Рахмонов Тохирбек Имомалиевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Юпқа қатламли CдТехСейС1-(х+й) поликристалл структураларнинг технологияси ва фото-тензоелектрик хоссалари”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси”.
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2021.4.PhD/FM658.
Илмий раҳбар: Юлдашев Носиржон Хайдарович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “Фарғона политехника институти”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Нуритдинов Иззатилло, физика-математика фанлари доктори, профессор; Гулямов Гафур, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номидаги Миллий университет ҳузуридаги Ярим ўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: вакуумда термик буғлатиш усулини такомиллаштириш орқали турли таркибдаги CдТехСейС1-(х+й) юпқа қатламли структураларни олишнинг оптимал технологик режимларини аниқлаш ва уларнинг фото-тензоелектрик хоссаларини ўрнатишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор П≈10-1-10-2 Па  вакуумда 40-50 мг бошланғич материални порциялаб буғлатиш орқали Тп=250-350 К температурали шиша тагликда CдТе, CдСе, CдС фотоволтаик юпқа қатламлар олиш технологияси ишлаб чиқилган ҳамда фотокучланиш, қисқа туташув фототоки спектрларининг деформация, ҳароратга боғланишини таҳлил қилиш асосида аномал фотоволтаик эффект ассиметрик потенциал тўсиқларнинг занжирлари туфайли юзага келиши аниқланган.
икки қўшни кристалл донлар чегарасидаги сиртолди соҳаларнинг ассиметрик фотоволтаик хусусиятларини ва бурчак остида ўтқизилган юпқа қатлам ўсишининг реал структурасини ҳисобга олган ҳолда аномал фото-ЭЮК шаклланишининг феноменологик назарияси ривожлантирилган ва у экспериментал олинган спектрал,  люксволтаик хусусиятларга сифат жиҳатидан қониқарли мос келиши кўрсатилган.
илк бор қалинлиги д≈0,8-1,0 мкм бўлган юқори қаршиликли CдТе:Сн юпқа қатламлар учун Сн миқдори 0 дан 5 атом.% гача ортганда фотокучланиш қиймати 400 дан 4200 В гача ўсиши, сўнгра Сн 8 атом.% гача кўпайганда секин-аста 2000 В га тушиши, уларнинг деформация характеристикаси чизиқли ва барқарор тензо сезгирликка эга бўлиши аниқланган.
қалинлиги д10.0-15.0 мкм CдСе0.8С0.2 юпқа қатламлар фаолланиш энергияси Эc-0,60.02 эВ бўлган ортиқча кадмий туфайли электрон ўтказувчанликка эга бўлиши кўрсатилган.  CдCл2 буғида 4 мин термик ишлов берилганда, кадмий вакансияси ва хлор атомининг комплекси- Эв+(0,420,02) эВ, тез рекомбинация маркази- Эв+(0,920,02) эВ, шунингдек селен ва кадмий вакансиясининг комплекси- Эc - (0,19  0,02) эВ ҳосил бўлиши аниқланган.
фоторезистив CдСе0.8CдС0.2 юпқа қатламлар этарли даражада юқори К2102 нис.б. тензосезгирликка  эга бўлиб, ёритиш интенсивлиги Л ортиши билан камайиши ва Л104 лк қийматларда юқори фотоўтказувчанлик  остида деярли  йўқолиб кетиши  аниқланган.
IV. Тадқиқот натижалариниг жорий қилиниши.
Юпқа қатламли поликристалл CдТехСейС1-(х+й) структураларнинг технологиясини ишлаб чиқиш ва фото-тензоелектрик хоссаларини ўрганиш натижаларига кўра:  
кадмий халкогенидларининг поликристалл юпқа пардаларидаги деформация ҳодисаларини таҳлил қилишнинг назарий ва экспериментал усуллари ишлаб чиқилган, бу вакуумда термик  буғлатиш усули билан яримўтказгичли фото-тензодатчиклар олиш технологиясини такомиллаштириш имконини берди ва у «Узелтехсаноат» АК «ФОТОН» АЖ  (“Узелтехсаноат” АК нинг 06.04.2023 й. даги № 04-3/339 сонли маълумотномаси)” корхоналарида жорий этилиши мумкин. Ушбу илмий янгиликни қўллаш, шубҳасиз, яримўтказгич юпқа пардали фото ва тензодатчиклар тайёрлаш усулини модернизация қилишга олиб келган;
поликристал CдТе, CдСе, CдС, CдТе:Сн ва CдЦехС1-х юпқа қатламларининг фото-тензоелектрик хоссаларини тадқиқот натижалари ва кристалл донларнинг чизиқли даврий ассиметрик структураларида юқори кучланишли фото-ЭЮКни ҳисоблаш усули ОТ-Ф2-70 «Кучли электромагнит майдондаги наноўлчамли яримўтказгич параметрларига ҳарорат, деформация ва ёруғликнинг таъсири» илмий лойиҳани бажаришда қўлланилган (лойиҳа раҳбари проф. Г.Гулямов, Наманган муҳандислик-қурилиш институтининг 2023-йил 25-мартдаги 06/10-09/276-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш ёруғликнинг хусусий ва киришмали ютилишида кучли легирланган яримўтказгичли структураларда электрон кинетик ҳодисаларнинг физик механизмларини таҳлил қилиш имконини берган.