Donaev Sardor Burxanovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Elektronnaya struktura i fizicheskie svoystva nanostruktur, sozdannix na osnove dvuxkomponentnix materialov (PdBa, TiN, GaAs, GaP i CaF2)”, 01.04.04 – Fizikelektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: .
Ilmiy maslahatchi: Umirzakov Boltaxo‘ja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Rasmiy opponentlar: Kremkov Mixail Vetal`evich, fizika-matematika fanlari doktori;Tashatov Allanazar Karshievich, fizika-matematika fanlari doktori;Nimatov Samad Jaysanovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi ikki komponentli materiallarning yuzasida va yuza ostida nanoo‘lchamli sistemalar va qatlamlarni hosil qilish, ularning tarkibini, fazaviy tuzilishini, energiya holatini har tomonlama o‘rganish, kuzatilgan hodisalarning mexanizmlarini, aniqlangan ta’sirlarni yangi qattiq jismli elektron qurilmalarda qo‘llash bo‘yicha amaliy tavsiyalar ishlab chiqishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
turli usullar bilan faollashganda Pd-Ba qotishmasining emissiya samaradorligini o‘zgartirishning asosiy mexanizmlari – yuqori vakuum sharoitida va har xil gazlar muhitida isitish, lazer bilan ishlov berish, yuqori vakuum va kislorod atmosferasiga ionlarni kiritish aniqlangan;
ilk borTi0.4O0.6N nanoplyonkalari O2+ ionlarini TiNga implantatsiya qilish orqali olingan. TiON plyonkasi tor zonali aynigan n -tipidagi yarimo‘tkazgich bo‘lib, o‘lchamlari 50-100 nm bo‘lgan monokristalldan iborat ekanligi aniqlangan;
ilk borGaAlAs va GaAs(111) plyonkalarining kristalografik chegara qatlamlari aniqlangan;
ilk borGaAs va GaAlAs plyonkalaridan haqiqiy ikkilamchi elektronlar va fotoelektronlar uchun chiqish zonasining chuqurligi aniqlangan;
Ar+ ionlari va elektronlar bilan bombardimon qilinayotganda CaF2 plyonkalari sirtining tarkibi, tuzilishi va xususiyatlarining o‘zgarishining asosiy qonuniyatlari o‘rganish asosidaikkala holatda ham sirt Ca atomlari bilan boyitilganligi ko‘rsatilgan;
CaF2 yuzasida yupqa Ca plyonkasi hosil bo‘lganda, CaF2 tarkibidagi kiritiluvchi metalning diffuziya chuqurligi 2 baravar kamayishi aniqlangan;
ilk borCaF2 plyonkalari yuzasida Ar+ ionlari bilan bombardimon qilish natijasida muntazam ravishda fazoviy markazlashgan struktura yaratilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Ionli bombardimon va keyingi qizdirish jarayonida ikkikomponentli materiallar sirtida nanoo‘lchamli strukturalar hosil bo‘lishi va fizik xususiyatlarining o‘zgarishi qonuniyatlarini aniqlash asosida:
GaAs va GaAlAs plyonkalaridan haqiqiy ikkilamchi elektronlar va fotoelektronlar uchun chiqish zonasining chuqurligi aniqlash, uning yuzasida GaAlAs nanoplyonkasini shakllantirish jarayonida GaAs plyonkasining emissiya va optik xususiyatlarining o‘zgarishi “O‘zeltexsanoat” AK tarkibidagi “Foton”AJda qo‘llanilgan (“O‘zeltexsanoat” AKning2020 yil 25 sentyabrdagi 04-1/1748-son ma’lumotnomasi). Natijada,Si va CaF2 asosida yorug‘likka sezgirligi yuqori bo‘lgan nanoo‘lchamli strukturalar olish hamda GaAs, GaP va TiN asosida diodlar va optik qurilmalar va ular uchun ul`trayupqa kontaktlar hosil qilish imkonini bergan;
№OT-F3-13: «Kremniy-silisid-metall erkin ko‘p qatlamli nanoplyonkalari strukturalarining shakllanish mexanizmlari va ularning elektron va kristall strukturalarini o‘rganish» nomli fundamental loyihada yarimo‘tkazgichli va dielektrik plyonkalar sirtida nanoo‘lchamli fazalar va plyonkalar shakllanishining asosiy qonuniyatlarini aniqlashda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasining 2020 yil 5 oktyabrdagi 2/1255-2128-son ma’lumotnomasi).Natijada, nanoo‘lchamli geterostrukturalarning shakllanishida implantatsiyalanayotgan ionlar energiyasining, dozalarining va keyingi qizdirishning haroratli diapazonlarini aniqlash hamda Si/Cu yuzasida ion implantatsiya usuli bilan hosil qilingan nanoo‘lchamli SiO2/Si/Cu geterotizimining elektron tuzilishini o‘rganish imkonini bergan;
ishlab chiqilgan yarimo‘tkazgichli namunalar sirtida yupqa kontakt qatlamlar hosil qilish  usuli “O‘zdonmahsulot” AKda joriy etilgan (“O‘zdonmahsulot” AKning 2020 yil 9 oktyardagi 10-1-12/130-1653-son ma’lumotnomasi). Natijada,metall kontaktlarning ishonchliligini oshirish, uzoq muddat ishlashini ta’minlash va elektron qurilmalarning kommutatsion qismlarini takomillashtirish imkonini bergan.