Alimov Nodir Esonalievichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Xususiyatlari boshqariladigan CdTe-SiO2-Si-Al va CdTe-ZnSe keng zonali yarimo‘tkazgichlar asosidagi geterostrukturalardagi fotoelektrik xodisalar”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.2.PhD/FM29
Ilmiy rahbar: Otajonov Salim Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Farg‘ona davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muxammadjon G‘ulomqodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Ayupov Kutub Sautovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Nukus davlat pedagogika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: CdTe-SiO2-Si-Al va CdTe-ZnSe geterostrukturalarda chuqur sathlarga bog‘liq yangi fotoelektrik xodisalarni aniqlash, ular asosida ko‘rinma va infraqizil nurlanishga yaqin sohalarda samarali bo‘lgan fotoo‘zgartirgichlarni yaratishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor 300–2300 nm diapazonda lazer nuri bilan qo‘zg‘atishdan foydalangan holda mikroto‘lqinli zond va kontaktli fotoo‘tkazuvchanlik usullari bilan CdTe-SiO2 -Si-Al geterostrukturasida o‘tish jarayonlarni kompleks o‘lchashdan foydalanib sirt rekombinasiyasining xarakterli vaqti = 19 ns ekanligi aniqlangan;
CdTe-SiO2 -Si-Al va CdTe-ZnSe yupqa pardali geterostrukturalar asosida 0,4 - 3,0 mkm to‘lqin uzunligida ishlaydigan fotodetektorlarni olishning optimal texnologiyalari ishlab chiqilgan;
ilk bor CdTe-SiO2 -Si-Al va CdTe-ZnSe geterostrukturalarida yupqa d ~ (0,5 - 0,8) mkm polikristalli CdTe plyonkalarining fotoo‘tkazuvchanligining stasionar bo‘lmagan o‘tkinchi jarayonlari faollashtirish energiyasi ~ 1,23 eV bo‘lgan chuqur tutkichlar orqali fototashuvchilarning sirt rekombinasiyalari bilan bog‘liqligi aniqlangan;
ilk bor CdTe qatlami sezilarli kirishmaviy fotoo‘tkazuvchanligiga ega ekanligi mikroto‘lqinli zond fotoo‘tkazuvchanligi (MW-PC) usuli bilan aniqlangan va fotoionlanish energiyalari Eb1 = 0,57 eV (tugunlararo Te), Eb2 = 0,94 eV va Eb5 = 1,42 eV (Cd vakansiyasi), Eb4 = 1,13 eV (Te vakansiyasi) va Eb3 = 1,05 eV (Cd va Te nuqtaviy nuqsonlarining kompleksi) bo‘lgan ichki nuqsonlarning hajmli tuzoqlari mavjudligi topilgan.
ilk bor CdTe-SiO2 -Si-Al va CdTe-ZnSe yupqa pardali geterostrukturalarning fotosezgirlik spektri tashqi elektr maydoniga bog‘liqligi o‘rganilib, kuchlanish 0 dan 100 V gacha oralig‘ida qisqa tutashuv tokining maksimumi (Iqt) spektrning 0,93 - 1,5 eV sohalariga siljishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. CdTe-SiO2-Si-Al asosidagi yupqa pardali geterostrukturalarni strukturaviy, elektrofizik, fotoelektrik xususiyatlari va tok o‘tish mexanizmlari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
CdTe-SiO2-Si-Al geterostrukturani, rentgen nurlarini qayd etish uchun fotodetektor sifatida foydalanish usuli yaratilganligi Namangan muqandislik-qurilish instituti Fizika kafedrasida Davlat ilmiy-texnika dasturlari doirasida 2017-2020 yillarda bajarilgan OT-F2-71. “O‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydondagi deformatsiyalangan p-n-o‘tish vol`t-amper xarakteristikasiga yorug‘likning ta’sirini tadqiq etish” mavzusidagi fundamental loyihada qo‘llanilgan (Namangan muqandislik-qurilish institutining 2021 yil 14 dekabr` № 06/10 son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish, infraqizil fotoqabulqilgichlarni elektrofizik parametrlarini uning analoglari darajasidagi ko‘rsatkichlarga mos keladigan, namunalarini tayyorlash imkonini bergan;
yuqori vakuumda 10-6 mm.sb.ust. ZnSe yuzasiga kondensatsiya tezligi 0,45 nm/s bilan 1 mkm qalinlikda CdTe yupqa qatlamlarini o‘stirish natijasida olingan ZnSe-CdTe geterostrukturalar “OLTARIK-INNOVASIYa” MChJ tashkilotining payvandlash apparatlari va aqlli svetoforlarni ishlab chiqishda yorug‘lik va elektr datchiklar sifatida qo‘llanilgan. CdTe-SiO2 -Si-Al, CdTe-ZnSe geterostrukturalar asosida 0,4 - 3,0 mkm elektromagnit nurlanish diapazonida ishlay oladigan fotodetektorlar va fotodatchiklar yaratish mumkin, ular bilan ul`trabinafsha va rentgen nurlarini qayd etishda “OLTARIK-INNOVASIYa” ma’suliyati cheklangan jamiyatining turli hil texnik ishlanmalarida qo‘llanilishi mumkin (“OLTARIK-INNOVASIYa” ma’suliyati cheklangan jamiyatining 2021 yil 29 oktyabridagi №25/01-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish amalda yorug‘lik va elektr datchiklarning ishchi parametrlarini yaxshilash imkonini bergan;
FOTON OAJda mikroto‘lqinli zond usullaridan foydalangan holda CdTe-SiO2-Si-Al geterostrukturasida vaqtinchalik jarayonlarni kompleks o‘lchash imkoniyati va 300 - 2300 nm oralig‘ida lazer qo‘zg‘alishidan foydalangan holda kontaktli foto o‘tkazuvchanlik o‘z qo‘llanilishini topdi, bu esa sirt rekombinasiyasining xarakterli vaqti = 19 ns tenglini aniqlashga imkon berdi. 0,4 - 3,0 mkm spektral diapazonda elektromagnit nurlanishning fotodetektorlarini va CdTe-SiO2-Si-Al va Cd-da yupqa d ~ (0,5 - 0,8) mkm polikristalli CdTe plyonkalarining fotoo‘tkazuvchanligi stasionar bo‘lmagan vaqtinchalik jarayonlarini yaratish imkoniyati, geterostrukturalar faollashtirish energiyasi ~ 1,23 eV bo‘lgan chuqur tuzoqlar orqali fototashuvchilarning sirt rekombinasiyasi orqali hosil bo‘lishiga olib keladi. Ular FOTON OAJ tomonidan ishlab chiqarilgan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalarni ishlab chiqarishda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2022 yil 21 noyabrdagi 04-3/2405-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish eksperimental namunalarda elektron texnik qurilmalarni ishlab chiqarish va ularning elektrofizik parametrlarini yaxshilash imkonini bergan.
