Абдулхаев Аброрбек Абдуллохон ўғлининг
 фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний асосидаги металл-шиша-яримўтказгич структураларнинг электрофизик параметрларига ташқи омилларнинг таъсири» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.3.PhD/FM729
Илмий раҳбар: Маматкаримов Одилжон Охундедаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Наманган муҳандислик-технология институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган муҳандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/Т.66.04.
Расмий оппонентлар: Онорқулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Каримов Иброҳим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Бухоро давлат университети.    
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Металл-шиша-яримўтказгич тузулмаларнинг электрофизик параметрларига босим, ултратовуш, протон нурланиши ҳамда имплантация таъсирлари натижаларини таҳлил этиш орқали ток ташувчилар динамикасида муҳим бўлган факторларни аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор, қўрғошин ионларида ушлаб қолинган электронларни чиқариб юборилиши ва уларнинг инверс қатлам зарядлари билан таъсирлашуви натижасида электрон инжексиясига учратилган структуралар инверс қатламида заряд шаклланиш тезлигининг камайиши импулс кучланиш таъсиридан юзага келадиган электронлар инжексияси орқали аниқланган;
барча турдаги ташқи таъсирлар металл-диелектрик-яримўтказгич тузулмалар учун чегара бўлими соҳасидаги маҳаллийлашган боғлар миқдорини ўзгаришга олиб келиши ташқи таъсир натижасида тузулма волт-фарад характеристикасининг силжиши орқали аниқланган;
Ал-н-Си – шиша – Ал структураларга ултратовуш таъсири берилганда яримўтказгич шиша чегара соҳасида локаллашган электрон ҳолатлари интеграл зичлигини камайиши ва яримўтказгичдаги ҳажмий электрон ҳолатлари энергетик спектри ўзгармай қолиши назарий жиҳатдан аниқланди.
илк бор, водород ионлари билан имплантация қилинган кремний намуналарини қиздириш жараёнида ҳосил бўладиган водород ғовакчаларини босим таъсирида камайиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремний асосли металл-шиша-яримўтказгич структуралар характеристикаларининг турли ташқи таъсирларга барқарор ва чидамлилигини аниқлаш асосида:
Ал-н-Си–шиша–Ал структураларга ултратовуш, босим, протон нурланиши, имплантация таъсирларида ўзгариши учун олинган натижалардан «ФОТОН» аксионерлик жамиятида яримўтказгичли диодлар ва транзисторлар ишлаб чиқаришда қўлланилмоқда. («Узелтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2023 йил 11-майдаги 110-сон маълумотномаси). Диссертацияда олинган натижаларни технологик жараёнга қўлланилиб, тезкорлиги юқори бўлган транзисторларни ишлаб чиқариш ва назорат қилиш имконини берган;
Кремнийга водород ионларининг имплантацияси натижалари асосида Малайзиянинг “Малайзия Путра университети” да ижобий характеристикага эга метал-шиша-яримўтказгич асосидаги  қурилмалар тайёрлашда фойдаланиш имконини бериши кўрсатилган. ( Малайзия Путра университети 26.08.2023 даги № ИСМС 00150 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши метал-шиша-яримўтказгич асосидаги электрон қурилмаларнинг радиацияга чидамлилигини 10-13% ошириш  имконини берган.