Dauletmuratov Boribay Koptleuovichning

fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Cd(Me)Te va Ga(As, Se, N) kristallarning impulsli lazer bilan ishlov berish usullarini optimallashtirish», 01.04.10– Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (texnika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.1.DSc/ T9.

Ilmiy maslahatchi: Vlasenko Aleksandr Ivanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qoraqalpoq davlat universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, Samarqand davlat universiteti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.27.06.2017.FM/T.34.01 raqamli bir martalik ilmiy kengash.

Rasmiy opponentlar: Gnatenko Yuriy Pavlovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Raxmatov Axmad Zaynievich, texnika fanlari doktori; Kasimaxunova Anvarxan Mamasadikovna, texnika fanlari doktori, professor.

Yetakchi tashkilot: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: Cd(Me)Te va Ga(As,Se,N) kristallarida defektlar hosil bo‘lishi, diffuziya, to‘lqinli to‘qnashuv jarayonlarini, akustik emissiya va nochiziqli optik effektlarning sodir bo‘lishini boshqarish va lazerli nanosekundli ishlov berish jarayonlarini optimallashtirishdan iborat.

III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

CdTe, CdZnTe yuqori Omli kristallariga rubin lazerining nanosekundli impulslari bilan ishlov berilganda yuza holatining yaxshilanishi asoslangan;

yuza rekombinatsiyasi tezligini kamaytirish va sezgirligini oshirish hamda fotoo‘tkazuvchanlikni va fotolyuminessensiyaning spektral diapazonini o‘zgartirish sharoitlari topilgan;

lazer texnologiyalari asosida CdTe va GaAs uchun impulsli lazer ta’sirida akustik nurlanish energiyasi va amplitudasi o‘zgarishini ta’minlovchi yarimo‘tkazgichli kristallar eriy boshlashini aniqlovchi akustoemission usuli ishlab chiqilgan;

CdTe nanosekundli lazerda toblash yo‘li bilan xotirali elektron uzib-ulanish xususiyatiga ega Te-CdTe strukturasini tayyorlash usuli ishlab chiqilgan;

impul`sli lazerli toblashda akustik nurlanish mexanizmi asosida yarimo‘tkazgichli CdTe va GaAs monokristallarining eriy boshlash sharoitlari aniqlangan;

yarimo‘tkazgichlar yuzasini impuls`li lazerda toblashning optimallash usuli va qonuniyatlari CdTe va uning asosidagi qattiq erishmalar, GaAs, GaSe larni lazerli ishlov berish texnologiyasida ishlatilishi mumkinligi asoslangan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:

Kristallarga impul`sli lazerda ishlov berishning va nochiziqli optik effektlarning diffuziya va nuqsonlar hosil bo‘lishiga ta’sirini o‘rganish asosida:

ishlab chiqilgan yarimo‘tkazgichli materiallar va strukturalar barqarorligini ta’minlash va nazorat qilishning akustoemission ekspress usuli InGaN yog‘du diodlarini tanlashda va  «Poltava» korxonasida «Universal UTOG» yoritkichlarini seriyali ishlab chiqarishda foydalanilgan (Poltava Milliy texnika universitetining 2016 yil 15 avgustdagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijaning qo‘llanishi yoritkichlarning yorug‘lik koeffisientini 3%ga oshirishga imkon berdi;

CdTe indiy bilan nanosekundli lazerli qattiq fazadan ligerlashdagi massa ko‘chish mexanizmlari; CdTe da indiyning massa ko‘chish koeffisientlari, CdTe va GaAs monokristall birikmalarining lokal erish sabablari, λ=0,94 mkmli bir martalik nanosekundli (20 ns) toblashdagi monokristall yuzalarining topilgan erish chegaralari, GaN asosidagi getero-strukturalarning elektrik va lyuminissentlik xarakteristikalari o‘zgarishi va akustik emissiya paydo bo‘lish jarayonlari o‘rtasidagi aniqlangan bog‘liqlik bo‘yicha olingan natijalar Qoraqalpoq davat universiteti F-2-OT-1-10079 «Yarimo‘tkazgichlarda nuqsonlar hosil bo‘lishining lazerli-indusirlangan nochiziq jarayonlarining xususiyligi» grant loyihasini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 21 fevraldagi FTK-03-13/677-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi yog‘du diodlari barqarorligini va tekshirishning ekspress-tezkor usulini yaratish imkonini bergan;

Tellur va indiy materiallari uchun Raman sochilishi va indiy atomlarining kadmiy tellurga atom massasining o‘tish mexanizmlari bo‘yicha olingan natijalar xorijiy ilmiy jurnallarda (Journal of Applied Physics 119, 024106 (2016); Chem. Mater., 2014, 26 (7), pp 2313-2317; Sensors and Actuators B: Chemical. Volume 191, February 2014, Pages 673-680) urilish to‘lqini hosil bo‘lishining chuqurligini aniqlash imkonini bergan.