида ошириш имконини берган;
база соҳасидаги киришмали сатҳлардан генерацияланган заряд ташувчиларини йигʼиб олишни таʼминлашга ва спектрнинг узун тоʼлқин соҳасида чиқиш сигналини оширишга ёрдам берадиган кичик қаршиликка эга қалинлиги кенгайган гетероқатламли коʼп функцияли яримоʼтказгичли қурилма ишлаб чиқилган (2010 йил 29 октябрдаги 04244-сонли ИАП патент). Ишлаб чиқилган кичик қаршиликка эга қатламли қурилмадан фойдаланиш фотодиод режимида оптик сигнал ёʻқотилишини бартараф этиш имконини берган;
Аг-нСи-н+Си-(Ин+Сн) структуралар асосидаги кремнийли диоднинг тадқиқот натижасидан “Восток Новосибирск яримўтказгичли қурилмалар заводи” АЖ томонидан ишлаб чиқариладиган тезкор кремнийли диодларда ва п+-н-н+ структуралар асосидаги ишлаб чиқилган кучланишни чекловчи мосламаларни тайёрлашда фойдаланилган (2023 йил 17 апрелдаги 04/3551-сонли “Восток Новосибирск яримўтказгичли қурилмалар заводи” АЖ хулосаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кучланиш чекловчиларининг конструкциясини оптималлаштириш ва электрон техник қурилмаларнинг ишончлилигини ошириш имконини берган;
таклиф этилаётган термик учириш технологияси “ФОТОН” АЖ да бирламчи фототокни кучайтириш эффектига эга ва паст қийматли қоронғилик токи 10 нА гача бўлган галлий арсенид, кремний асосида кўринадиган ва ИҚ соҳада (0,85÷1,55 μм) ишлайдиган икки томонлама сезгир фотодиодларнинг тажрибавий нусхалари ишлаб чиқишда фойдаланилган. (“Ўзелтехсаноат” уюшмасининг 2023 йил 24 февралдаги 04-3/222 - сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кўринадиган ва ИҚ соҳаларида фотоқабулқилгичларнинг конструкциясини оптималлаштириш, оптик тизимларни диагностика ва назорат қилишда импулсли фотоқабулқилгичнинг ёруғлик характеристикасини ўлчаш параметрларини акслантириш ишончлилигини ошириш, шунингдек, янги элемент базаси асосида қурилма ишлаб чиқариш имконини берган;
оптик толали тизимларнинг оптик қувватини ўлчаш учун яқин ИҚ диапозонда (1,31 ÷ 1,55 μм) галлий арсенид ва кремний фотодиодига асосланиб ишлаб чиқилган оптик қувватини ўлчовчи ва рақамли мултиметр оптик толали кабелдаги заифлашувни ўлчаш орқали “Ўзбекистон ҳаво ёʻллари” Миллий авиакомпанияси “Узбекистан Аирwайс Течниcс Аирлинес” МЧЖга Боинг 767/787 ҳаво кемасидаги носозликни аниқлаш учун фойдаланилган (“Узбекистан Аирwайс Течниcс Аирлинес” МЧЖнинг 2023 йил 13 апрелдаги 412-сонли жорий этилганлик тўғрисидаги далолатномаси). Илмий натижаларндан фойдаланиш оптик толали алоқа линияларининг механик шикастланишига ташхис қўйиш ва сигналнинг заифлашув даражасини аниқлаш имконини берган;
юқори частотали оптик трактлар учун (0,85÷1,55 μм) спектрал диапозонда юқори фотосезгирли фотодиодларни олиш натижалари, п+-н-н+ асосидаги кам кучланишли кремнийли чекловчиларни тайёрлаш технологиясида қоʼлланилган, шунингдек, электрон техник махсулотларини ишлаб чиқишда фойдаланилган («КОРПОРАЦИЯ ИИЧБ «РИФ» АЖнинг 2023 йил 17 январдаги жорий этилганлик тўғрисидаги далолатномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш электрон маҳсулотлар конструксиясини оптималлаштириш ва шу орқали электрон қурилмаларнинг тезкорлигини ошириш имконини берган;
АЛ-202102215 “Ферромагнит нанокластерли Си билан айланма саратон ҳужайраларни тутиб қолувчи микро суюқлик каналли интеграллашган тизим” (2022-2024) мавзусидаги амалий лойиҳада термик чанглатиш ёʻли билан арсенид галлий ва кремний асосидаги юпқа қатламли гетероқатлам фотодиод структурасини олишнинг технологик хусусиятларидан ва юпқа қатлам компонентлари тўғрисидаги маълумотлардан фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаи Олий таълим, фан ва инновациялар вазирлигининг 2023 йил 14 апрелдаги 02/17-369-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кремний сиртида магнит нанокластерларнинг консентрациясини 1020 см-3 гача ошириш имконини берган.