Ergashov Yoqub Suvonovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Ion bombardimon usuli bilan Mo va Si sirtida va sirt osti sohalarida hosil qilingan nanoo‘lchamli tuzilmalarning shakllanish qonuniyatlari va elektron xususiyatlari», 01.04.04–Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.PhD/FM24.
Ilmiy rahbar: Umirzakov Baltoxodja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Tursunmetov Komil Axmedovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: epitaksiya va ion implantatsiya usullari bilan Mo va Si monokristallari asosida nanoo‘lchamli tuzilmalar va ko‘p qatlamli tizimlar olish, ularning shakllanish qonunlarini o‘rganish hamda fizik mexanizmlarini ochib berishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
Nb+ ionlarini implantatsiya qilish va keyingi qizdirishda Mo ning sirt osti qatlamlarida Nb+Mo turidagi intermetal hosil bo‘lishi Mo Fermi sathining quyi qismida niobiyning 4d elektronlari zonasini hosil bo‘lishi va natijada Mo valent elektronlarining holat zichligi o‘zgarishi bilan bog‘liqligi ochib berilgan;
Mo ga Va+ ionlari implantatsiya qilinganda intermetall bog‘lanish hosil bo‘lmasligi, ammo chiqish ishining kamayishi va yuza osti qatlamlari atom zichligining oshishi natijasida ikkilamchi va fotoelektronlarning emissiya effektivligi 2 va undan ortiq oshishi eksperimental aniqlangan.
Si sirt osti qatlamlarida ion implantatsiya va keyingi qizdirish jarayonida MeSi2 ning nanoo‘lchamli fazalari va qatlamlari shakllanishining asosiy qonuniyatlari aniqlangan, shuningdek ularning o‘lchamlari va energetik zona parametrlarini baholashning o‘tayotgan yorug‘lik intensivligi o‘zgarishiga asoslangan usuli ishlab chiqilgan;
Si sirtiga O2+ ionlarini implantatsiya qilish usuli bilan turli qalinliklardagi (d≈20–100Å) taqiqlangan zona kengligi 8,5–9 eV bo‘lgan bir jinsli SiO2 ning polikristall nanoplyonkasi olish texnologiyasi ishlab chiqilgan;
changlanayotgan metall (Al) atomlari oqimi tarkibida bir necha foiz tezlashgan ionlar (E0=1–2 keV) mavjudligi Si sirtidagi okis plyonkaning to‘liq buzilishiga, o‘tish qatlami hosil bo‘lishiga, kremniy tagliklarda metallar adgeziyasi oshishiga va kontakt elektr qarshiligining keskin kamayishiga olib kelishi asoslangan;
umumiy qalinligi 40–50 nmdan oshmaydigan nanoo‘lchamdagi ikki qatlamli MeSi2/Si/MeSi2/Si tizimini hosil qilish usuli ishlab chiqilgan va sirtdagi SoSi2 plyonkasining qalinligi 3–5 nm, sirt ostidagi plyonka qalinligi esa 10–12 nm, MeSi2 qatlamlari orasidagi Si plyonkasining qalinligini 10–20 nm ni tashkil etishi ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Mo va Si sirtida va sirt qatlamlari sohasida nanoo‘lchamli fazalar hosil bo‘lishi bo‘yicha olingan natijalar asosida:
Mo va Si sirtida va sirt qatlamlari sohasida nanoo‘lchamli fazalar hosil bo‘lishi bo‘yicha olingan natijalar OT-A3-56 «Yuqori marganes silisidi pardasi asosida infraqizil nurni termoelektrik o‘zgartirish va issiqlik nurini o‘taeffektiv xolda sovutilmay qayd etuvchi priyomniklar yaratish» va F – 2-31 “Nanoo‘lchamli metallar silisid plenkalarni strukturasi va fizik xossalarini o‘rganish va termosezgir strukturalar xosil qilish” davlat grantlarini bajarishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalarni rivojlantirishni muvofiqlashtirish davlat qo‘mitasining 2016 yil 15 dekabrdagi FTK-0313/912-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanishi NbMo qotishmasi termoyadro reaktorlarining ichki devorlarida ishlatiladigan molibdenning silliqligini yaxshilash, dislokatsiyalarni kamaytirish va tashqi ta’sirlarga chidamliligini oshirish imkonini bergan;
Si sirt osti qatlamlarida MeSi2 ning nanoo‘lchamli fazasi va qatlami shakllanishining asosiy qonuniyatlari o‘rganilgan va ularning o‘lchamlari hamda energetik zona parametrlarini baholashning effektiv usuli asosida elektron qurilma yaratilgan (VIII Respublika Innovatsion g‘oyalar, texnologiyalar va loyihalar yarmarkasi katologi “Elektron texnika uskunalari haroratini o‘lchovchi va saqlab turuvchi elektron qurilmasi»). Ishlab chiqilgan qurilma energiyani tejash imkonini bergan.
