Рашидов Бобур Дилмуродовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремнийли п-н структураларнинг фотоелектрик хусусиятларига локал механик зўриқишнинг таъсири» 01.04.07 – «Конденсирланган ҳолат физикаси» (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.3.PhD/FM643
Илмий раҳбар: Абдуазимов Валижон Адҳамович, физика-математика фанлари номзоди, доцент Диссертация бажарилган муассаса номи: Заҳириддин Муҳаммад Бобур номидаги Андижон давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, PhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Расулов Акбарали Махамматович – Тошкент ахборот технологиялари университети Фарғона филиали профессори, физика-математика фанлари доктори.
Зикриллаев Нурилла Фатхуллаевич – Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети профессори, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университет ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: кремнийли п-н структуралардаги фотоелектрик номувозанатли заряд кўчиш жараёнларига локал босимнинг таъсирини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк марта замонавий материалларни моделлаштиришга имкон берувчи “CАСТЕП” коди ёрдамида кремнийга [100] йўналишда  2 ГПа ва 6 ГПа механик кучланиш оралиғида тақиқланган соҳа кенглиги, электрон ва оғир ковакнинг эффектив массалари  чизиқли камайиши, механик кучга нисбатан ўзгаришлари мос равишда 0,1238 эВ/ГПа, 6Е-3 1/ГПа ва 7,9Е-3 1/ГПа га тенг бўлиши аниқланган;
илк марта локал механик куч таъсири 4 ÷ 20 Н оралиғида ортганда, монокристалл кремний асосли қуёш элементи учун қисқа туташув токи зичлиги 19 мА/см2 га ночизиқли, поликристалл қуёш элементи учун эса 2 мА/см2 га чизиқли ортиши аниқланган;
локал механик куч таъсири 4 ÷ 12 Н оралиғида ортганда, монокристалл кремний асосли п-н ўтишга эга қуёш элементи тўлдириш коеффициенти ФФ~5,75 % га ортиши, механик куч 12 Н дан 20 Н га ортганда, ФФ~1,23% га камайиши аниқланган. Поликристалл кремний асосли п-н ўтишга эга қуёш элементининг ФФ~1 % камайиши аниқланган.
илк марта локал механик куч таъсири 4 ÷ 20 Н оралиғида, моно-ва поликристалл кремнийли п-н ўтишнинг ёруғликдаги идеаллик коеффициенти Синтон компаниясининг Сунс-Воc тажриба қурилмасида ўлчанди. Монокристалл кремний асосли п-н ўтишнинг н=0,467 га, поликристалл кремний асосли п-н ўтишнинг учун эса н=0,172 га камайиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремнийли п-н структураларнинг фотоелектрик хусусиятларига локал механик зўриқишнинг таъсирини ўрганиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:    
фотоелектрик энергия ўзгартиришларнинг фотосезувчанликни оширишнинг янги усули асосида “Фотоелектрик ўзгартиргич”га Ўзбекистон Республикаси интеллектуал мулк агентлиги томонидан фойдали модел учун патент олинган (Патент УЗ № ФАП 01801, Ариза № ФАП 2020 0112; 26.05.2020. Расмий Бюллетен № 2, 2022). Ишлаб чиқилган ушбу янги технологик усул ясси п-н ўтишли кремний сиртига берилган локал механик кучланиш таъсири натижасида кўринма нур соҳаси доирасида ишловчи қурилманинг фотосезгирлигини ошириш имконини берган;
рақамли ҳисоблаш усуллари ва бажарилган тажрибалар бўйича олинган маълумотлар, хусусан, локал механик кучланиш таъсирида замонавий кремнийли фотоелектрик п-н структураларнинг волт-ампер характеристикалари ва асосий фотоелектрик параметрларининг ўзгариш хусусиятлари «ФОТОН» акциядорлик жамиятида параметрлари яхшиланган фотоелектрик қурилмалар ишлаб чиқаришда қўлланилган (“Узелтехсаноат” уюшмасининг 2022-йил 28-сентябрдаги 264-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш ҳозирги кунда ишлаб чиқариш шароитида кремний асосли қуёш элементларида кечадиган фотоелектрик жараёнларни оптималлаштириш ва уларнинг самарадорлигини ошириш имконини берган. Натижада турли қалинликдаги кремний пластиналарида ва турли п-н ўтиш чуқурлигига эга структураларда локал механик куч таъсири фотосезгирликнинг намоён бўлиш шартлари ва физик механизмлари аниқланган.