Raxmonov Toxirbek Imomalievichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Yupqa qatlamli CdTexSeyS1-(x+y) polikristall strukturalarning texnologiyasi va foto-tenzoelektrik xossalari”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi”.
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.4.PhD/FM658.
Ilmiy rahbar: Yuldashev Nosirjon Xaydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: “Farg‘ona politexnika instituti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona politexnika instituti, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Rasmiy opponentlar: Nuritdinov Izzatillo, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Gulyamov Gafur, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomidagi Milliy universitet huzuridagi Yarim o‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: vakuumda termik bug‘latish usulini takomillashtirish orqali turli tarkibdagi CdTexSeyS1-(x+y) yupqa qatlamli strukturalarni olishning optimal texnologik rejimlarini aniqlash va ularning foto-tenzoelektrik xossalarini o‘rnatishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor P≈10-1-10-2 Pa  vakuumda 40-50 mg boshlang‘ich materialni porsiyalab bug‘latish orqali Tp=250-350 K temperaturali shisha taglikda CdTe, CdSe, CdS fotovoltaik yupqa qatlamlar olish texnologiyasi ishlab chiqilgan hamda fotokuchlanish, qisqa tutashuv fototoki spektrlarining deformatsiya, haroratga bog‘lanishini tahlil qilish asosida anomal fotovoltaik effekt assimetrik potensial to‘siqlarning zanjirlari tufayli yuzaga kelishi aniqlangan.
ikki qo‘shni kristall donlar chegarasidagi sirtoldi sohalarning assimetrik fotovoltaik xususiyatlarini va burchak ostida o‘tqizilgan yupqa qatlam o‘sishining real strukturasini hisobga olgan holda anomal foto-EYuK shakllanishining fenomenologik nazariyasi rivojlantirilgan va u eksperimental olingan spektral,  lyuksvoltaik xususiyatlarga sifat jihatidan qoniqarli mos kelishi ko‘rsatilgan.
ilk bor qalinligi d≈0,8-1,0 mkm bo‘lgan yuqori qarshilikli CdTe:Sn yupqa qatlamlar uchun Sn miqdori 0 dan 5 atom.% gacha ortganda fotokuchlanish qiymati 400 dan 4200 V gacha o‘sishi, so‘ngra Sn 8 atom.% gacha ko‘payganda sekin-asta 2000 V ga tushishi, ularning deformatsiya xarakteristikasi chiziqli va barqaror tenzo sezgirlikka ega bo‘lishi aniqlangan.
qalinligi d10.0-15.0 mkm CdSe0.8S0.2 yupqa qatlamlar faollanish energiyasi Ec-0,60.02 eV bo‘lgan ortiqcha kadmiy tufayli elektron o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi ko‘rsatilgan.  CdCl2 bug‘ida 4 min termik ishlov berilganda, kadmiy vakansiyasi va xlor atomining kompleksi- Ev+(0,420,02) eV, tez rekombinatsiya markazi- Ev+(0,920,02) eV, shuningdek selen va kadmiy vakansiyasining kompleksi- Ec - (0,19  0,02) eV hosil bo‘lishi aniqlangan.
fotorezistiv CdSe0.8CdS0.2 yupqa qatlamlar etarli darajada yuqori K2102 nis.b. tenzosezgirlikka  ega bo‘lib, yoritish intensivligi L ortishi bilan kamayishi va L104 lk qiymatlarda yuqori fotoo‘tkazuvchanlik  ostida deyarli  yo‘qolib ketishi  aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarinig joriy qilinishi.
Yupqa qatlamli polikristall CdTexSeyS1-(x+y) strukturalarning texnologiyasini ishlab chiqish va foto-tenzoelektrik xossalarini o‘rganish natijalariga ko‘ra:  
kadmiy xalkogenidlarining polikristall yupqa pardalaridagi deformatsiya hodisalarini tahlil qilishning nazariy va eksperimental usullari ishlab chiqilgan, bu vakuumda termik  bug‘latish usuli bilan yarimo‘tkazgichli foto-tenzodatchiklar olish texnologiyasini takomillashtirish imkonini berdi va u «Uzeltexsanoat» AK «FOTON» AJ  (“Uzeltexsanoat” AK ning 06.04.2023 y. dagi № 04-3/339 sonli ma’lumotnomasi)” korxonalarida joriy etilishi mumkin. Ushbu ilmiy yangilikni qo‘llash, shubhasiz, yarimo‘tkazgich yupqa pardali foto va tenzodatchiklar tayyorlash usulini modernizatsiya qilishga olib kelgan;
polikristal CdTe, CdSe, CdS, CdTe:Sn va CdSexS1-x yupqa qatlamlarining foto-tenzoelektrik xossalarini tadqiqot natijalari va kristall donlarning chiziqli davriy assimetrik strukturalarida yuqori kuchlanishli foto-EYuKni hisoblash usuli OT-F2-70 «Kuchli elektromagnit maydondagi nanoo‘lchamli yarimo‘tkazgich parametrlariga harorat, deformatsiya va yorug‘likning ta’siri» ilmiy loyihani bajarishda qo‘llanilgan (loyiha rahbari prof. G.Gulyamov, Namangan muhandislik-qurilish institutining 2023-yil 25-martdagi 06/10-09/276-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yorug‘likning xususiy va kirishmali yutilishida kuchli legirlangan yarimo‘tkazgichli strukturalarda elektron kinetik hodisalarning fizik mexanizmlarini tahlil qilish imkonini bergan.