Abduraximov Dilxayotjon Po‘latjon o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi xaqida e’lon

I.    Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yarimo‘tkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari» 01.04.10 – «Yarimo‘tkazgichlar fizikasi» ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD (fizika-matematika fanlari)).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2023.2.PhD/FM894
Ilmiy raxbar: Zaynabidinov Sirojiddin Zanabidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan muxandislik-texnologiya instituti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy Opponentlar: Onarqulov Karimberdi Egamberdievich fizika-matematika fanlari doktori, prfessor; Turg‘unov Nozimjon Abdumannopovich fizika-matematika fanlari doktori, prfessor.
Yetakchi tashkilot: Urgench davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.    Tadqiqotning maqsadi: Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yangi yarimo‘tkazgichli (GaAs)1-x(Ge2)x qattiq qorishmalarini olish texnologiyalari va ularning tuzilmaviy xossalarini hamda bunday tuzilmalarda tok tashuvchilarning o‘tish mexanizmlarini tadqiq qilish.
III.    Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk marotaba suyuq fazali epitaksiya usuli yordamida majburiy sovutilgan qalayli aralashma eritmadan (GaAs)1-x(Ge2)x qattiq qorishmalari GaAs tagliklarga o‘stirilgan;
nanoob’ektli (GaAs)1-x(Ge2)x qattiq qorishmalar (100) kristallografik orientasiyaga hamda aq.q.= 0,5646 nm panjara doiymiysiga ega bo‘lgan monokristall bo‘lib, u   fazoviy guruhga mos keluvchi ZnS turidagi sfalerit tuzilishiga ega ekanligi aniqlangan; 
plenka sirtida kogerent joylashgan, aGe = 0,567 nm panjara doimiysiga ega bo‘lgan, (100) kristallografik orientasiya bo‘ylab joylashgan 44 nm li Ge nanokonuslarining shakllanishi aniqlangan;
Ge kvant o‘ralariga ega bo‘lgan n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x tuzilmalarda tok o‘tishi tunnel-rekombinasiya mexenizmiga, ZnSe kvant nuqtalariga ega bo‘lgan n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x tuzilmalarda esa tok o‘tish hajmiy chegaralangan zaryadning omik hamda dielektrik relaksasiyasiga mos bo‘lishi ko‘rsatilgan;
geterochegarlarda o‘sish sharoitlariga qarab qalinligi 0,09-0,15 mkm oralig‘ida o‘zgarib turadigan, nisbatan yuqori qarshilikka ega bo‘lgan sohalar shakllanishi aniqlangan;
n-GaAs – p-(GaAs)1-x(Ge2)x tuzilmalarning fotosezgirlik spektri 1,1 eV foton energiyali uzun to‘lqin diapozoniga hamda As-Ge, Ge-Ge va Ga-Ge birikmalariga mos keladigan uchta tashkillovchilarining spektral fotocho‘qqilariga mos keluvchi soxalar kuzatilgan.
IV.    Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
O‘stirilgan (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamlarning texnologik me’yorlarini, olingan tuzilmalar mukammallik darajasini hamda panjara doimiysini, kristallografik sinfini, shuningdek, plyonkalar va nanoobektlarning fazoviy guruhlarini aniqlash kabi bir qator ilmiy tadqiqot usullari O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Yadro fizikasi institutining F2-FA-F120 raqamli “Kichik o‘lchamli yuqori haroratli o‘tao‘tkazgichlar, yarimo‘tkazgichli geterostrukturalar, metall va ularning oksidlarining elektron xossalari va radiasiyaviy takomillashtirilishi” (2012-2016) mavzusidagi loyihada foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2023 yil 10 iyuldagi 2/1255-1463 raqamli ma’lumotnomasi). Ilmiy tadqiqotlar natijalaridan foydalanish o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlar asosidagi geterotuzilmalarning tuzilmaviy barqarorligini hamda tashqi ta’sirlarga chidamliligini oshirishga imkon bergan.
n-GaAs–p-(GaAs)1-x(Ge2)x tuzilmalarning fotodiod va fotovol`taik me’yorlarida vol`t-amper, vol`t-farad xususiyatlarini va fotoelektrik xossalarini tekshirish usullari «FOTON» AJda yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar ishlab chiqarishda foydalanilgan (“Uzeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2023 yil 17 martdagi 04-3/333 raqamli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish tajriba qurilmalarida elektron texnik asboblarni tayyorlash va ularning optoelektron xususiyatlarini yaxshilash imkonini bergan.