Музафарова Султанпаша Анваровнанинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Поликристалл  юпқа катламли теллурид кадмий асосидаги ёруғлик сезувчи қурилмаларнинг электрофизик ва оптик хоссалари”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2021.1.DSc/FM175
Илмий маслаҳатчи: Утамурадова Шарифа Бекмурадовна физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассасалар номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12 
Расмий оппонентлар: Зайнабидинов Сирожиддин Зайнабиддинович, физика-математика фанлари доктори, академик; Отажонов Салимжон Мадраҳимович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Даулетмуратов Борибай Коптлеуович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Наманган мухандислик-технология институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади: юпқа қатламли поликристалли CdTe плёнкалар ва улар асосидаги кўп қатламли фотосезгир қурилмаларнинг электрофизик ва оптик хусусиятларини тадқиқ қилиш ҳамда уларни янги қаттиқ жисмли электрон қурилмаларда фойдаланиш бўйича тавсиялар ишлаб чиқиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор водород оқимида газни ташиш реакцияси орқали оптимал чиқиш параметрларига эга поликристалли CdTe нинг юпқа қатламларини олиш технологияси ишлаб чиқилган ва CdTe плёнкасининг ўсиш тезлиги буғланиш манбаи Тб ва  таглиги ҳароратига  Тт  хамда ташувчи газ (водород) оқим тезлигига υ  боғлиқлиги аниқланган;
 плёнканинг оптимал ўсиш режимида  (Ти = 950 0C Тп = 620 0C ва х = 2 л/с) катта донали, биржинсли ва мукаммал, ўлчами 20÷60 микрон ва солиштирма қаршилиги қиймати 104 Ом ·см га эга бўлган CdTe қатлами ҳосил бўлиши кўрсатилган;
кадмий теллурид асосидаги металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич, металл-оксид-яримўтказгич структуралари ва CdTe/CdS гетероструктураларни ишлаб чиқишнинг технологик режимлари  CdTe плёнкалари сиртига кенг зонали SnO2, In2O3, ITO, CdO яримўтказгич оксидларини хона ҳароратида магнетрон ионли пуркаш орқали   оптималлаштирган;
SnO2, In2O3, ITO, CdO шаффоф қатламлари ва поликристалли CdTe қатлами ўртасидаги бўлиниш чегарасида  ҳосил бўлаётган қалинлиги  d = 20÷50 Å га тенг бўлган TeO2 диэлектрик қатлами тақиқланган зона кенглиги  Eg = (1.92÷3.68 ) эВ ва панжара доимийси а= 4.87 Å тенг р-типли яримўтказгич  эканлиги илк бор аниқланган;
CdTe  плёнкалари сиртига кадмий сульфидининг буфер қатламини вакуумда квазиёпиқ ҳажмда, таглик  ҳарорати Tт = 300 °С да буғлантириш CdSxTe1-x  нинг юқори компенсацияланган катта қаршиликли (108 ÷109) Ом·см ва CdTe/CdS гетероўтиш чегарасида CdTe ва CdS қатламларининг кристалли панжараси параметрларидаги номувофиқликларни бартараф этишга имкон берадиган ўтиш қатлами шаклланишига олиб келиши аниқланган
pCdTe-ТеO2 нинг бўлиниш чегарасидаги  потенциал чуқурда асосий бўлмаган заряд ташувчиларни тўплаш, бўлиниш чегарасидаги сирт ҳолатларига тушириш ва  қалинлиги 30÷50 Ǻ га тенг ТеО2 диэлектрик қатламли потенциал тўсиқ орқали тунелланишдан иборат pCdTe асосидаги металл-диэлектрик-яримўтказгич структураларда токнинг оқиш механизми илк бор аниқланган;
- нурланиш таъсирида нурланиш дозаси ошиши билан асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг яшаш вақти  τ 10-610-8 с номонотон равишда ўзгариши ва юқори қаршиликли оралиқ қатлам қалинлиги структура чегарасида кенгайиши (d  2.62÷7.2  m) туфайли Шоттки тўсиқлари, металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич, металл-оксид-яримўтказгич структуралари ва CdTe/CdS асосидаги гетероструктураларининг чиқиш характеристикалари номонотон равишда ўзгариши аниқланган; 
олинган фотосезгир Шоттки тўсиқлари,  металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич, металл-оксид-яримўтказгич структуралари ва CdTe/CdS гетероструктураларнинг энергетик зона диаграммаси илк бор  қурилган; 
поликристалли CdTe, Шотки тўсиқлар, металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич, металл-оксид-яримўтказгич структуралари ва CdTe/CdS гетероўтишлар асосида узоқ хизмат қилиш муддатига эга оптоэлектрон қурилмаларда ишлатиш учун мўлжалланган янги термостабил, фотосезгир фотоқабулқилгичлар ва фотоайлантиргичларни яратиш бўйича тавсиялар ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Юпқа қатламли поликристалли CdTe плёнкалари ва уларга асосланган кўп қатламли нурга сезгир тузилмаларнинг электрофизик ва оптик хусусиятларини ўрганиш натижалари, шунингдек уларни янги қаттиқ ҳолатдаги электрон қурилмаларда ишлатиш бўйича тавсиялар ишлаб чиқиш асосида:
молибден тагликда олинган CdTe/CdS гетероструктураларида Мо ва CdTe чегарасида молибден диоксиди шаклланиши аниқланган, ҳамда ушбу қатлам структуранинг ёруғликни ютиш самарадорлигига ижобий таъсир этиши кўрсатилган бўлиб, диссертация ишида таклиф этилган молибден диоксидини шакиланиш технологик режимларидан Б.А.Эргашев раҳбарлигида 2018-2019 йилларда бажарилган ЁФА-Атех-2018-205 «CdSхTe1-x юпқа қатлами асосидаги сараловчи фотоқаршиликларни ишлаб чиқиш» мавзусини бажаришда қўлланилган (ЎзР ФА нинг 2022 йил 1 февралдаги №01-54-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш молибден тагликка ўстирилган CdSхTe1-x поликристалл юпқа қатламлари асосида фотоқаршиликлар олишда юпқа қатлам ва молибден чегарасида молибден диоксидини шакилантиришда ва шу аснода структуранинг фотоэлектрик хоссаларини яхишлашга эришилган. Натажада ушбу материаллар асосида юқори фотосезгирликка эга солиштирма электр каршилиги 106 (Ом‧см) дан 1010 (Ом см) гача оралиқда ўзгарувчи фотоқаршиликлар олишга эришилган;
шоттки тўсиқ типидаги тузилмалар асосидаги оптик қабул қилувчи датчиклар (Au-nCdTe-Mo), металл-диэлектрик-яримўтказгич, яримўтказгич-диэлектрик-яримўтказгич, металл-оксид-яримўтказгич, CdTe/CdS гетероструктуралари асосида тайёрланган -20÷ 850С температура шароитида 0,40 - 0,95 микрон спектрал хусусиятларга эга датчиклар “ФОТОН” АЖ да қўлланилган  (“Uzeltexsanoat” нинг 2022 йил 9 февралдаги №04-3/251-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш “ФОТОН” АЖ да ишлаб чиқарилаётган микроэлектрон қурилмаларида узоқ муддатли узлуксиз ишлашга бардошлигини таъминлаган ҳамда бу тузилмалар ГОСТ талабларига тўлиқ мос келишини тасдиқлаш имконини берган.
МоО3 оксиди бўлган CdTe бирикмаси қурилма конструкцияларида ёруғликни ютиш самарадорлигига ижобий таъсир кўрсатиши ва бу жараён Мо таглик ва CdTe плёнкаларини ҳосил қилиш жараёнида ягона технологик циклда содир бўлиши каби илмий янгиликлардан Г.Гулямов раҳбарлигида 2017-2020 йилларда бажарилган ОТ-Ф-2-70 рақамли “Кучли электромагнит майдондаги наноўлчамли яримўтказгич параметрларига ҳарорат, деформация ва ёруғликнинг таъсири” мавзусини бажаришда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2022 йил февралдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Шоттки тўсиқли тузилмалар ва гетероструктураларининг ВАХ ни ҳароратга боғлиқлигини аниқлаш имкони берган.