Ғайназарова Қизлархон Исраиловнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Вi-Sb-Se-Te асосида  термоэлектрик қотишмалар олиш технологиясини ишлаб чиқиш ва электрофизик хоссаларини тадқиқ қилиш», 01.04.07 - Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: - B2021.3.PhD/FM638
Илмий раҳбар: Онарқулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Фарғона давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, РhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
 Расмий оппонентлар: Каримов Иброҳим Набиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор. (Андижон давлат университети)
Султанов Номанжон Акрамович, физика-математика фанлари доктори, профессор.  (Фарғона политехника институти);
Етакчи ташкилот: Самарқанд давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади турли хил киришмалар билан легирлаш орқали Bi-Se-Sb-Te қаттиқ қоришма қуймасини олиш технологиясини такомиллаштириш ва ярим ўтказгичли термоэлектрик генераторлар тайёрлаш учун уларнинг физик хоссаларини ўрганишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк маротаба Bi-Sb-Se-Te асосидаги дастлабки хом-ашёнинг турли партияларидан легирловчи компонентлар Pb, Ni, NH4J киритиш орқали оптимал электрофизик хусусиятларга эга бўлган термоэлектрик қотишмалар олишнинг физик-кимёвий параметрлари аниқланган;
илк бор  қотишмаларига 0,04 мол.% NH4J легирловчи қўшимча киритилганда, тўйинтирувчи буғининг босимини бошқариш натижасида материал асллигининг ўртача интеграл қийматини (Z)   га ошиши аниқланган;
термогенераторлар учун , =175 мкВ/К қийматлар билан характерланувчи оптимал термоэлектрик хоссалар   қотишма шихтасига легирловчи қўшимча сифатида 0,05 мол % қўрғошин киритилганда юзага келиши аниқланган;
тармоқларининг узунликлари каттароқ бўлган термоэлементларда  контакт қаршиликлар таъсирининг камлиги туфайли   энг юқори ностационар совутиш қиймати (∆Тmax) юқори (80-100 К) бўлиши, ҳамда импульсли токнинг қиймати  оптимал токка қараганда уч мартагача ортиши аниқланган;
илк марта атроф-муҳитнинг паст ҳароратли потенциалини фойдали иш коэффициенти 7,6 % бўлган суюқ азотли термогенератор ёрдамида электр энергиясига айлантириш механизмлари  экспериментал  тадқиқ этилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Турли хил киришмалар билан легирлаш орқали Bi-Se-Sb-Te асосида  самарадорлиги юқори бўлган қаттиқ қотишма олиш технологиясини такомиллаштириш ва уларнинг физик хоссаларини ўрганиш бўйича олинган натижалар асосида:
Bi-Sb-Se-Te асосида Pb, Ni, NH4J билан легирланган, оптимал электрофизикавий хоссаларга эга бўлган термоэлектрик қотишмалар олиш технологияси, шунингдек тармоқлари узун бўлган термоэлементларда контакт қаршиликнинг таъсири натижаларидан «FOTON» АЖда яримўтказгичли электрон қурилмалар тайёрлашда фойдаланилган (“Узэлтехсаноат” уюшмаси қошидаги “Фотон” акциядорлик жамиятининг 2022 йил 16 мартдаги 77-сон маълумотномаси). Натижада тажрибавий электротехник асбобларни ишчи параметрларини яхшилаш имкони яратилган;
тўйинган буғ босимини бошқариш орқали Pb, Ni, NH4J киришмалари билан легирланган Bi2B3VI и Sb2B3VI (BVISe,Te) асосидаги қотишмаларни ишчи параметрларни яхшилашга олиб келадиган технологик усули, Андижон давлат университетида 2016-2020 йилларда олиб борилган ОТ-Ф2-68 рақамли “Кристалларда киришма-нуқсон туридаги микро- ва нанобирикмаларини ҳосил бўлиш механизмлари ва уларнинг кенг функционал имкониятли кўпқатламли тузилмалар яратишдаги роли” мавзусидаги фундаментал лойиҳасида фойдаланилган (Андижон давлат университети томонидан 8.01.2022 йилда берилган №38-01-04 рақамли Маълумотнома). Илмий натижалардан фойдаланиш тайёрланаётган айнан бир хил параметрли структураларни яроқли чиқиши фоизини ошириш имконини берган.