Kosbergenov Ernazar Jusipbay o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Nikel bilan legirlangan kremniy va uning asosidagi fotoelementlar parametrlariga harorat va gamma nurlanishning ta’siri”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.4.PhD/FM769
Ilmiy rahbar: Ismaylov Qanatbay Abdreymovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Berdaq nomidagi Qoraqalpoq davlat universiteti va Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Turgunov Nozimjon Abdumannopovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent; Yo‘lchiev Shaxriyor Xusanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Namangan davlat universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi nikel kirishma atomlari bilan legirlangan mono-Si va poli-Si hamda ular asosidagi FElar parametrlariga harorat va gamma-nurlanish ta’sirining o‘ziga xos jihatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
850÷1200 °C harorat oralig‘ida diffuziya usulida nikel bilan legirlangan 
poli-Si sirtidagi nikel kirishma atomlari konsentratsiyasi, mono-Si namunalaridagidan ~3÷4 marta katta ekanligi aniqlangan;
diffuziya harorati 850°C dan 1200°S gacha oshishi bilan, poli-Si sirtidagi nikel kirishma atomlarining konsentratsiyasi 9,43∙1013 sm-2 dan 1,2∙1013 sm-2 gacha kamayishi aniqlangan;
poli-Si namunalarida diffuziya harorati 1200℃ bo‘lganda elektrfaol nikel atomlari konsentratsiyasi ~4∙1013 sm-3 ga tengligi va bu qiymat mono-Si namunalaridagiga nisbatan bir tartibga kichik ekanligi aniqlangan;
diffuziya usuli bilan legirlangan poli-Si da nikel kirishma atomlari birikmalarining o‘lchami mono-Si namunalariga nisbatan ~102 marta kichik ekanligi, ularning konsentratsiyasi esa ~103 marta katta ekanligi infraqizil mikroskopiya usuli yordamida aniqlangan; 
o‘stirish jarayonida, nikel bilan legirlangan mono-Si namunalarida nikel birikmalari o‘lchami ~6÷8 mkm ga va ularning konsentratsiyasi ~(5÷8)∙103 sm-2 ga tengligi infraqizil mikroskopiya usuli yordamida aniqlangan. Bunday namunalar hajmida nikel kirishma atomlarining konsentratsiyasi ~(1÷2)∙1017 sm-3 ga teng bo‘lishi ikkilamchi ionli  mass spektroskopiya usuli yordamida aniqlangan;
termik ishlov harorati 450°C dan 1200°C gacha oshirilganda o‘stirish jarayonida nikel atomlari bilan legirlangan mono-Si sirtidagi nikel kirishma atomlari konsentratsiyasi mos ravishda 1,05∙1011 sm-2 dan 5,07∙1012 sm-2 gacha oshib borishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Nikel kirishma atomlari bilan legirlangan mono- va polikristall kremniy va ular asosidagi fotoelementlar parametrlariga termik ishlov va gamma nurlanish ta’sirining o‘ziga xos tomonlarini o‘rganish asosida:
nikel bilan diffuziyaviy legirlangan poli-Si namunalarining yuzasidagi nikel atomlarining konsentratsiyasi mono-Si namunalaridagiga nisbatan ~3÷4 marta katta ekanligidan, namunalar yuzasidagi nikel konsentratsiyasi diffuziya harorati oshishi bilan kamayib borishidan shuningdek termik ishlov harorati 450°C dan 1200°C gacha oshishi bilan (termik ishlov vaqti 2 soat), o‘stirish jarayonida nikel kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy sirtidagi nikel kirishma atomlari konsentratsiyasi mos ravishda 1,05∙1011 dan 5,07∙1012 at./sm2 gacha oshib borishidan «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida polikristall va monokristall kremniyning termik ishlov berishga va gamma nurlanishga chidamliligini oshirish uchun optimal texnologik echimni aniqlashda foydalanilgan (“Uzeltexsanoat” uyushmasining 2022 yil 28 dekabrdagi № 04-3/1894 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish jahon analoglari natijalariga mos va gamma nurlanishga chidamli bo‘lgan tajriba namunalarini ishlab chiqarish imokonini bergan;
diffuziya usulida legirlangan poli-Si da, elektrofaol nikel atomlari konsentratsiyasi, mono-Si dagi elektrofaol nikel atomlari konsentratsiyasidan bir tartibga kichik va diffuziya harorati 1200℃ bo‘lganda qiymati ~ 4∙1013 sm-3 ga tengligidan, diffuziya harorati oshishi bilan (T>1000℃), nikel kirishma atomlari bilan legirlangan, poli-Si asosidagi fotoelementlar parametrlari (qisqa tutashuv toki, salt yurish kuchlanishi), nazorat fotoelementlari parametrlariga nisbatan oshib borishidan, legirlash usuliga bog‘liq bo‘lmagan ravishda (diffuziya usulida legirlash, o‘stirilayotganda legirlash), nikel atomlarining kremniyda mavjud bo‘lishi, ~450℃ haroratli termik ishlov berishda hosil bo‘luvchi termodonorlarning, tez sovutish bilan yakunlanadigan termik ishlovda hosil bo‘ladigan termonuqsonlarning hamda gamma nurlanish ta’sirida hosil bo‘ladigan radiatsion nuqsonlarning hosil bo‘lishiga to‘sqinlik qilishidan, termik ishlov (2 soat davomida) harorati 450°C dan 1200°C gacha oshishi bilan o‘stirish jarayonida nikel kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy sirtidagi nikel atomlari konsentratsiyasi mos ravishda 1,05∙1011 dan 5,07∙1012 at./sm2 gacha oshib borishidan “Legirlangan monokristal kremniy yadro transmutatsiyasida radiatsion-stimullangan jarayonlar” mavzusidagi F-2-41 fundamental loyihasini bajarishda foydalanilgan (O‘zR FA ning 2022 yil 12 dekabrdagi № 2/1255-3123 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yadroviy transmutatsiya jarayonida legirlangan namunalarda nikel konsentratsiyasini va termik barqarorligini aniqlash imkonini bergan.