Yorqulov Ruslan Maxammadi o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Si va Ge asosidagi nanoplyonkali geterotizimlarning elektron hossalari” 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.4. PhD/FM654
Ilmiy rahbar: Umirzakov Boltaxodja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti huzuridagi DSc.02/30.12.2019.FM.65.01
Rasmiy opponentlar: Qutliev Uchqun Otoboevich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent; Raxmonov G‘aniboy Todjievich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi Si va Ge plyonkalarining muallaq erkin Al va Cu plyonkalari va monokristallari yuzasida shakllanish qonuniyatlarini, shuningdek Va atomlarini o‘tirg‘izishning Ba+ va O2+ ionlari implantatsiyasining ularning elektron tuzulishi va xossalariga ta’sirini o‘rganish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor Si va Ge nanoplyonkalari muallaq erkin Al va Cu monokristallari yuzasida olindi;
o‘zaro diffuziya jarayonlari hamda Si/Me va Ge/Me lardagi fazalararo chegara tarkibi va tuzilishidagi o‘zgarishlar aniqlandi;
Ba atomlarining adsorbsiyasi va Ba+ ionlari bilan bombardimon qilishning Si/Me va Ge/Me nanoplyonkalarining tuzilishi va fizik xususiyatlariga ta’sirining asosiy mexanizmlari aniqlandi;
ilk bor, Si/Al sistemasi yuzasiga O2+ ionlarini implantatsiya qilish yo‘li bilan nano o‘lchamdagi SiO2 plyonkalari olindi va bu plyonkalarning morfologiyasi, tarkibi va elektron tuzilishi aniqlandi;
faol metall ionlari bilan bombardimon qilingan kremniy sirtining tarkibi, morfologiyasi, tuzilishi va xususiyatlariga bosqichma-bosqich haroratli toblashning ta’siri o‘rganildi va o‘zgarishlar aniqlandi; 
ion implantatsiyasi paytida Si/Me nanosistemasi yuzasida kremniy oksidi va metall silisidlarining nanoo‘lchamdagi strukturalarini shakllantirishning asosiy qonuniyatlari aniqlandi;
Al nanoplyonkalari orqali faol metall ionlari kanallanishining kritik burchaklari aniqlandi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Si va Ge asosidagi nanoplyonkali geterotizimlarning elektron hossalarini o‘rganish natijalari asosida Si/Al sistemasi yuzasiga O2+ ionlarini implantatsiya qilish yo‘li bilan nano o‘lchamdagi SiO2 plyonkalari olish va bu plyonkalarning morfologiyasi, tarkibi va elektron tuzilishidagi xususiyatlari O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutida Davlat ilmiy-texnika dasturi doirasida 2017-2020 yillarda bajarilgan OT-F2-51 “Fullerenlar va ularning hosilalari asosida optoelektronika va kuyosh energetikasi uchun yangi funksional nanomateriallar sintez qilishning fundamental asoslari” nomli fundamental loyihani ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda samarali foydalanilgan. (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2022 yil 27 maydagi № 2/1255-1235 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi natijasida silliq kremniyli tagliklar sirtida uglerod tarkibli makromolekulalardan iborat nanoo‘lchamli tizimlarning shakllanishida va ularning sintezlanishi xususiyatlarini samarali baholash imkonini berdi.
Dissertatsiyada keltirilgan kremniy monokristali namunalariga Va va O kirishma atomlarini kiritib yorug‘lik datchiklarni olish texnologiyasi yaratilgan bo‘lib, “O‘zeltexsanoat” AK ning “Foton” AJ da kirishma atomlari bilan legirlangan SiO2 va Si asosida yorug‘likka sezgirligi yuqori bo‘lgan material olishda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” AK ning 2022 yil 24 martdagi №04–3/474 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalar metall kontakt adgeziyasini oshirish va kontakt payvandlash imkoniyatini berdi va amaliyotda qo‘llanildi.