Абдурахимов Дилхаётжон Пўлатжон ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси хақида эълон

I.    Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Киришма нанобирикмалари бўлган яримўтказгичли GaAs-Ge қаттиқ қоришмаларининг олиниши, тузилиши ва физик хоссалари» 01.04.10 – «Яримўтказгичлар физикаси» ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD (физика-математика фанлари)).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.2.PhD/FM894
Илмий рахбар: Зайнабидинов Сирожиддин Занабидинович, физика-математика фанлари доктори, академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган мухандислик-технология институти, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Расмий Оппонентлар: Онарқулов Каримберди Эгамбердиевич физика-математика фанлари доктори, прфессор; Турғунов Нозимжон Абдуманнопович физика-математика фанлари доктори, прфессор.
Етакчи ташкилот: Ургенч давлат университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.    Тадқиқотнинг мақсади: Киришма нанобирикмалари бўлган янги яримўтказгичли (GaAs)1-x(Ge2)х қаттиқ қоришмаларини олиш технологиялари ва уларнинг тузилмавий хоссаларини ҳамда бундай тузилмаларда ток ташувчиларнинг ўтиш механизмларини тадқиқ қилиш.
III.    Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк маротаба суюқ фазали эпитаксия усули ёрдамида мажбурий совутилган қалайли аралашма эритмадан (GaAs)1-x(Ge2)х қаттиқ қоришмалари GaAs тагликларга ўстирилган;
нанообъектли (GaAs)1-x(Ge2)х қаттиқ қоришмалар (100) кристаллографик ориентaцияга ҳамда ақ.қ.= 0,5646 нм панжара доиймийсига эга бўлган монокристалл бўлиб, у   фазовий гуруҳга мос келувчи ZnS туридаги сфалерит тузилишига эга эканлиги аниқланган; 
пленка сиртида когерент жойлашган, aGe = 0,567 нм панжара доимийсига эга бўлган, (100) кристаллографик ориентaция бўйлаб жойлашган 44 нм ли Ge наноконусларининг шаклланиши аниқланган;
Ge квант ўраларига эга бўлган n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)х тузилмаларда ток ўтиши туннел-рекомбинaция мехенизмига, ZnSe квант нуқталарига эга бўлган n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)х тузилмаларда эса ток ўтиш ҳажмий чегараланган заряднинг омик ҳамда диэлектрик релаксaциясига мос бўлиши кўрсатилган;
гетерочегарларда ўсиш шароитларига қараб қалинлиги 0,09-0,15 мкм оралиғида ўзгариб турадиган, нисбатан юқори қаршиликка эга бўлган соҳалар шаклланиши аниқланган;
n-GaAs – p-(GaAs)1-х(Ge2)x тузилмаларнинг фотосезгирлик спектри 1,1 эВ фотон энергияли узун тўлқин диапозонига ҳамда As-Ge, Gе-Ge ва Ga-Ge бирикмаларига мос келадиган учта ташкилловчиларининг спектрал фоточўққиларига мос келувчи сохалар кузатилган.
IV.    Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ўстирилган (GaAs)1-х(Ge2)x эпитаксиал қатламларнинг технологик меъёрларини, олинган тузилмалар мукаммаллик даражасини ҳамда панжара доимийсини, кристаллографик синфини, шунингдек, плёнкалар ва нанообектларнинг фазовий гуруҳларини аниқлаш каби бир қатор илмий тадқиқот усуллари Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ядро физикаси институтининг Ф2-ФА-Ф120 рақамли “Кичик ўлчамли юқори ҳароратли ўтаўтказгичлар, яримўтказгичли гетероструктуралар, металл ва уларнинг оксидларининг электрон хоссалари ва радиaциявий такомиллаштирилиши” (2012-2016) мавзусидаги лойиҳада фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2023 йил 10 июлдаги 2/1255-1463 рақамли маълумотномаси). Илмий тадқиқотлар натижаларидан фойдаланиш ўстирилаётган эпитаксиал қатламлар асосидаги гетеротузилмаларнинг тузилмавий барқарорлигини ҳамда ташқи таъсирларга чидамлилигини оширишга имкон берган.
n-GaAs–p-(GaAs)1-х(Ge2)x тузилмаларнинг фотодиод ва фотовольтаик меъёрларида вольт-ампер, вольт-фарад хусусиятларини ва фотоэлектрик хоссаларини текшириш усуллари «ФОТОН» АЖда яримўтказгичли электрон қурилмалар ишлаб чиқаришда фойдаланилган (“Узэлтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2023 йил 17 мартдаги 04-3/333 рақамли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш тажриба қурилмаларида электрон техник асбобларни тайёрлаш ва уларнинг оптоэлектрон хусусиятларини яхшилаш имконини берган.