Giyasova Feruza Abdiazizovnaning
texnika fanlari doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi):
“Optoelektron qurilmalar uchun GaAs va Si asosida ko‘p qatlamli fotosezgir strukturalarni yaratish”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.4.DSc/FM207.
Ilmiy maslahatchi: Raxmatov Axmad Zaynidinovich, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti va “FOTON” AJ.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Tagaev Marat Baymuratovich, texnika fanlari doktori, professor; Mamadalieva Lola Kamildjanovna, texnika fanlari doktori (DSc), professor; Quchqarov Kudratulla Mamarasulovich, fizika-matematika fanlari doktori (DSc), katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: Nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi:
Optoelektron qurilmalar uchun yuqori fotosezgirlikka ega potensial to‘siqli tezkor geteroo‘tishli galliy arsenid va kremniyli tuzilmalarni ishlab chiqishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor epitaksial qatlamli pog‘onali izotip geterostrukturalarni nGaAs-Au/n0AlGaAs-Au olishning texnologik marshruti taklif qilingan
InP, CdS va CdTe yupqa qatlamlarni olishda optimal talab qilinadigan komponentli galliy arsenid va kremniy asosidagi ko‘p qatlamli fotodiod strukturalarni tayyorlashning texnologik marshruti ishlab chiqilgan;
Au-νGaAs:O-nCdS-nInP-Au structuralarida 16 ÷ 70 ºC harorat oralig‘ida ish kuchlanishining ikkala qutblarida oqim o‘tkazuvchanligini hosil qilish mexanizmi o‘zini namoyon qiladi va maksimal fotosezgirlik 1,2 μm va 1,55 μm bo‘lgan kirishmali spektral sohasida erishilganligi aniqlangan;
Au-νGaAs:O-nCdS-nInP-Au strukturalarning tezkorligi 1,3 μm to‘lqin uzunliklari uchun 100 ns dan 250 ns gacha bo‘lishi aniqlangan;
ilk bor galiy arsenidli ko‘p qatlamli strukturalar asosida taqiqlangan zona kengligi Eg1> Eg2> Eg3 metall-yarimo‘tkazgichli to‘siq yo‘nalishda 103÷3,5∙103 eV/sm gradient bilan ketma-ket kamayib boruvchi yarimo‘tkazgichli qurilma yaratilgan;
metall-yarimo‘tkazgich to‘siqqa ega kremniyli Ag-nSi-n+Si-(In+Sn) strukturada baza sohasining qalinligi va solishtirma qarshiligini oshishi bilan sig‘imni 8÷10 pF gacha kamaytirishga olib kelib, 0,45 μm dan 1,25 μm gacha spektral diapazonini qamrab olishga imkon berganligi aniqlangan;
ikki to‘siqli fotodiod Au-SiO2∙nSi-Au strukturasida to‘yinish toki kam bo‘lgan (4,2∙10-9 A) metall-yarimo‘tkazgich o‘tishda tashuvchilarning fotogenerasiyasi intensiv ravishda amalga oshirilishi aniqlangan;
ilk bor 1,0 μm dan 1,4 μm gacha spektral diapazonda 0,57 A/Vt fotosezgirlikka va 3,3 ns dan 89 ns gacha tezkorlikka ega bo‘lgan Shottki to‘siqli Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au geterostruktura yaratilgan;
Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au-strukturalarining VAXsi uch hil: darajali - I∝V 2,44, subchiziqli - I∝V 0,78 va proboy oldi - I∝V 5,55 bog‘lanishli sohalarni o‘z ichiga olishi aniqlangan;
kremniy fotodiodining yuzasiga CdS va CdTe yupqa qatlamlari uchirilganda, 0,3÷1,4 μm diapazonda spektral sezgirlikni kengayishiga olib kelishi, shuningdek, odatdagi kremniy diodiga nisbatan fotojavob ikki tartibga ortishi aniqlangan;
ilk bor yupqa qatlamli fotosezgir geterostrukturali fotodiodlar asosida optik quvvat o‘lchagichi ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Potensial to‘siqlarga ega bo‘lgan fotodiod strukturalarni yaratishda olingan ilmiy natijalarga asosida:
bitta pog‘onada ikkita o‘tish shakillangan hollatdagiga nisbatan sig‘imini kamaytirishga olib keladigan yuqori qarshilikgagi mos shakllangan pog‘onali qatlamli yuqori chastotali fotodetektor ishlab chiqilgan (2009 yil 31 avgustdagi 04002-sonli IAP panent). νGaAs:O-nGaAs-Au/n0AlGaAs-Au strukturasi asosida ishlab chiqilgan fotodetektordan foydalanish, indiy fosfidi asosidagi analogga nisbatan keng spektrli diapozonda fotosezgirlikni va tezkorlikni oshirish imkonini bergan;
taqiqlangan zonaning kengligi ketma-ket kamaytirilganda to‘siq maydoni taʼsirida hajmiy zaryadning qatlamini samarali kengayishiga va yorug‘lik signaliga sezgirligini oshirishga olib keladigan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligini ortishiga yordam beradigan metall-yarimo‘tkazgichli to‘siqqa ega yarimo‘tkazgichli qurilmani tayyorlash texnologiyasi taklif qilingan (2009 yil 30 sentyabrdagi sonli 04023-sonli IAP patent). Ko‘p qatlamli geteroo‘tishli strukturani tayyorlashdan foydalanish fotodiod strukturasining ish kuchlanishini bir kattalik tartibida oshirish imkonini bergan;
baza sohasidagi kirishmali sathlardan generatsiyalangan zaryad tashuvchilarini yigʼib olishni taʼminlashga va spektrning uzun toʼlqin sohasida chiqish signalini oshirishga yordam beradigan kichik qarshilikka ega qalinligi kengaygan geteroqatlamli koʼp funksiyali yarimoʼtkazgichli qurilma ishlab chiqilgan (2010 yil 29 oktyabrdagi 04244-sonli IAP patent). Ishlab chiqilgan kichik qarshilikka ega qatlamli qurilmadan foydalanish fotodiod rejimida optik signal yoʻqotilishini bartaraf etish imkonini bergan;
Ag-nSi-n+Si-(In+Sn) strukturalar asosidagi kremniyli diodning tadqiqot natijasidan “Vostok Novosibirsk yarimo‘tkazgichli qurilmalar zavodi” AJ tomonidan ishlab chiqariladigan tezkor kremniyli diodlarda va p+-n-n+ strukturalar asosidagi ishlab chiqilgan kuchlanishni cheklovchi moslamalarni tayyorlashda foydalanilgan (2023 yil 17 apreldagi 04/3551-sonli “Vostok Novosibirsk yarimo‘tkazgichli qurilmalar zavodi” AJ xulosasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kuchlanish cheklovchilarining konstruksiyasini optimallashtirish va elektron texnik qurilmalarning ishonchliligini oshirish imkonini bergan;
taklif etilayotgan termik uchirish texnologiyasi “FOTON” AJ da birlamchi fototokni kuchaytirish effektiga ega va past qiymatli qorong‘ilik toki 10 nA gacha bo‘lgan galliy arsenid, kremniy asosida ko‘rinadigan va IQ sohada (0,85÷1,55 μm) ishlaydigan ikki tomonlama sezgir fotodiodlarning tajribaviy nusxalari ishlab chiqishda foydalanilgan. (“O‘zeltexsanoat” uyushmasining 2023 yil 24 fevraldagi 04-3/222 - sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish ko‘rinadigan va IQ sohalarida fotoqabulqilgichlarning konstruksiyasini optimallashtirish, optik tizimlarni diagnostika va nazorat qilishda impulsli fotoqabulqilgichning yorug‘lik xarakteristikasini o‘lchash parametrlarini akslantirish ishonchliligini oshirish, shuningdek, yangi element bazasi asosida qurilma ishlab chiqarish imkonini bergan;
optik tolali tizimlarning optik quvvatini o‘lchash uchun yaqin IQ diapozonda (1,31 ÷ 1,55 μm) galliy arsenid va kremniy fotodiodiga asoslanib ishlab chiqilgan optik quvvatini o‘lchovchi va raqamli multimetr optik tolali kabeldagi zaiflashuvni o‘lchash orqali “O‘zbekiston havo yoʻllari” Milliy aviakompaniyasi “Uzbekistan Airways Technics Airlines” MChJga Boing 767/787 havo kemasidagi nosozlikni aniqlash uchun foydalanilgan (“Uzbekistan Airways Technics Airlines” MChJning 2023 yil 13 apreldagi 412-sonli joriy etilganlik to‘g‘risidagi dalolatnomasi). Ilmiy natijalarndan foydalanish optik tolali aloqa liniyalarining mexanik shikastlanishiga tashxis qo‘yish va signalning zaiflashuv darajasini aniqlash imkonini bergan;
yuqori chastotali optik traktlar uchun (0,85÷1,55 μm) spektral diapozonda yuqori fotosezgirli fotodiodlarni olish natijalari, p+-n-n+ asosidagi kam kuchlanishli kremniyli cheklovchilarni tayyorlash texnologiyasida qoʼllanilgan, shuningdek, elektron texnik maxsulotlarini ishlab chiqishda foydalanilgan («KORPORASIYa IIChB «RIF» AJning 2023 yil 17 yanvardagi joriy etilganlik to‘g‘risidagi dalolatnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish elektron mahsulotlar konstruksiyasini optimallashtirish va shu orqali elektron qurilmalarning tezkorligini oshirish imkonini bergan;
AL-202102215 “Ferromagnit nanoklasterli Si bilan aylanma saraton hujayralarni tutib qoluvchi mikro suyuqlik kanalli integrallashgan tizim” (2022-2024) mavzusidagi amaliy loyihada termik changlatish yoʻli bilan arsenid galliy va kremniy asosidagi yupqa qatlamli geteroqatlam fotodiod strukturasini olishning texnologik xususiyatlaridan va yupqa qatlam komponentlari to‘g‘risidagi ma’lumotlardan foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikai Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligining 2023 yil 14 apreldagi 02/17-369-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish kremniy sirtida magnit nanoklasterlarning konsentratsiyasini 1020 sm-3 gacha oshirish imkonini bergan.