Юлдашев Шоҳжаҳон Аброровичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Халкогенид бирикмалар негизида автоном оптоелектрон қурилмалар яратиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2022.1.PhD/Т2595
Илмий раҳбар: Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Фарғона давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор;
Даулетмуратов Борибай Коптлеуович, техника фанлари доктори, профессор
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади халкогенид яримўтказгич материалларда фотоелектрик, фотомагнитоелектрик, тензоелектрик ва термоелектрик ҳодисаларни ўрганиш ва оптоелектрон қурилмалар яратишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор учувчанлиги билан фарқланувчи изовалент киришмаларни (С, Се, Те) вакуумда термик анизотроп буғлатиш ва анизотроп ўтқазиш йўли билан рух ва кадмий халкогенидлари ҳамда Сб2Се3 п-н ўтишли бир жинсли бўлмаган юпқа пардалар олиш технологияси такомиллаштирилган;
анизотроп буғлатиш усули билан диелектрик тагликка олинган халкогенид яримўтказгич юпқа пардаларида аномал фотокучланиш ва фотомагнит кучланиш эффектлари кузатилиши уларда бир жинсли бўлмаган соҳалар, яъни беркитувчи қатламларнинг  пайдо бўлиши билан боғлиқлиги асосланган;
ташқи иккиламчи иссиқлик таъсирида ҳосил қилинган термоелектр юритувчи кучи ёрдамида ёруғлик диодларидан чиққан 240-300 Лм ёруғлк оқимининг таъсирида АФК элементда максимал қиймати 105 В/см электр майдони ҳосил қиладиган қурилма лойиҳалаштирилган;
ёруғлик ва магнит майдони ёрдамида халкогенид яримўтказгич юпқа пардаларда ҳосил бўладиган аномал фотокучланиш ва фотомагнит кучланишдан фойдаланиб электр майдони ҳосил қилувчи қурилмалар ишлаб чиқилган;
оптик жиҳатдан шаффоф эластик материалдан тайёрланган ва ташқи механик кучланишларни назорат қилиш учун қўлланилувчи сезгирлиги ~106 нисбий бирликкача етадиган тензоўзгартиргич лойиҳалаштирилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Халкогенид бирикмалар негизида автоном оптоелектрон қурилмалар яратиш бўйича олинган илмий-амалий натижалар асосида:
Ярим ўтказгич халкогенид материаллар юпқа пардалари асосидаги автоном, ташқи энергия талаб қилмай ишлайдиган оптоелектрон асбоблар ишлаб чиқиш бўйича олинган илмий хулоса ва тавсиялардан Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси Ядро физикаси институтида 2018-2020 йилларда бажарилган ФА-Атех-2018176 “Олтингугурт киришмаси билан легирланган кремний монокристалл плёнкалар олишнинг радиацион технологик усулини яратиш” мавзусидаги илмий амалий тадқиқот лойиҳасида кремний намуналарининг юза қисмида фосфор изотопидан икки босқичда самарадорлиги юқори бўлган термо-, фото-сезгир юпқа олтингугурт пардалар олишда ва олинган материалларнинг электрофизик, термоелектрик ҳоссаларини ўрганишда ҳамда уларда юз берувчи физик жараёнларни таҳлил қилишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2022-йил 3-ноябрдаги 2/1255-2768-сон маʼлумотномаси). Натижада, пленкалар олиш радиацион технологиясини такомиллаштирилиб 12% самарадорликка эришилган;
бинар халкогенид бирикмаларга металл киришмалар киритиш йўли билан улардаги металл ўтказувчанликни орттириш ҳисобига термо ЭЮКни кучайтириш, яримўтказгич халкогенид материаллар асосида иссиқлик, ёруғлик, магнит оқимлари ва механик таʼсирлар воситасида электр майдони олиш бўйича ишлаб чиқилган тавсиялар “ФОТОН” акциядорлик жамияти амалиётига жорий этилган (“ЎзЕлТехсаноат” АЖ уюшмасининг 2022-йил 18-апрелдаги 04-1/1060-сон маʼлумотномаси). Диссертацияда олинган илмий натижаларга кўра тайёрланган тажрибавий намуналарнинг электрофизик параметрлари, фотоелектрик хусусиятлари, фотомагнит ҳолатлари жаҳонда ишлаб чиқарилаётган намуналар даражасида эканлиги кўрсатилган.