Есбергенов Дарябай Муратбаевичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Синк ва никел билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларини тадқиқ қилиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.2.PhD/FM374
Илмий раҳбар: Насриддинов Сайфилло Саидович, техника фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий Университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Қўлдашов Оббозжон Хокимович, техника фанлари доктори, доцент; Турсунов Икромжон Ғуломжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор. 
Етакчи ташкилот: Фарғона Давлат Университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади синк ва никел қўшилган кремнийда нуқсон ҳосил бўлиш жараёнларининг хусусиятларини комплекс ўрганиш. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
фотосиғим ва фотоўтказувчанлик усуллари мажмуаси ёрдамида никел ва синк киришмаларининг кремнийга диффузия усули орқали киритилиши натижасида Си<Ни>да ЕC – 0,41 эВ ва ЕВ + 0,20 эВ; Си<Зн>да ЕC – 0,55 эВ ва ЕВ + 0,31 эВ чуқур сатҳлар пайдо бўлиши аниқланган;
илк бор фотосиғим ва фотоўтказувчанлик усуллари орқали кремний намуналарида никел ва синк киришмаларининг биргаликда киритилиши натижасида ЭC – 0,25 эВ ионланиш энергиясига эга бўлган қўшимча янги чуқур сатҳ ҳосил бўлиши аниқланган; 
илк бор ёруғликнинг комбинацион сочилиши ва рентген нурлари диффракция усулларидан фойдаланиб кремнийга никел атомлари киритилганда Ни-О типидаги комплекс ҳосил бўлиши, синк атомлари киритилганда Зн-О, никел ва синк атомлари кремнийга биргаликда киритилганида эса Зн-Ни типидаги бирикмалар ҳосил бўлиши аниқланган;
кремнийни Зн ва Ни киришмалари билан легирлаш оптик фаол тугунлараро кислород консентрацияси-N_О^opt ни 20÷30% га сезиларли пасайишига олиб келиши ва уларнинг биргаликда киритилиши N_О^opt нинг 40÷45% га камайиши аниқланган;
илк бор фотосиғим ва ёруғликнинг комбинацион сочилиши усуллари орқали Си даги Зн ва Ни киришма атомларининг мавжудлиги юқори ҳароратли ишлов беришда термик нуқсонларнинг ҳосил бўлиш самарадорлигини 2÷4 баробарга камайтирилиши кўрсатилган, бу эса кремний параметрларининг барқарорлигини яхшилаш имконини берган;    
илк бор рентген нурлари дифракцияси ва инфрақизил ютилиши усулларида Зн ва Ни атомлари билан легирланган кремний кристаллининг мукаммаллик даражаси намуналар олиш технологиясига боғлиқлиги аниқланган: Ни ва Зн атомлари кетма-кет киритилган Си намуналарида кристаллографик йўналиши Си(111) нинг рефлекси максимал интенсивликка эгалиги ва бу Си кристалл структураси тартибинининг яхшиланганлигини кўрсатган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Синк ва никел киришмалари билан легирланган монокристалли кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиши бўйича олинган илмий натижалар асосида:
Синк ва никел билан легирланган кремнийда нуқсон ҳосил бўлиш жараёнларининг самарадорлиги нуқсон структурасига ва кремнийни ушбу киришмалар билан легирлашнинг технологик режимарига боғлиқлиги; кремнийда термик нуқсонларнинг ҳосил бўлиш самарадорлигини 3÷4 баробар пасайишига олиб келадиган никел ва синкни кремнийга диффузияли киритиш технологияси “ФОТОН” акциядорлик жамиятида кремний асосидаги диодли конструкцияларни олишда қўлланилди 
(АК “Ўзелтехсаноат” 2023 йил 13 февралдаги 04-3/165-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш жаҳон аналоглари даражасидаги параметрларга мос келадиган электрофизик параметрларга эга маҳсулот намуналарини ишлаб чиқариш имконини берган;
кремний конструксияларининг электрофизик параметрларини барқарорлаштиришга олиб келадиган турли тез диффузияланадиган металларнинг, шу жумладан никел атомларининг диффузия йўли билан кремнийга кириб боришини олдини олиш учун оптималлаштирилган технологик легирлаш режимлари; легирланган кремнийнинг нуқсонли тузилишини назорат қилиш имконияти ва турли хил дастлабки иссиқлик билан ишлов беришдан фойдаланган ҳолда чуқур марказларни  ҳосил қилиш самарадорлигини 2-3 баробар ошириш имконияти Ядро физикаси институтининг ФА-Атех-2018-176-сонли - “Олтингугурт киришмаси билан легирланган кремний монокристалл плёнкалар олиш радиацион технология усулини яратиш” лойиҳасини амалга оширишда фойдаланилди.  (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2023 йил 23 январдаги 29-2115-сон гувоҳномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш кремнийдаги ўтиш элементларининг тез тарқаладиган электроактив атомларининг тарқалиши ва консентрациясини назорат қилиш имконини берган.