Raxmanov Dilmurod Abdujabbor o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “O‘tuvchi elementlar bilan legirlangan kremniyli strukturalarning elektrofizik xossalariga turli xil radiatsiyaning ta’siri”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi.
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2020.2.PhD/FM485
Ilmiy rahbar: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Kamalov Amangeldi Bazarbayevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi o‘tuvchi elementlar (Pt va Cr) bilan legirlangan kremniy va kremniyli strukturalarda radiatsion nuqsonlarning hosil bo‘lish jarayoni va turli xil radiatsiyaning ularning elektrofizik xossalariga ta’sirini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor Pt va Cr kirishmalari bilan legirlangan va xar xil radiatsiyalar bilan nurlantirilgan kremniyning elektrofizik xossalari kompleks o‘rganilgan, yuqori haroratlarda kirishmalar kiritish va nurlantirish bir nechta chuqur sathlar va strukturaviy nuqsonlar hosil bo‘lishiga olib kelishi aniqlangan;
n-Si, n-Si<Pt> va n-Si<Cr> na’munalarini gamma-kvantlari bilan nurlantirishdan so‘ng, kremniy taqiqlangan zonasida EC-0.17 eV va EC-0.43 eV ionlashish energiyasiga ega radiatsion nuqsonlar (A- va E- markazlar) bilan bog‘liq yangi chuqur sathlar hosil bo‘lishi kuzatilgan;
Pt va Cr kirishmalarini Si ga diffuziya orqali kiritish radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lish effektivligini 2-3 marotaba sekinlashishiga, hamda kremniy parametrlarini stabillashishiga olib kelishi aniqlangan;
elektroneytral nodir yer elementlari kirishmalarining n-Si<Ho, Pt> hajmida mavjudligi radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lish tezligini n-Si<Pt> namunalariga nisbatan 3-4 martaga kamayishi aniqlangan;
Pt va Cr kirishmalarini Si ga diffuzion kiritish natijasida optik faol kislorodni konsentratsiyasi (NOopt) 20-30 % ga kamayishi aniqlangan;
Si<Cr> va Si<Pt> na’munalarni protonlar bilan nurlantirish ta’sirida kremniyning kristallik tuzilishi buzilishiga olib kelishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. O‘tuvchi elementlar Pt va Cr bilan legirlangan kremniy elektrofizik xossalariga turli radiatsiyaning ta’sirini o‘rganish asosida:
o‘tuvchi element atomlari kiritilgan “kislorodli” n-Si na’munalarida A-markazlar konsentratsiyasi “kislorodsiz” kremniy na’munalaridagi
A-markazlarga nisbatan deyarli 2 marta ko‘pligi, E-markazlar esa umuman hosil bo‘lmasligi; katta dozalarda (F=81018 kv/sm2) γ−nurlantirish Si dagi platina atomlariga tegishli bo‘lgan EC-0.25 eV sath konsentrasiyasining ortishiga olib kelishi; platina atomlariga tegishli chuqur sath konsentratsiyasi nurlantirish dozasi oshishi bilan ortishi neytral holatdagi Pt atomlarining nurlantirishdan so‘ng aktivlashishi bilan bog‘liqligi; Pt va Cr atomlarini diffuzion usul bilan Si ga kiritish optik faol kislorod konsentratsiyasi(NOopt)ning 2-3 marotaba kamayishiga olib kelishi Birlashgan yadroviy tadqiqotlar instituti qoshidagi “MDH nanotexnologiyalar xalqaro innovatsion markazi”(Dubna, Rossiya) tomonidan tashkil etilgan ilmiy stajirovka mobaynida bajarilgan “Kremniyli yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xususiyatiga radiatsiyaning ta’siri” nomli ilmiy loyihada qo‘llanildi (“MDH nanotexnologiyalar xalqaro innovatsion markazi” ning 2022 yil 8-dekabrdagi 010/124 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nurlanishdan so‘ng legirlangan kremniy na’munalarning elektrofizik xususiyatlari barqarorlashishiga olib kelgan;
Pt va Cr kirishmalari bilan legirlangan kremniyda radiatsion nuqsonlar 2-3 marta kamayishi va kremniy parametrlarini barqarorlashtirishi, shuningdek, nodir yer elementlarining(golmiy) elektroneytral kirishmalari n-Si<Ho, Pt> hajmiga kiritilishi radiatsion nuqsonlar hosil bo‘lish tezligini legirlanmagan kremniy na’munalariga nisbatan 5-6 marta sekinlashtirishi “FOTON” AJ bilan tuzilgan ilmiy-texnik hamkorlik shartnomasi asosida hamkorlikda bajarilgan ishlarda qo‘llanildi (Uzeltexsanoat ning 2022 yil 13 dekabrdagi №04-3/2572 son ma’lumotnomasi). Radiatsiyaviy nuqsonlarning hosil bo‘lish tezligini kamaytirish bo‘yicha olingan natijalardan foydalanish, ishlab chiqilgan tuzilmalar asosida kuch diodlarining texnik rentabelligini oshirishga imkon bergan.
