Sayt test rejimida ishlamoqda

Сайфуллойев Шоҳруҳ Aмин ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

И. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ион легирлаш ёрдамида кремнийда ФеСи2 ва CоСи2 силицидини ҳосил қилиш механизмларини тадқиқ қилиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.2.ПҳД/ФМ477
Илмий раҳбар: Егамбердийев Бахром Егамбердийевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, ДСc.03/30.12.2019.ФМ/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Мамадалимов Aбдуғофир Тешабойевич, физика-математика фанлари доктори, академик; Aбдурахманов Қаххор Паттахович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Йетакчи ташкилот: Наманган муҳандислик-қурилиш институти. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
ИИ. Тадқиқотнинг мақсади Ион легирлаш ёрдамида кремнийда ФеСи2 ва CоСи2 юпқа қатлам силицидларини ҳосил бўлиш механизмларини ўрнатиш
ИИИ. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
биринчи марта кремнийнинг сиртига яқин соҳаларда, енергияси 40 КеВ, дозалари 1015 – 1017 см-2 оралиқда бўлган Фе ва Cо ионларини имплантациялаш орқали, қалинлиги 100Ǻ бўлган темир ва кобалт атомларининг юпқа қатламларини ҳосил қилиш ва имплантациядан кейин 8000C ҳароратдан юқори ҳароратларда термик ишлов бериш орқали силицид қатламларини ҳосил қилиш технологияси яратилган; 
енергияси 40 кеВ ва 1015-1017 ион/см2 нурланиш дозасига ега бўлган Фе ионлари билан ион имплантацияси орқали легирланган Си монокристалларини легирлашда Си сиртидан 350-450 Å чуқурликда Фе атомларининг консентрацияси юқори қийматга еришиб, сирт консентрациянинг 2530 ат.% ни ташкил етиши РТС спектри таҳлили асосида аниқланган; 
1015-1017 ион/см2 нурланиш дозасига ега бўлган Фе ионлари билан ион имплантация орали Си намуналарини легирлашда кенглиги д  100 Å бўлган қаталмда ҳосил бўлиши ва бу қатлам асосан ФеСи2 типидаги бирикмалардан иборат еканлиги аниқланган; 
Cо+ ионлари билан имплантацияланган кремний 8000C дан юқори ҳароратларда қиздирилганда CоСи2/Си юпқа қатламлар ҳосил бўлиши аниқланган;
кремний намуналарини катта дозаларда (1015-1017 ион/см2) Cо+ ионлари 
билан ион-имплантация қилинганда 9500C ҳароратдан юқори ҳароратларда термик ишлов бериш орқали CоСи2 силицид қатламларини ҳосил бўлиши аниқланган.
ИВ. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Кремнийнинг ион-имплантация қилинган намуналарининг қисқа муддатли термик тобланиши натижасида кузатиладиган янги сирт усти тузилмалари шаклланишининг механизмлари бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
Кобалт билан ион-имплантация қилинган кремнийда барқарор електрофизик параметрларга ега бўлган бошқариладиган нано ўлчовли тузилишга ега яримўтказгич материалларни олиш механизмларини аниқлашга кобалт кремний юпқа плёнкасининг ҳақиқий електрон тузилишини акс еттирувчи енергиявий диаграммасини олиш, кобалт кремний юпқа плёнкасининг енергетик характеристикаларини аниқлаш еканлигидан Ўзбекистон Респебликаси Фанлар Aкадемиясининг Ион-плазма ва лазер технологиялари институтида № ОТ-Ф3-13 “Кремний–силицид–металл еркин кўпқатламли наноплёнкали структураларнинг шаклланиш механизмлари ва уларнинг електрон ва кристалл структураларини ўрганиш” амалий лойиҳасининг “Турли технологиялар ёрдамида олинган CоСи2 плёнкаларининг асосий енергетик хусусиятларини аниқлашда” фойдаланилган (ЎзР ФA нинг 2022-йил 7-ноябрдаги №2/1255-2798-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан барқарор електрофизик параметрларга ега бўлган бошқариладиган нано ўлчовли тузилишга ега яримўтказгич материалларни олиш механизмларини аниқлашга имкон берган.
 Ўтиш елементларининг киришмалари билан кремнийни легирлашнинг физик ва кимёвий жиҳатлари ва технологияси ишлаб чиқилган, темир силицидларининг Си 2п електронларининг боғланиш енергияларининг белгиланган қийматлари асосий сатҳларининг фотоелектрон спектроскопия усулини амалий қўллаш, оксидли қатлам остига темир ва кобалт атомларини сингиши “ФОТОН” AЖда ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли кремний асосидаги електрон қурилмаларда фойдаланилган (“Ўзелтехсаноат” аксиядорлик жамиятининг 2022 йил 24 январ ойидаги №04-3/128 маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш сезгир електрон қурилмалар ва тузилмалар, фото сезгир қурилмалар, транзисторлар, паст қаршиликли контактларни яратиш учун ишлатилиши мумкинлиги кўрсатилган.

Yangiliklarga obuna bo‘lish