Ёрқулов Руслан Махаммади ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Si ва Ge асосидаги наноплёнкали гетеротизимларнинг электрон ҳоссалари” 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.4. PhD/FM654
Илмий раҳбар: Умирзаков Болтаходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ҳузуридаги DSc.02/30.12.2019.FM.65.01
Расмий оппонентлар: Қутлиев Учқун Отобоевич, физика-математика фанлари доктори, доцент; Рахмонов Ғанибой Тоджиевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади Si ва Ge плёнкаларининг муаллақ эркин Al ва Cu плёнкалари ва монокристаллари юзасида шаклланиш қонуниятларини, шунингдек Ва атомларини ўтирғизишнинг Ba+ ва O2+ ионлари имплантациясининг уларнинг электрон тузулиши ва хоссаларига таъсирини ўрганиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор Si ва Ge наноплёнкалари муаллақ эркин Al ва Cu монокристаллари юзасида олинди;
ўзаро диффузия жараёнлари ҳамда Si/Me ва Ge/Me лардаги фазалараро чегара таркиби ва тузилишидаги ўзгаришлар аниқланди;
Ba атомларининг адсорбцияси ва Ba+ ионлари билан бомбардимон қилишнинг Si/Me ва Ge/Me наноплёнкаларининг тузилиши ва физик хусусиятларига таъсирининг асосий механизмлари аниқланди;
илк бор, Si/Al системаси юзасига О2+ ионларини имплантация қилиш йўли билан нано ўлчамдаги SiO2 плёнкалари олинди ва бу плёнкаларнинг морфологияси, таркиби ва электрон тузилиши аниқланди;
фаол металл ионлари билан бомбардимон қилинган кремний сиртининг таркиби, морфологияси, тузилиши ва хусусиятларига босқичма-босқич ҳароратли тоблашнинг таъсири ўрганилди ва ўзгаришлар аниқланди;
ион имплантацияси пайтида Si/Me наносистемаси юзасида кремний оксиди ва металл силицидларининг наноўлчамдаги структураларини шакллантиришнинг асосий қонуниятлари аниқланди;
Al наноплёнкалари орқали фаол металл ионлари каналланишининг критик бурчаклари аниқланди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Si ва Ge асосидаги наноплёнкали гетеротизимларнинг электрон ҳоссаларини ўрганиш натижалари асосида Si/Al системаси юзасига О2+ ионларини имплантация қилиш йўли билан нано ўлчамдаги SiO2 плёнкалари олиш ва бу плёнкаларнинг морфологияси, таркиби ва электрон тузилишидаги хусусиятлари ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институтида Давлат илмий-техника дастури доирасида 2017-2020 йилларда бажарилган ОТ-Ф2-51 “Фуллеренлар ва уларнинг ҳосилалари асосида оптоэлектроника ва куёш энергетикаси учун янги функционал наноматериаллар синтез қилишнинг фундаментал асослари” номли фундаментал лойиҳани илмий-техникавий вазифаларини бажаришда самарали фойдаланилган. (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2022 йил 27 майдаги № 2/1255-1235 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши натижасида силлиқ кремнийли тагликлар сиртида углерод таркибли макромолекулалардан иборат наноўлчамли тизимларнинг шаклланишида ва уларнинг синтезланиши хусусиятларини самарали баҳолаш имконини берди.
Диссертацияда келтирилган кремний монокристали намуналарига Ва ва О киришма атомларини киритиб ёруғлик датчикларни олиш технологияси яратилган бўлиб, “Ўзэлтехсаноат” АК нинг “Фотон” АЖ да киришма атомлари билан легирланган SiO2 ва Si асосида ёруғликка сезгирлиги юқори бўлган материал олишда қўлланилган (“Ўзэлтехсаноат” АК нинг 2022 йил 24 мартдаги №04–3/474 сонли маълумотномаси). Илмий натижалар металл контакт адгезиясини ошириш ва контакт пайвандлаш имкониятини берди ва амалиётда қўлланилди.
