Vaxabov Kutbiddin Iloviddinovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.  
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniyli nurlanish qabul qilgichlarning elektrofizik xarakteristikalariga ul`tratovush to‘lqinlarining ta’siri”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.4.PhD/FM414
Ilmiy maslahatchi: Gaibov Abdumalik Gaybullaevich, fizika-matematik fanlari nomzodi, dotsent. 
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 
Rasmiy opponentlar: Azamatov Zakirjan Taxirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Rasulov Rustam Yavkachevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor. 
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi n-p o‘tishli kremniy asosidagi nurlanishni qabul qilgichlarning elektrofizik, spektrometrik va fotoelektrik xususiyatlariga ul`tratovush to‘lqinlarining ta’sirini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
n-p o‘tishli kremniy asosidagi nurlanishni qabul qilgichlar sezgir sohasidagi muvozanatda bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning g‘ayrioddiy yuqori yo‘qotishlari, kirishma atomlarining notekis taqsimlanishi natijasida yuzaga keluvchi potensial rel`efga  bog‘liqligi aniqlangan;
ilk bor p-Si asosida olingan nurlanishni qabul qilgichlarning spektral chiziqlari va zaryad impul`slari shakli past harorat sohasida (T=148÷168 K) kichik amplitudaga ega bo‘lishi va kengayishi kirishma nuqsonlarida hajmiy zaryadlarning «qutblanish effekti» tufayli sodir bo‘lishi aniqlangan;
n-p o‘tishli Si asosidagi nurlanishni qabul qilgichlarning sezgir sohasida oltin kirishma atomlarining mavjudligi, ularning funksional xarakteristikalarini yaxshilashga olib kelishi aniqlangan;
kirishma lokal to‘plamlari tomonidan nomuvozanatli zaryad tashuvchilarning effektiv tutilishi natijasida n-p o‘tishli Si asosidagi nurlanishni qabul qilgichlarda keraksiz qutblanish effekti aniqlangan;
ul`tratovush to‘lqinlari ta’sirida (t>30 minut, intensivligi I0,4 Vt/sm2) Si asosidagi nurlanishni qabul qilgichlarning sezgir sohasidagi oltin kirishma atomlari komplekslarining parchalanishi hisobiga fotosezgirlikning 15÷20 % ga ortishi aniqlangan;
nurlanishni qabul qilgichlarda ul`tratovush to‘lqinlari ta’sirida (intensivligi I=2 Vt/sm2, chastotasi f=15 MGs,  t=30 minut)  r-kremniy sirtidagi n+-Si qatlamlariga oltin atomlarining adgeziyasi mustahkamligi 10 barobarga ortishi aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarini joriy qilinishi.
Kremniyli diffuzion nurlanishni qabul qilgichlarning elektrofizik, spektrometrik va fotoelektrik xarakteristikasiga ul`tratovush to‘lqin-larining ta’siri bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
kremniy monokristallaridagi mahalliy bir jinsli bo‘lmagan sohalar taqsimlinishini ikki koordinatalar (x,y) bo‘yicha aniqlash usuli “FOTON” aksiyadorlik jamiyatida amaliyotga joriy etilgan (“O‘zeltexsanoat” aksiyadorlik kompaniyasining 2020 yil 26 avgustdagi № 04-1/1563-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi ul`tratovush to‘lqinlari ta’sirida (t>30 minut, intensivligi I0,4 Vt/sm2) Si asosidagi nurlanishni qabul qilgichlarning sezgir sohasidagi oltin kirishma atomlari komplekslarini parchalanishi hisobiga fotosezgirlikning 15÷20 % ga ortishi, shuningdek, nurlanishni qabul qilgichlarda ul`tratovush to‘lqinlari ta’sirida (intensivligi I=2 Vt/sm2, chastotasi f=15 MGs,  t=30 minut)  r-kremniy sirtidagi n+-Si qatlamlariga oltin atomlarining adgeziyasi mustahkamligi 10 barobarga ortishi kremniy asosidagi detektorlar samaradorligini oshirish imkoniyatini bergan;
diffuzion r-n o‘tish asosida yaratilgan nurlanishni qabul qilgichlarga ul`tratovushli ishlov (UTI) berish rejimlarini tanlash bo‘yicha olingan natijalar №A-4-7 “Mikro va optoelektronika, shuningdek quyosh energetikasi asboblari uchun kremniy va arsenid galliy monokristall plenkalarining sirt osti qatlamlarida geteroepitaksial nanoo‘lchamli tuzulmalarni sintez qilish texnologiyasini ishlab chiqish” mavzusidagi loyihasida fotoelementlarni salt yuritish kuchlanishi va foydali ish koeffisientini oshirishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2020 yil 24 avgustdagi № 89-03-2918-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Si-n-p foto qabul qilgichlardagi signal amplitudasining oshishi ayniqsa, to‘lqin uzunligi 0,81,2 mkm diapazonida namoyon bo‘lishi ularning spektral sezgirligini maqsadli boshqarish imkonini bergan.