Sharopov O‘tkirjon Baxodirovichning 
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Keng zonali LiF, SiO2, ZnO kristallarida sirt nuqsonlari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.4.DSc/FM25.
Ilmiy maslaxatchi: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti va Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 raqamli Ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Komolov Aleksey Sergeevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent; Nimatov Samad Jaysanovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulugbek nomidagi O‘zbekiston milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy axamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi elektron va ion nurlanishi paytida keng xududli kristallar sirtida paydo bo‘ladigan nuqsonlarning shakllanish qonuniyatlarini aniqlash, shuningdek ularning sirt holatlari va sirtda yuz beradigan boshqa fizikaviy jarayonlar bilan bog‘liqlikni aniqlashdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
to‘liq tok (TT) spektroskopiyaning yuqori vakuumli apparati modernizatsiya qilindi va ZnO, SiOx/Si(111), unda LiF kristallarini elektronlar va ionlar bilan nurlanish, changlanish, nuqson shakllanishini, chiqish  ishini o‘zgartirishini, sirtning xududli tuzilishi kompleks o‘rganish metodikasi yaratilgan;
birinchi marta changlangan ikkilamchi klasterdagi nuqsonlarni massa spektrlari yordamida aniqlash usuli ishlab chiqildi. Ishqoriy galogenid kristallari sirtida hosil bo‘lgan nuqsonlar changlanish jarayonini rag‘batlantiradi va shu bilan birga ular ikkilamchi ionlar bilan birga sirtdan changlanadi. Ishqoriy galogenid kristallarini nurlantirish jarayonida sirt changlanishi «Defect Mediated Sputtering» mexanizmi tufayli sodir bo‘lishi ko‘rsatildi;
ilk bor LiF/Si kristalini elektron va ionlar bilan nurlantirish natijasida sirtda mikroskopik galogen agregatlari paydo bo‘lishi ko‘rsatilgan; 
to‘liq tok spektroskopiyasi va SRIM usullari yordamida, birlamchi ionning massasi ortishi bilan LiF va Si kristallining sirtida xajmiga qaraganda ko‘proq bo‘shliqlar va oraliq nuqsonlar paydo bo‘lishi aniqlangan. Tadqiqot natijalari sirt nuqsonlarini shakllanish mexanizmlarini yaxshiroq tushunishga imkon berdi;
tozalangan va oksidlangan kremniy kristallarining to‘liq tok va mass spektrlari asosida, adsorbsiya, desorbsiya va oksidlanish kabi sirtda sodir bo‘ladigan boshqa jarayonlar bilan aloqasi borligi aniqlandi;
ilk marotaba kremniy sirtini manfiy va musbat ionlar bilan nurlantirishda sirt holatini solishtirilib tadqiq qilindi. Musbat ionlar bilan nurlantirilganda sirtni oksidlardan tozalanishi, manfiy ionlar bilan nurlantirilganda namuna yuzasining kuchli oksidlanishi kuzatildi;
to‘liq tok spektroskopiya usuli bilan (0,5-1,0 eV energiya oralig‘ida) kremniy sirtida nuqsonlar, kislorodga defisit markazlari mavjudligi aniqlandi;
ilk bor rux oksidi kristallari sirtiga past energiyali (E=0÷600 eV) elektronlarning ta’siri o‘rganildi: sirtdagi zaryadlarning kuzatilgan kinetik xususiyatlari elektronlar uchun tuzoq bo‘lgan nuqsonlar bilan bog‘liqligi aniqlandi; 
rux oksidi kristali yuzasini elektron bilan bombardimon qilishda zaryad xosil bo‘lishi ikki qavatli zaryadlash modeli asosida sodir bo‘lishi ko‘rsatilgan; 
keng xududli kristallar yuzasida nuqsonlar shakllanishi va parchalanishining matematik modellar ishlab chiqildi.
IV.Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Keng xududli kristallar sirtida xosil bo‘lgan nuqsonlar va fizikaviy jarayonlarni o‘rganish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
kremniyni 400-1000°S haroratda sirt oksidlanish jarayonlarini o‘rganishda olingan tajriba natijalari 2012-2013 yillarda bajarilgan №AE4-FA-0-19520 raqamli “Qayta kristallizatsiya usulida texnikaviy kremniyni tozalash jarayonlarini tadbiq qilish” nomli amaliy va 2014-2015 yillarda bajarilgan №YoF3-FA-0-25046 raqamli “Qayta kristallashtirishda kirishmalarning chegaralangan eruvchanlik va segregatsiya koeffisientiga o‘zaro ta’siri” nomli fundamental loyihalarda foydalanilgan (O‘zR Fanlar akademiyasining 2020 yil 4 oktyabrdagi 2/1255-2649-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish eruvchanlik va segregatsiya koeffisientini yuqori aniqlikda o‘lchash imkoniyatlarini yaratgan;
kremniy kristalini ionlar bilan implantatsiya qilish va sink oksidi kristali sirtidagi zaryad yig‘ilishi bilan bog‘liq eksperimental jarayonlarda olingan natijalar quvvat va yorug‘lik diodlarini ishlab chiqish samaradorligini oshirishda qo‘llanilgan (“O‘ZELTEXSANOAT” uyushmasining 2020 yil 1 avgustdagi 04-4/1054-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish quvvat va yorug‘lik diodlarini ishlab chiqish jarayonida mahsulot samaradorligini oshirish imkoniyatlarini yaratgan;
kremniy sirtining gibridlanish va oksidlanish ta’sirini o‘rganish jarayonida olingan eksperimental va nazariy natijalar keyingi tadqiqotlarda yuqori impakt faktorli xorijiy jurnallarda keltirilgan metall nanozarrachalardan tashkil topgan boshqa namunalarni qo‘llanildi (Materials 2022, V. 15, Scopus, IF – 3.78; Energy Technology  2022, V.10, Scopus, IF – 4.149; Physica B Condensed Matter 2022, V.639, Scopus, IF – 2,988). Ilmiy natijalardan foydalanish metall va oksidli keyingi avlod termoelektrik, fotovoltaik quyosh batareyalari, optoelektron qurilmalariga rakobatchi bo‘ladigan ikki o‘lchovli yarimo‘tkazgichlarni sintez qilish va bashorat qilish usullarini ishlab chiqish imkonini bergan.