Турекеев Хожаахметжан Сабиърбаевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кремнийда фосфор ва галлий бинар бирикмаларининг шаклланишини бошқариш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.3.PhD/FM488
Илмий раҳбар: Зикриллаев Нурулло Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор;
Мамадалиева Лола Камилжановна, техника фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: ЎзР ФА Физика-техника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади кремний асосида фосфор ва галлий киришма атомларининг бинар бирикмаларини ҳосил қилиш ва уларнинг электрофизик, фотоелектрик ва оптик хоссаларини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор кристалл панжарасида фосфор ва галлий киришма атомларига эга бўлган монокристалл кремний асосида Си2ГаП бинар бирикмаларини олиш технологияси ишлаб чиқилган;
илк бор Т=1000÷1250 °C ҳарорат оралигʻида фосфор билан қўшимча легирланган н-Си га галлий киришмаси диффузия қилинганда галлий атомларининг консентрацияси фосфорсиз намуналарга нисбатан 6-10 марта ошиши аниқланган;
галлий ва фосфор киришма атомлари билан легирланган кремнийда электронларнинг ҳаракатчанлиги фақат фосфор киришма атомлари билан легирланган кремний намуналарига қараганда 2÷3 баравар кам эканлиги аниқланган;
кремнийда бинар бирикмаларнинг мавжудлиги Си2ГаП бирикмали кремний асосида яратилган фотоелементларнинг (λ=380÷760 нм) сезгирлик спектрал диапазонининг кенгайишига олиб келиши аниқланган;
илк бор фосфор ва галлий атомларининг бинар бирикмалари асосида гетероваризон структурали барқарор параметрларга эга юқори самарали фотоелементларни тайёрлаш бўйича тавсиялар ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Фосфор ва галлий киришма атомлари билан легирланган кремний асосида яратилган фотодиодларнинг спектрал сезгирлиги диапазонини кенгайтириш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
ишлаб чиқилган кремний панжарасида янги турдаги Си2ГаП бирикмаларни олиш технологияси «ФОТОН» акциядорлик жамияти томонидан қўлланилган («Ўзелтехсаноат» уюшмасининг 2022 йил 28 декабрдаги 04-3/2744-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш «ФОТОН» АЖ да қўллаш асосида фосфор ва галлий атомларининг бинар бирикмаларини ўз ичига олган монокристалл кремний асосида яратилган фотодиодларнинг спектрал сезгирлиги диапазонини кенгайтиришга эришилган. Ишлаб чиқилган диффузия технологиясидан
фойдаланиш энергия сарфини тежашга ва киришма атомларининг диффузия вақтини камайтиришга имкон берган;
диссертацияни бажаришда олинган илмий натижалардан Самарқанд давлат университети Қаттиқ жисмлар физикаси кафедрасида 2017-2021 йилларда ОТ-Ф2-37-рақамли “Газ аралашмасини товушдан тез оқимидан фойдаланиб металларни эритиш, ғовак металлар олиш ва уларнинг физик хоссаларини тадқиқ қилиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳани амалга оширишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий таълим, фан ва инновациялар вазирлигининг 2023 йил 22 февралдаги 89-02-86-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш барқарор параметрларга эга, фосфор ва галлий атомларининг бинар бирикмалари асосидаги гетероваризон структурали юқори самарадор фотоелементларини олиш имконини берган.