Йўлдошов Руҳиддин Толибовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ZnхSn1-хSe юпқа қатламларининг структуравий, морфологик, оптик ва электрофизик хоссалари”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.1.PhD/FM283
Илмий раҳбар: Разыков Тахирджон Муталович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич физика-математика фанлари доктори, профессор; Юлдашев Носиржон Хайдарович, физика-математика фанлари доктори, профессор. 
Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади cамарали қуёш элементларининг талабларига мос келувчи физикавий ва оптик хоссаларига эга бўлган юқори сифатли ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришма юпқа қатламларини олиш имконини берувчи кимёвий молекулалар дасталаридан ўтқазиш усулининг оптимал технологик режимларини аниқлаш, ҳамда уларнинг структуравий, морфологик, оптик ва электрофизик хусусиятларининг термодинамик параметрлар билан ўзаро боғлиқлик қонуниятларини ўрганишдан иборат
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор кимёвий молекулалар дасталаридан ўтқазиш усули билан ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришмасининг юқори сифатли поликристалл юпқа қатламларини ўстиришнинг оптимал технологик режимлари аниқланган, ҳамда ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришма таркибининг ZnSe ва SnSe бирикмаларининг буғ босимлари нисбатига боғлиқлик қонуниятлари асосида ушбу қаттиқ қоришманинг таркибини бошқариш усуллари ишлаб чиқилган; 
таглик ҳарорати 550 °С бўлганда ZnхSn1-хSe юпқа қатламларининг микрокристаллчалари зич жойлашган бўлиб, уларнинг ўлчамлари 5÷10 мкм эканлиги ва асосан (h00) йўналишларида ўсиши, ҳамда панжара доимийларининг ўзгариши ва рентгенограммаларда 2θ=21,4 градус қайтиш бурчагидаги чўққи интенсивлигининг кўтарилиши ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришма ҳосил бўлганлигини тасдиқлаши кўрсатилган;
олинган ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришма юпқа қатламларининг ёруғлик ютиш коэффициенти  = 104÷105 см-1 бўлиб, тўғри оптик ўтишларга мос келиши ва Zn/(Zn+Sn) компонентларининг моляр нисбати 0 дан 0,3 гача ўзгарганда таъқиқланган соҳа кенглиги 1,01 дан 2 эВ гача ўзгариши аниқланган, ҳамда илк бор Zn0.12Sn0.88Se таркибли қаттиқ қоришма тақиқланган соҳасининг кенглиги қуёш элементлари учун оптимал бўлган 1,4 эВ га тенг бўлиши кўрсатиб берилган;  
ZnхSn1-хSe қаттиқ қоришма таркибида Zn нинг моляр миқдори 0≤х≤0,3 оралиқда ортганда юпқа қатлам электр ўтказувчанлиги σ=15 (Ом∙см)-1дан 4∙10-3(Ом∙см)-1 гача ва асосий заряд ташувчиларининг концентрацияси n=1017 см-3 дан 1014см-3 гача камайиши тугунлараро жойлашган акцептор сатҳ берувчи Se атоми нуқсонларининг камайиши билан боғлиқ эканлиги кўрсатиб берилган;
Zn/(Zn+Sn)нинг компонентлар моляр нисбати қиймати 0 дан 0,3 гача ўзгарганда микрокристаллчалар чегаралараро сочилиш марказларининг ортиши натижасида намуналарда асосий заряд ташувчилари харакатчанлигининг µ=24 см2/(В∙сек)дан 10 см2/(В∙сек) гача камайиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ZnхSn1-хSe юпқа қатламларини структуравий, оптик ва электрофизик хоссаларини тадқиқ этиш асосида: 
ZnхSn1-хSe юпқа қатламларини таркибидаги SnSe юпқа қатламини олиш ва унинг структуравий, морфологик, оптик хоссаларини ўрганишдан олинган натижаларни хорижий илмий журналларда (Royal society of chemistry  advances 2020, 10, 16749,  IF: 3.12, Solar Energy Materials and Solar Cells, 221, 110919,2021, IF: 6.98; Vacuum, 177, 2020, 109343, IF: 2.9; Solar Energy, 186, 2019, 29–36, IF: 5.7) SnSe юпқа қатламларининг электрофизик, оптик хоссаларини яхшилаш ва улар асосида қуёш элементларини тадқиқот қилишда фойдаланилган. Илмий натижалардан фойдаланиш ҳавола келтирилган илмий ишларда SnSe юпқа қатламларини электрофизик хоссаларини, ҳусусан, ҳаракатчанликни ошириш ва улар асосидаги қуёш элементларининг самарадорлигини ошириш имконини берган;
диссертация доирасида ишлаб чиқилган технологик режимлар асосида MRB-AN-2019-17 рақамли «Қуёш элементлари учун кенг полосали композит тескари қайтарувчи копламаларини тадқиқ этиш» номли лойиҳанинг илмий-техникавий вазифаларини бажаришда ZnxSn1-xSe/ZnO:Al-гетеростуруктуралар илк марта олиниб, уларнинг электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари тадқиқ этилган. (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 8-ноябрдаги 2/1255-3066-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш лойиҳа доирасида тадқиқ этилган материаллар асосида р-n-ўтиш чегарасида нуқсонлар зичлиги кичик бўлган ZnхSn1-хSe/ZnO:Al-гетеростуруктура ва юқори самарадор юпқа қатламли қуёш элементларини олиш имконини берган.