Nimatov Samad Jaysanovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya  mavzusi,  ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Monokristall kremniy sirtida germaniyning yupqa qatlamlari va metallarning monoqatlamli plenkalarining panjara parametrlari va kristall tuzilishi”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.2.DSc/FM95.
Ilmiy maslahatchi: Umirzakov Boltaxo‘ja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM.65.01.
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Isaxanov Zanobiddin Abilpayzievich, fizika-matematika fanlari doktori; Usmanov Dilshadbek Tursunbaevich, fizika-matematika fanlari doktori. 
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona politexnika instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: sof va ion implantasiyalangan kremniy va germaniy nanoplenkali kremniy monokristalliini qizdirishda monoqatlamli metall silisidlari plenkalarining shakllanish qonuniyatlarini aniqlash, ion va elektronlar bilan bombardimon qilganda nuqsonlarning hosil bo‘lishi, ularning kremniyning elektron va optik va boshqa xossalariga ta’sirini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
vakuumda changlatish, qattiq fazali epitaksiya, ion bombardirovka jarayonlarida monokristall namunalar sirtida nuqsonlarning hosil bo‘lishi, tarkibi va strukturasini bir xil sharoitlarda tatqiq qilishga mo‘ljallangan o‘tayuqorivakuumli (r = 510-12 mm sim. ust.) eksperimental qurilma loxiyalashtirilgan va yaratilgan, PEED manzarasini elektr signalga aylantirib, difraksion refleksni elastik fondan ajratish imkononini beradigan usul ishlab chiqilgan, difraksion refleksni va elastik fonni aniq o‘lchaydigan PEED usuli yaratilgan;
o‘rta energiyali elektronlar diffraksion manzarasi 00 refleksining intensivligini o‘lchash orqali monokristall sirtoldi qatlamlarining kristalligini tahlil qilish imkonini beradigan usul takomillashtirilgan;
monokristall kremniy namunalarini termik ishlov berish jarayonida PEED difraksion manzaralarida o‘tapanjaralarining paydo bo‘lish xarakteri sirtda kirishmalarning mavjudligi bilan bog‘likligi aniqlangan. Jumladan, namuna sirtida kirishmaning tarkibi yoki sortiga bog‘lik holda 1x1, √3x√3, 5x5, 7x7, √19x√19 ko‘rinishdagi o‘tapanjaralar paydo bo‘lishi aniqlangan;
ilk bor, qattiq fazali epitaksiya usulida Si(111) sirtiga nanoulchamli qalinlikda (10-30Å) o‘stirilgan Ge plenkasi va Si sirti strukturalarining mukammallik darajasiga taglikni epitaksiyadan oldin tayyorlash jarayoni va termik kuydirish rejimlarining ta’siri o‘rganilgan. Ge plenkasi bug‘latilgandan keyin, sirtning Si(111)-1×1 strukturaga ega bo‘lgan stabillashgan holatiga o‘tishi aniqlangan. 
monokristall namunalarning sirtni past energiyali elektronlar difraksiyasi usulida o‘rganilganda, pastki qatlamlarni o‘zgartirmasdan elektronlar dastasining sirtga ta’sirini elektron stimullashgan jarayonlar orqali aniqlangan; 
ilk bor, energiyasi Ei<100 eV bo‘lgan Na+ ionlari bilan uzoq muddat bombardimon qilganda ham Si(111) sirtining to‘liq amorfizatsiyalanmasligi kuzatilgan va Ei100 eV yaqin qiymatlarda dam.=f(Ei) bog‘liqlik grafigining asimptotik o‘sishi aniqlangan;
issiqlikelektr aylantirgichlarda qo‘llaniladigan silindrsimon monokristall vol`fram namunasi turli qirralarining sirtlarini Cs+va Cl ionlari bilan changlatilganda massa va element tarkibi, hamda chiqish ishi, struktura va ikkilamchi ionlarning massa bo‘yicha anizotropiyasi tatqiq qilingan; 
yaxshi tozalangan Si(111) monokristallini past energiyali Li+, Na+, Rb+ va Cl- ionlar bilan bombardimon qilganda energiya, doza va kuydirish haroratining ma’lum bir oraliqlarida PEED manzarasi yuqori kontrastga ega bo‘lgan Si(111)-(44)Li, Si(111)-(11)Na, Si(111)-(22)Rb va Si(111)-(55)Cl sirt strukturali silisidlarning monoqatlamli plenkalari hosil bo‘lishi tajribada aniqlangan;
ilk bor kremniy namunalariga aktiv metalar ionlarini implantatsiya qilganda undagi xususiy kirishmali atomlarning chuqurlik bo‘yicha qayta taqsimlanishiga olib kelishi ko‘rsatilgan. Kirishma turiga bog‘liq holda ularning konsentratsiyasi yoki ion-legirlangan qatlamda, yoki Si ning legirlanmagan xududida ortishi aniqlangan;
quyosh elementlarida qo‘llaniladigan kremniy namunalarini ionlar bilan implantatsiya qilganda sirt qatlamlarining solishtirma qarshiligi, IEE koeffisienti va yorug‘likni qaytarish koeffisientining o‘zgarishi ilk bor tadqiq qilingan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Monokristall kremniy sirtida germaniyning yupqa qatlamlari va metallarning monoqatlamli plenkalarini tadqiq qilish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
ion-stimullashgan mexanizmlarning past energiyali zarrachalarning monokristallar sirti bilan o‘zaro ta’sirida namoyon bo‘lishi Cu va Si monokristall namunalar yuzasida ion implantatsiyasi usuli bilan nanoo‘lchamli geterostrukturalarni olish O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutida 2012–2016 yillarda olib borilgan F2-FA-F161 «Erkin yupqa (Al, Cu, Ag) plyonkalar va massiv (W, WOn, TiN, CdTe, SiO2) kristallar yuzasida ion implantatsiyasi usuli bilan hosil qilingan nanoo‘lchamli geterostrukturalarning shakllanish mexanizmlari va ularning fizik-kimyoviy xossalarini o‘rganish» nomli fundamental loyiha ilmiy-texnikaviy vazifalarini bajarishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasining Fanlar Akademiyasining 2020 yil 17 martdagi 2/1255-772-son  ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish Si va Cu monokristallari yuzasida ion implantatsiya usuli bilan hosil qilingan nanoo‘lchamli geterostrukturalarnining kristallik strukturalarini va panjara doimiylarini past energiyali elektronlar difraksisi qurilmasi yordamida aniqlash imkonini bergan;
quyosh elementlarida qo‘llaniladigan kremniy namunalarini ionlar bilan implantatsiya qilganda sirt qatlamlari xossalarini o‘rganish natijalari, «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida bariy kirishma atomlari bilan legirlangan yorug‘likka sezgir material olishda qo‘llanilgan («Uzeltexsanoat» AKning 2020 yil 26 martdagi 04/752-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish,  sezgirligi yuqori bo‘lgan yorug‘lik datchiklarni ishlab chiqishga asos bo‘lgan.