Sodikjanov Jaxongirbek Shuxratbek o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik  shifri  (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Har xil tabiatli ionlar (Na+, Ba+, O+ va Ar+) bilan implantatsiyalangan CdS va GaAs plyonkalarining elektron va optik xossalari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.3.PhD/FM636
Ilmiy rahbar: Umirzakov Boltaxodja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti huzuridagi DSc.02/30.12.2019.FM.65.01
Rasmiy opponentlar: Tashatov Allanazar Karshievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, katta-ilmiy hodim.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi CdS va GaAs sirtlarini Ar+, O2+ Ba+ va Na+ ionlari bilan bombardimon qilib, sirtga yaqin qatlamining turli chuqurliklarida hosil bo‘lgan nanoo‘lchamli strukturalarning hosil bo‘lishining asosiy fizik qonuniyatlarni va ularning CdS va GaAs larning elektron va optik xususiyatlariga ta’sir qilish mexanizmlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor elektron spektroskopiya va mikroskopiya usullari kompleksidan foydalangan holda, CdS ning monokristall, massiv va plenka namunalarining sirt morfologiyasi, tarkibi, kristal tuzilishi va elektron xossalari, emission va optik xarakteristikalari aniqlandi;
Ar+ ionlari bilan bombardimon qilingan CdS plyonkalari sirtida bir komponentli nanostrukturalar shakllanishi asosiy mexanizmlari va bombardimon qilishning uning strukturasi va fizik xossalariga ta’siri, shuningdek,  Va atomlarini o‘tqazishning chiqish zonalari chuqurligiga (haqiqiy ikkilamchi elektronlar), CdS plyonkalarining optik va elektron xossalariga ta’siri aniqlandi;
ilk bor, Va+ va O2 ionlari implantatsiyasi bilan CdS ning sirt osti sohasida turli chuqurliklarda Cd-Ba-S va Cd-O-S tipidagi uch komponentli nanoo‘lchamli fazalar va plyonkalar olindi va ularning asosiy shakllanish qonuniyatlari, hamda Eg ning uch komponentli nanokristall fazalar o‘lchamlariga bog‘liqligi aniqlandi. O‘lchamli effektlar yuzaga keladigan Cd-Ba-S nanofazalarining kritik o‘lchamlari baxolandi;
ilk bor, GaAs ni energiyasi E0 = 15-25 keV bo‘lgan Na+ ionlari bilan implantatsiya qilib va so‘ngra qizdirish bilan sirt osti qatlamlarida Ga0.5Na0.5As tipidagi uch komponentli qatlam olingan. GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs qatlamli plyonka tizimining shakllanish mexanizmlari aniklandi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Har xil tabiatli ionlar (Na+, Ba+, O+ va Ar+) bilan implantatsiyalangan CdS va GaAs plyonkalarining elektron va optik xossalarini o‘rganish natijalari asosida:
O‘zR FA Fizika-texnika institutida 2018 – 2020 – yillarda bajarilgan FA-Atex-2018-234 raqamli: “A2B6 yarim o‘tkazgichli qorishmalar asosidagi fotosensorlar yordamida qon plazmasining optik zichligini aniqlovchi yangi fotoelektrik kolorimetr qurilmasini ishlab chiqish” nomli amaliy loyihaning ilmiy – texnikaviy vazifalarini bajarishda samarali foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2021 yil 16 dekabrdagi  №2/1255-3512 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning foydalanilishi Ar+, Ba+ va Na+ ionlari bilan bombardimon qilingan CdS qatlamlari Mo taglikka bufer qatlam sifatida ishlatilishi natijasida fotosezgir Au-ZnCdS-Mo strukturaning adgeziya va fotoelektrik xususiyatlari yaxshilanishiga olib keldi. Bu strukturaning sezgirligi va spektral sezgirlik doirasi kengaytirilishi imkonini bergan;
dissertatsiyada keltirilgan yarim o‘tkazgich namunalariga Va va O kirishma atomlarini kiritib yorug‘likni keng energiya diapozonida yutuvchi materiallar olish usuli, «O‘zeltexsanoat» AK ning «Foton» AJ da krishma atomlari bilan legirlangan CdS va Si asosida yorug‘likka sezgirligi yuqori bo‘lgan material olishda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” AKning 2021 yil 11 noyabrdagi №04–3/2386 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarni amaliyotda qo‘llash, namuna datchiklarining elektrofizik parametrlarini yaxshilash imkonini berdi.