Naurzalieva Elmira Maxambetyarovnaning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “T-ionlar bilan legirlangan kremniyda chuqur markazlarning degradatsiya jarayonlarini tadqiq qilish”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.1.PhD/FM283
Ilmiy rahbar: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muxammadjon Gulomkodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Ayupov Qutbiddin Sautovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Namangan muhandislik-texnologiya instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi. Kremniydagi chuqur markazlarning degradatsiya jarayonlarini va T-ion kirishmalari (Mn va Ag) bilan legirlangan kremniydagi nuqson hosil bo‘lish jarayonlarini kompleksli o‘rganish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
Mn va Ag kirishmalari bilan legirlangan kremniyning elektrofizik xossalari har tomonlama o‘rganildi va bu kirishmalar n-Si< Mn>da EC-0.42 eV, EC -0.54 eV hamda Si<Ag>da EC -0,53 eV va Ev+0,34 eV energiyali chuqur sathlar hosil qilishi aniqlangan;
kremniydagi T-ionli kirishmalar hosil qilgan chuqur markazlarning termik ishlov berishni ta’siri aniqlangan. Past haroratli termik ishlov berish jarayonida Mn va Ag atomlari kremniy panjarasida beqaror ekanligi va chuqur sathlarning kuyish kinetikasi nochiziqligi aniqlangan;
kremniyga kiritilgan T-ion kirishmalari (Mn, Ag) texnologik kirishmalar (kislorod va uglerod) bilan o‘zaro ta’sirlashib, kiritilgan kirishmaning konsentratsiyasiga qarab optik faol kislorod konsentratsiyasining 10–40% ga kamayishiga olib kelishi aniqlangan.
ilk bor yorug‘likning kombinatsion sochilish spektroskopiyasi yordamida 12000C haroratda kremniy hajmiga diffuziyalangan kumush atomlari Ag-O komplekslarini hosil qilishi, 11000C da esa erkin tugunlararo kislorodning intensiv pretsipitatsiyasi tufayli Ag-O bog‘lanishini aniqlashda konsentratsiyasi juda kam ekanligi aniqlangan;
Mn kirishmasining kremniyda yuqori haroratli diffuziya natijasida MnO2 tipidagi neytral komplekslar hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan. Past haroratli termik ishlov berish MnO2 komplekslarining parchalanishiga olib kelishi aniqlangan;
elektr neytral kirishmalarning (Gd) kremniyga oldindan kiritilishi va keyinchalik uni kumush bilan legirlash ekspluatatsiya jarayonida yarimo‘tkazgichli qurilmalarning parametrlarini degradatsiyasi 2-3 baravar pasayishiga olib kelishi aniqlangan.
ilk bor Si hajmida Gd atomlarining mavjudligi kumush atomlari diffuziya kilinganda  Ag-Gd klasterlarining shakllanishiga olib keladi, bu esa raman spektrining tekislanishiga va nuqsonli tuzilishining yaxshilanishiga olib kelishi ko‘rsatilgan;    
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Mn va Ag kabi T-ionlari bilan legirlangan kremniy va kremniy tuzilmalarida nuqson hosil bo‘lish va chuqur markazlarning degradatsiyasi jarayonlarining xususiyatlarini o‘rganishning olingan ilmiy natijalariga asoslanib:
yarimo‘tkazgichli qurilmalarni ishlab chiqarishda texnologik jarayonlarda yuzaga keladigan turli nuqsonlarning energiya parametrlarini va tuzilishini alohida aniqlash usulidan hamda kumush va marganesning kremniyga diffuzion kiritilishi bilan kremniyda termal nuqsonlarning hosil bo‘lish samaradorligini 2-3 barobarga kamayishidan, shuningdek nodir er elementlarini (gadoliniy) kremniyga qo‘shimcha ravishda kiritish va keyinchalik uni kumush bilan legirlash ishlash jarayonida yarimo‘tkazgichli qurilmalar parametrlarining degradatsiyasini 2-3 marta kamayishidan “FOTON” aksiyadorlik jamiyatida yarimo‘tkazgich plastinalar va diodli strukturalar olishda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” AK 2022 yil 13 dekabrdagi 04-3/2571-son ma’lumotnomasi); Olingan natijalardan foydalanish quvvat diodlari parametrlarining barqarorligini bir necha baravar oshirish va tayyor mahsulotlarni yaroqsizligini aniqlash samaradorligini oshirish imkonini berdi.
dissertatsiya doirasida ishlab chiqilgan texnologik rejimlar asosida Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universitetida 2015-2017 yillarda bajarilgan A-3-73 “Yarimo‘tkazgichli materiallarda klasterli kirishma atomlarini taqsimoti va konsentratsiyasini boshqarish qurilmasini yaratish va ishga tushirish” nomli loyihaning ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda kremniyda o‘tish elementi kirishmalari (T-ionlari) orqali chuqur markazlarni hosil qilish samaradorligi dastlabki monokristalli kremniyning nuqsonli holatiga bog‘liqligini aniqlash, har xil dastlabki issiqlik bilan ishlov berish yordamida legirlangan kremniyning nuqsonli tuzilishini nazorat qilish va chuqur markazlarning hosil bo‘lish samaradorligini 3-4 marta oshirish shuningdek, Si ni Ag kirishmasi bilan oldindan kiritilgan Gd atomlari bilan legirlashning texnologik rejimlari optimallashtirilishi kremniy tuzilmalarining elektrofizik parametrlarini barqarorlashtirish imkonini berdi (O‘zbekiston Respublikasi Oliy ta’lim va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi 28-dekabrdagi №89-02-1006-sonli ma’lumotnomasi). Degradatsiyaga barqaror Si<Ag> - strukturalarni olish  texnologiyasidan mazkur loyihada foydalanish parametrlari termik barqaror yarimo‘tkazgichli materiallarni olish samaradorligini 2 barobarga oshirish imkonini bergan.