Наурзалиева Элмира Махамбетяровнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Т-ионлар билан легирланган кремнийда чуқур марказларнинг деградация жараёнларини тадқиқ қилиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: Б2022.1.PhD/ФМ283
Илмий раҳбар: Утамурадова Шарифа Бекмурадовна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Расмий оппонентлар: Дадамирзаев Мухаммаджон Гуломкодирович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Аюпов Қутбиддин Саутович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Наманган муҳандислик-технология институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади. Кремнийдаги чуқур марказларнинг деградация жараёнларини ва Т-ион киришмалари (Mn ва Ag) билан легирланган кремнийдаги нуқсон ҳосил бўлиш жараёнларини комплексли ўрганиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
Мн ва Аг киришмалари билан легирланган кремнийнинг электрофизик хоссалари ҳар томонлама ўрганилди ва бу киришмалар n-Si< Mn>да EC-0.42 eV, EC -0.54 eV ҳамда Si<Ag>да EC -0,53 eV ва Ev+0,34 eV энергияли чуқур сатҳлар ҳосил қилиши аниқланган;
кремнийдаги Т-ионли киришмалар ҳосил қилган чуқур марказларнинг термик ишлов беришни таъсири аниқланган. Паст ҳароратли термик ишлов бериш жараёнида Mn ва Ag атомлари кремний панжарасида беқарор эканлиги ва чуқур сатҳларнинг куйиш кинетикаси ночизиқлиги аниқланган;
кремнийга киритилган Т-ион киришмалари (Mn, Ag) технологик киришмалар (кислород ва углерод) билан ўзаро таъсирлашиб, киритилган киришманинг консентрациясига қараб оптик фаол кислород консентрациясининг 10–40% га камайишига олиб келиши аниқланган.
илк бор ёруғликнинг комбинацион сочилиш спектроскопияси ёрдамида 12000C ҳароратда кремний ҳажмига диффузияланган кумуш атомлари Ag-О комплексларини ҳосил қилиши, 11000C да эса эркин тугунлараро кислороднинг интенсив претсипитацияси туфайли Ag-О боғланишини аниқлашда консентрацияси жуда кам эканлиги аниқланган;
Mn киришмасининг кремнийда юқори ҳароратли диффузия натижасида MnО2 типидаги нейтрал комплекслар ҳосил бўлиши кўрсатилган. Паст ҳароратли термик ишлов бериш MnO2 комплексларининг парчаланишига олиб келиши аниқланган;
электр нейтрал киришмаларнинг (Gd) кремнийга олдиндан киритилиши ва кейинчалик уни кумуш билан легирлаш эксплуатация жараёнида яримўтказгичли қурилмаларнинг параметрларини деградацияси 2-3 баравар пасайишига олиб келиши аниқланган.
илк бор Си ҳажмида Gd атомларининг мавжудлиги кумуш атомлари диффузия килинганда  Ag-Gd кластерларининг шаклланишига олиб келади, бу еса раман спектрининг текисланишига ва нуқсонли тузилишининг яхшиланишига олиб келиши кўрсатилган;    
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Mn ва Ag каби Т-ионлари билан легирланган кремний ва кремний тузилмаларида нуқсон ҳосил бўлиш ва чуқур марказларнинг деградацияси жараёнларининг хусусиятларини ўрганишнинг олинган илмий натижаларига асосланиб:
яримўтказгичли қурилмаларни ишлаб чиқаришда технологик жараёнларда юзага келадиган турли нуқсонларнинг энергия параметрларини ва тузилишини алоҳида аниқлаш усулидан ҳамда кумуш ва марганеснинг кремнийга диффузион киритилиши билан кремнийда термал нуқсонларнинг ҳосил бўлиш самарадорлигини 2-3 баробарга камайишидан, шунингдек нодир ер элементларини (гадолиний) кремнийга қўшимча равишда киритиш ва кейинчалик уни кумуш билан легирлаш ишлаш жараёнида яримўтказгичли қурилмалар параметрларининг деградациясини 2-3 марта камайишидан “ФОТОН” акциядорлик жамиятида яримўтказгич пластиналар ва диодли структуралар олишда қўлланилган (“Ўзелтехсаноат” АК 2022 йил 13 декабрдаги 04-3/2571-сон маълумотномаси); Олинган натижалардан фойдаланиш қувват диодлари параметрларининг барқарорлигини бир неча баравар ошириш ва тайёр маҳсулотларни яроқсизлигини аниқлаш самарадорлигини ошириш имконини берди.
диссертация доирасида ишлаб чиқилган технологик режимлар асосида Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университетида 2015-2017 йилларда бажарилган А-3-73 “Яримўтказгичли материалларда кластерли киришма атомларини тақсимоти ва консентрациясини бошқариш қурилмасини яратиш ва ишга тушириш” номли лойиҳанинг илмий-техникавий вазифаларини бажаришда кремнийда ўтиш элементи киришмалари (Т-ионлари) орқали чуқур марказларни ҳосил қилиш самарадорлиги дастлабки монокристалли кремнийнинг нуқсонли ҳолатига боғлиқлигини аниқлаш, ҳар хил дастлабки иссиқлик билан ишлов бериш ёрдамида легирланган кремнийнинг нуқсонли тузилишини назорат қилиш ва чуқур марказларнинг ҳосил бўлиш самарадорлигини 3-4 марта ошириш шунингдек, Si ни Ag киришмаси билан олдиндан киритилган Gd атомлари билан легирлашнинг технологик режимлари оптималлаштирилиши кремний тузилмаларининг электрофизик параметрларини барқарорлаштириш имконини берди (Ўзбекистон Республикаси Олий таълим ва ўрта махсус таълим вазирлиги 28-декабрдаги №89-02-1006-сонли маълумотномаси). Деградацияга барқарор Si<Ag> - структураларни олиш  технологиясидан мазкур лойиҳада фойдаланиш параметрлари термик барқарор яримўтказгичли материалларни олиш самарадорлигини 2 баробарга ошириш имконини берган.