Исаев Махмудходжа Шариповичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Марганец, хром, кобалт силицидлари ва улар асосида яратилган структураларнинг электрофизик хоссаларини тадқиқ этиш”, 01.04.10 – яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2022.3.DSc/FM184
Илмий маслаҳатчи: Мамадалимов Абдугафур Тишабаевич, физика-математика фанлари доктори, академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети.  
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Расмий оппонентлар: Зайнабидинов Сирожиддин Зайнобидинович, физика-математика фанлари доктори, академик;
Аюпов Кутуп Саутович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Наманган муҳандислик-технология институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқот мақсади Си<Мн>, Си<Cр>, Си<Cо> нинг электрик, термоелектрик ва фотоелектрик хоссаларини ўтказувчанлик тақсимотига боғлиқ ҳолда комплекс тадқиқ қилиш, шунингдек юпқа силицид пардалар ва кремний сирт олди соҳаси структураси ва таркибини электрон микроскопия, тезлаштирилган ионлар сочилиш спектроскопияси усуллари билан тадқиқ этиш ва улар асосида турли сезгир ярим ўтказгичли асбоблар яратиш имкониятини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
электрик, рентген фазали, фотозондли усуллар билан, шунингдек электрон микроскопия усули, тезлаштирилган ионларнинг сочилиш спектроскопияси билан марганец, хром ва кобалт билан диффузион легирланган кремний сирт олди қатлами ҳосил бўлиш табиати тадқиқ қилинган. Металл атомлари билан легирланган кремний сирт олди соҳаси МнхСий, CрхСий, CохСий типидаги мураккаб бирикмадан ташкил топиши, бу қатлам қалинлигининг металл атомлари миқдорига, температурага, тоблаш вақтига ва вакуумнинг даражасига боғлиқлиги аниқланган;
диффузион тўйиниш температурасидаги металл атомларининг эрувчанлик миқдори билан эрувчанликдан 2÷4 тартибга кўп бўлган сирт олди соҳасидаги металл консентрацияси ўртасида мавжуд бўлган қарама-қаршилик тушунтирилган. Металл атомларининг кремний сирт олди соҳасидаги бундай эрувчанлиги металлнинг кремний билан кимёвий бирикиши туфайли ҳосил бўладиган металл силицидлари билан боғлиқ эканлиги аниқланган;
металл атомлари билан легирланган кремнийни кристалл чуқурлиги бўйича фотозонд тадқиқотлари асосида бир жинсли бўлмаган соҳалар топографияси аниқланган ва ички электр майдон ўлчанган. Легирланган кристалл бир жинсли бўлмаган соҳалари металл атомларининг силицид тўпламлари туфайли ҳосил бўлиши аниқланган;
Мн, Cр, Cо билан легирланган Си сирт олди соҳасининг п – тип ўтказувчанликка эга бўлиши, ток ташувчилар консентрацияси 1020 ÷ 1021 см-3 ва Холл силжувчанлиги 1 ÷ 17 см2/В·с га тенг бўлиши аниқланган.
силицид – ярим ўтказгич – силицид типидаги моделлаштирилган структура асосида ток ўтиш механизми назарий ва экспериментал тадқиқ этилган ва инфрақизил, температура сўниши каби фотоелектрик эффектлар тушунтирилган;
хром, кобалт, марганец силицидларининг термоелектрик хоссалари тадқиқ этилган ва оптимал термоелектрик хоссали ярим ўтказгичли материал синтези технологиясини айтиб бериш тавсия этилган;
Мн, Cр, Cо билан легирланган Си кристалларида фотоўтказувчанлик ва фотоЕЮК кристаллнинг 30 мкм чуқурлигида энг катта қийматга эга бўлиши аниқланган;
ёритилганликнинг ВАХга та'сирини ўрганилиб, п+-и-п+ структуранинг фотосезгирлиги энг катта қийматга ихтиёрий ёритилганлик интенсивликларида ўтиш 0,8 ± 0,1 В га силжиганида эришиши аниқланган;
п+-и-п+ ва п-и-н структуралар асосида юқори фотосезгирликка эга фотоелектрик қурилма ва инфрақизил нурларни сезувчи датчиклар яратилган.  
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремнийни марганец, хром ва кобалт атомлари билан диффузион усулда легирлаганда унинг сирт олди соҳасида силицидларнинг шаклланиши ҳамда уларнинг электрофизик, фотоелектрик, термоелектрик хоссаларини тадқиқ этиш натижалари асосида:
марганец, хром ва кобалт атомлари билан легирланган кремний асосида яратилган п+- и – п+, п+ - и – м структуралар асосида яратилган юқори сезгирликдаги электрон термометрлар ва нам ўлчагичлардан ва уларни ясаш технологияларидан "ФОТОН" АЖ да фойдаланилган ("Узелтехсаноат" АК томонидан 2021-йил 22-декабрда берилган №04-3/2716 рақамли ма'лумотнома).  Илмий натижалардан фойдаланиш тайёр маҳсулолар омборида ҳарорат ва намликни ушлаб туриш ва “Фотон” АЖ да ишлаб чиқарилган маҳсулотларни назорат қилиш имкониятини берган.
Кремнийни металл атомлари билан легирлаганда ҳосил бўладиган силицидларни ҳосил қилиш технологиясидан, силицид – яримўтказгич – силицид орқали ток ўтиш физик механизмидан, оптимал термоелектрик ва фотоелеткрик хоссали яримўтказгичли силицидларни синтез қилиш усулларидан ФА – Ф3 – 004 "Юқори самарадорликка эга бўлган арзон фотоалмаштиргичлар ва улар асосида яратиладиган узоқ хизмат қиладиган фотоенергетик қурилмалар учун фундаментал янги физик моделлар, механизмлар, усулларни ўрганиш" мавзусидаги фундаментал лойиҳасида фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси томонидан 2022-йилнинг 18-апрелида берилган №2/1255-895-рақамли ма'лумотнома). Олинган натижалар юқори самарадорли, арзон фотоалмаштиргичлар яратиш имкониятини берган.