Allayarova Gulmira Xolmuratovnaning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsi yamavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Molibden va kremniy yuzasida hosil qilingan oksid nanoplyonkalarning elektron tuzulishi va optik xususiyatlari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: - №B2019.2.PhD/T1048
Ilmiy maslahatchi: Tashmuxamedova Dilnoza Artikbaevna, fizika-matematika fanlaridoktori, professor.
Dissertatsiya bajarilganmuassasanomi: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Karshi davlat universiteti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi PhD.03/31.03.2021.FM.70.016
Rasmiy opponentlar: Turaev Ergash Yuldoshevich, fizika-matematika fanlari doktori, Isaxanov Zinaobiddin Abilpeyzovich, fizika-matematika fanlari doktori
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi Mo va Si ni O2+ ionlarini implantatsiya qilish jarayonida MoO3 va SiO2 oksidlarining nanoo‘lchamli plyonkalarining xosil bo‘lish qonuniyatlarini va elektron tuzilishini o‘rganish, hamda Ar+ va faol metall Va+ ionlari bilan bombardimon qilingan paytda ularning elektron va optik xususiyatlarining o‘zgarish mexanizmlarini ishlab chiqish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
birinchi marta Mo ni 850 K da qizdirib turib kislorod bosimini ~5 10-2 Pa termik oksidlantirish va O2+ ionlarini ion implantatsiya qilish orqali MoO3/Mo nanofazalari va plenkalarini hosil qilish qonuniyatlari o‘rganildi;
termik oksidlash jarayonida d ≈ 60- 70 Å qalinlikdagi va ion bombardimon qilish orqali d ≈  25- 30 Å  qalinlikdagi bir jinsli MoO3 plyonkasi hosil bo‘lishi aniqlandi. Ushbu plenkalar polikristall bo‘lib, ta’qiqlangan zona kengligi ~ 3.4 eV ga teng;
birinchi marta MoO3 ga Va+ ionlarining implantatsiyasi jarayonida nanoo‘lchamli fazalar Va – O, Va- Mo – O va Mo- O birikmalari hosil qilindi Ion implantatsiyasi va keyingi qizdirish jarayonida oksidlarning emissiya va optik xususiyatlaridagi o‘zgarishlarning asosiy mexanizmlari tushuntirildi;
molibden sirtining kislorod bilan o‘zarota’sirida oksidlanish darajasini pasaytirishning yangi usullari taklif qilinadi. Va+ionlarini Mo ga implantatsiya qilishuningsirtinioksidlanishinioldinioladi;
SiO2 ning sirtida va yuza osti qatlamlarida turli chuqurliklarda nanoo‘lchamli fazalar va Si qatlamlarini olish usullari  ishlab chiqildi;
birinchi marta Si yuzasida silisid nanoplyonkalarhosil bo‘lishining Si ning xususiy kirishma atomlarining migratsiyasiga ta’siri o‘rganildi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Ion bombardirovka va keyingi qizdirish jarayonida MoO3 va SiO2 sirtida va sirt osti qatlamlarida nanoo‘lchamli strukturalarning shakllanishi va fizik xossalarining o‘zgarishi qonuniyatlarini aniqlash asosida: № OT – F2- 67 “Dielektrik yarimo‘tkazgich chegarasidagi nuqsonlar tabiatini va bo‘ylama taqsimotini aniqlash usuliga yangicha yondanish” fundamental loyihaning ilmiy- texnikaviy muammolari bajarilishida yarimo‘tkazgichlarning nanoo‘lchamli fazalar va plenkalar va dielektrik plenkalar shakllanishining asosiy qonuniyatlarini aniqlashda qo‘llaniladi O‘zRO va O‘MT ning 02. 01. 2021. № 89-03-4333 raqamli ma’lumotnomasi.
Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi quyidagicha imkoniyatlarni berdi:
Kremniyning xususiy kirishmalari migratsiyasi ta’sirida silisid - kremniy va kremniy – oksid kremniy chegarasida vujudga keladigan yuqori qarshilikli qatlam shakllanishining asosiy mexanizmlari aniqlandi.
FinFET transiztorlardan oqib o‘tayotgan tok miqdori Si - SiO2 chegarasida paydo bo‘ladigan zaryad ta’sirining modelini yaratish;
Dissertatsiyada taklif etilgan Si va SiO2 sirtlarida yupqa kontakt qatlamlarni yaratish usuli “UzEltexsanoat” AK ning “Foton” AJ da ishlab chiqariladigan elektron komponentlarni kontaktli payvandlashd aqo‘llanildi. (01.02.2021. №04-1/162 sonli ma’lumotnoma);
Ilmiy natijalarni amaliyotda qo‘llash yarimo‘tkazgichlar sirtida metall kontaktlarning adgeziyasini oshirish imkonini beradi.