Isaev Maxmudxodja Sharipovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Marganes, xrom, kobalt silisidlari va ular asosida yaratilgan strukturalarning elektrofizik xossalarini tadqiq etish”, 01.04.10 – yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.3.DSc/FM184
Ilmiy maslahatchi: Mamadalimov Abdugafur Tishabaevich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy universiteti.  
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Zaynabidinov Sirojiddin Zaynobidinovich, fizika-matematika fanlari doktori, akademik;
Ayupov Kutup Sautovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Onarkulov Karimberdi Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Namangan muhandislik-texnologiya instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqot maqsadi Si<Mn>, Si<Cr>, Si<Co> ning elektrik, termoelektrik va fotoelektrik xossalarini o‘tkazuvchanlik taqsimotiga bog‘liq holda kompleks tadqiq qilish, shuningdek yupqa silisid pardalar va kremniy sirt oldi sohasi strukturasi va tarkibini elektron mikroskopiya, tezlashtirilgan ionlar sochilish spektroskopiyasi usullari bilan tadqiq etish va ular asosida turli sezgir yarim o‘tkazgichli asboblar yaratish imkoniyatini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
elektrik, rentgen fazali, fotozondli usullar bilan, shuningdek elektron mikroskopiya usuli, tezlashtirilgan ionlarning sochilish spektroskopiyasi bilan marganes, xrom va kobalt bilan diffuzion legirlangan kremniy sirt oldi qatlami hosil bo‘lish tabiati tadqiq qilingan. Metall atomlari bilan legirlangan kremniy sirt oldi sohasi MnxSiy, CrxSiy, CoxSiy tipidagi murakkab birikmadan tashkil topishi, bu qatlam qalinligining metall atomlari miqdoriga, temperaturaga, toblash vaqtiga va vakuumning darajasiga bog‘liqligi aniqlangan;
diffuzion to‘yinish temperaturasidagi metall atomlarining eruvchanlik miqdori bilan eruvchanlikdan 2÷4 tartibga ko‘p bo‘lgan sirt oldi sohasidagi metall konsentratsiyasi o‘rtasida mavjud bo‘lgan qarama-qarshilik tushuntirilgan. Metall atomlarining kremniy sirt oldi sohasidagi bunday eruvchanligi metallning kremniy bilan kimyoviy birikishi tufayli hosil bo‘ladigan metall silisidlari bilan bog‘liq ekanligi aniqlangan;
metall atomlari bilan legirlangan kremniyni kristall chuqurligi bo‘yicha fotozond tadqiqotlari asosida bir jinsli bo‘lmagan sohalar topografiyasi aniqlangan va ichki elektr maydon o‘lchangan. Legirlangan kristall bir jinsli bo‘lmagan sohalari metall atomlarining silisid to‘plamlari tufayli hosil bo‘lishi aniqlangan;
Mn, Cr, Co bilan legirlangan Si sirt oldi sohasining p – tip o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi, tok tashuvchilar konsentratsiyasi 1020 ÷ 1021 sm-3 va Xoll siljuvchanligi 1 ÷ 17 sm2/V·s ga teng bo‘lishi aniqlangan.
silisid – yarim o‘tkazgich – silisid tipidagi modellashtirilgan struktura asosida tok o‘tish mexanizmi nazariy va eksperimental tadqiq etilgan va infraqizil, temperatura so‘nishi kabi fotoelektrik effektlar tushuntirilgan;
xrom, kobalt, marganes silisidlarining termoelektrik xossalari tadqiq etilgan va optimal termoelektrik xossali yarim o‘tkazgichli material sintezi texnologiyasini aytib berish tavsiya etilgan;
Mn, Cr, Co bilan legirlangan Si kristallarida fotoo‘tkazuvchanlik va fotoEYuK kristallning 30 mkm chuqurligida eng katta qiymatga ega bo‘lishi aniqlangan;
yoritilganlikning VAXga ta'sirini o‘rganilib, p+-i-p+ strukturaning fotosezgirligi eng katta qiymatga ixtiyoriy yoritilganlik intensivliklarida o‘tish 0,8 ± 0,1 V ga siljiganida erishishi aniqlangan;
p+-i-p+ va p-i-n strukturalar asosida yuqori fotosezgirlikka ega fotoelektrik qurilma va infraqizil nurlarni sezuvchi datchiklar yaratilgan.  
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniyni marganes, xrom va kobalt atomlari bilan diffuzion usulda legirlaganda uning sirt oldi sohasida silisidlarning shakllanishi hamda ularning elektrofizik, fotoelektrik, termoelektrik xossalarini tadqiq etish natijalari asosida:
marganes, xrom va kobalt atomlari bilan legirlangan kremniy asosida yaratilgan p+- i – p+, p+ - i – m strukturalar asosida yaratilgan yuqori sezgirlikdagi elektron termometrlar va nam o‘lchagichlardan va ularni yasash texnologiyalaridan "FOTON" AJ da foydalanilgan ("Uzeltexsanoat" AK tomonidan 2021-yil 22-dekabrda berilgan №04-3/2716 raqamli ma'lumotnoma).  Ilmiy natijalardan foydalanish tayyor mahsulolar omborida harorat va namlikni ushlab turish va “Foton” AJ da ishlab chiqarilgan mahsulotlarni nazorat qilish imkoniyatini bergan.
Kremniyni metall atomlari bilan legirlaganda hosil bo‘ladigan silisidlarni hosil qilish texnologiyasidan, silisid – yarimo‘tkazgich – silisid orqali tok o‘tish fizik mexanizmidan, optimal termoelektrik va fotoeletkrik xossali yarimo‘tkazgichli silisidlarni sintez qilish usullaridan FA – F3 – 004 "Yuqori samaradorlikka ega bo‘lgan arzon fotoalmashtirgichlar va ular asosida yaratiladigan uzoq xizmat qiladigan fotoenergetik qurilmalar uchun fundamental yangi fizik modellar, mexanizmlar, usullarni o‘rganish" mavzusidagi fundamental loyihasida foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi tomonidan 2022-yilning 18-aprelida berilgan №2/1255-895-raqamli ma'lumotnoma). Olingan natijalar yuqori samaradorli, arzon fotoalmashtirgichlar yaratish imkoniyatini bergan.