Шаропов Ўткиржон Баходировичнинг 
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кенг зонали LiF, SiO2, ZnO кристалларида сирт нуқсонлари”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.4.DSc/FM25.
Илмий маслахатчи: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ва Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 рақамли Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Комолов Алексей Сергеевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Максимов Сергей Евлантиевич, физика-математика фанлари доктори, доцент; Ниматов Самад Жайсанович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Мирзо Улугбек номидаги Ўзбекистон миллий университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий ахамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади электрон ва ион нурланиши пайтида кенг худудли кристаллар сиртида пайдо бўладиган нуқсонларнинг шаклланиш қонуниятларини аниқлаш, шунингдек уларнинг сирт ҳолатлари ва сиртда юз берадиган бошқа физикавий жараёнлар билан боғлиқликни аниқлашдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
тўлиқ ток (ТТ) спектроскопиянинг юқори вакуумли аппарати модернизация қилинди ва ZnO, SiOx/Si(111), унда LiF кристалларини электронлар ва ионлар билан нурланиш, чангланиш, нуқсон шаклланишини, чиқиш  ишини ўзгартиришини, сиртнинг худудли тузилиши комплекс ўрганиш методикаси яратилган;
биринчи марта чангланган иккиламчи кластердаги нуқсонларни масса спектрлари ёрдамида аниқлаш усули ишлаб чиқилди. Ишқорий галогенид кристаллари сиртида ҳосил бўлган нуқсонлар чангланиш жараёнини рағбатлантиради ва шу билан бирга улар иккиламчи ионлар билан бирга сиртдан чангланади. Ишқорий галогенид кристалларини нурлантириш жараёнида сирт чангланиши «Defect Mediated Sputtering» механизми туфайли содир бўлиши кўрсатилди;
илк бор LiF/Si кристалини электрон ва ионлар билан нурлантириш натижасида сиртда микроскопик галоген агрегатлари пайдо бўлиши кўрсатилган; 
тўлиқ ток спектроскопияси ва SRIM усуллари ёрдамида, бирламчи ионнинг массаси ортиши билан LiF ва Si кристаллининг сиртида хажмига қараганда кўпроқ бўшлиқлар ва оралиқ нуқсонлар пайдо бўлиши аниқланган. Тадқиқот натижалари сирт нуқсонларини шаклланиш механизмларини яхшироқ тушунишга имкон берди;
тозаланган ва оксидланган кремний кристалларининг тўлиқ ток ва масс спектрлари асосида, адсорбция, десорбция ва оксидланиш каби сиртда содир бўладиган бошқа жараёнлар билан алоқаси борлиги аниқланди;
илк маротаба кремний сиртини манфий ва мусбат ионлар билан нурлантиришда сирт ҳолатини солиштирилиб тадқиқ қилинди. Мусбат ионлар билан нурлантирилганда сиртни оксидлардан тозаланиши, манфий ионлар билан нурлантирилганда намуна юзасининг кучли оксидланиши кузатилди;
тўлиқ ток спектроскопия усули билан (0,5-1,0 эВ энергия оралиғида) кремний сиртида нуқсонлар, кислородга дефицит марказлари мавжудлиги аниқланди;
илк бор рух оксиди кристаллари сиртига паст энергияли (E=0÷600 эВ) электронларнинг таъсири ўрганилди: сиртдаги зарядларнинг кузатилган кинетик хусусиятлари электронлар учун тузоқ бўлган нуқсонлар билан боғлиқлиги аниқланди; 
рух оксиди кристали юзасини электрон билан бомбардимон қилишда заряд хосил бўлиши икки қаватли зарядлаш модели асосида содир бўлиши кўрсатилган; 
кенг худудли кристаллар юзасида нуқсонлар шаклланиши ва парчаланишининг математик моделлар ишлаб чиқилди.
IV.Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Кенг худудли кристаллар сиртида хосил бўлган нуқсонлар ва физикавий жараёнларни ўрганиш бўйича олинган натижалар асосида:
кремнийни 400-1000°С ҳароратда сирт оксидланиш жараёнларини ўрганишда олинган тажриба натижалари 2012-2013 йилларда бажарилган №АЕ4-ФА-0-19520 рақамли “Қайта кристаллизация усулида техникавий кремнийни тозалаш жараёнларини тадбиқ қилиш” номли амалий ва 2014-2015 йилларда бажарилган №ЁФ3-ФА-0-25046 рақамли “Қайта кристаллаштиришда киришмаларнинг чегараланган эрувчанлик ва сегрегация коэффициентига ўзаро таъсири” номли фундаментал лойиҳаларда фойдаланилган (ЎзР Фанлар академиясининг 2020 йил 4 октябрдаги 2/1255-2649-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш эрувчанлик ва сегрегация коэффициентини юқори аниқликда ўлчаш имкониятларини яратган;
кремний кристалини ионлар билан имплантация қилиш ва цинк оксиди кристали сиртидаги заряд йиғилиши билан боғлиқ экспериментал жараёнларда олинган натижалар қувват ва ёруғлик диодларини ишлаб чиқиш самарадорлигини оширишда қўлланилган (“ЎЗЭЛТЕХСАНОАТ” уюшмасининг 2020 йил 1 августдаги 04-4/1054-сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш қувват ва ёруғлик диодларини ишлаб чиқиш жараёнида маҳсулот самарадорлигини ошириш имкониятларини яратган;
кремний сиртининг гибридланиш ва оксидланиш таъсирини ўрганиш жараёнида олинган экспериментал ва назарий натижалар кейинги тадқиқотларда юқори импакт факторли хорижий журналларда келтирилган металл нанозаррачалардан ташкил топган бошқа намуналарни қўлланилди (Materials 2022, V. 15, Scopus, IF – 3.78; Energy Technology  2022, V.10, Scopus, IF – 4.149; Physica B Condensed Matter 2022, V.639, Scopus, IF – 2,988). Илмий натижалардан фойдаланиш металл ва оксидли кейинги авлод термоэлектрик, фотоволтаик қуёш батареялари, оптоэлектрон қурилмаларига ракобатчи бўладиган икки ўлчовли яримўтказгичларни синтез қилиш ва башорат қилиш усулларини ишлаб чиқиш имконини берган.