Матчонов Ҳусниддин Жамоладдиновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): 
“Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларига ҳажмдаги нотекисликлар таъсири”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.1.PhD/FM581.
Илмий раҳбар: Утамурадова Шарифа Бекмурадовна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий Университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/2025.27.12.FM/Т.01.06.
Расмий оппонентлар: Отажонов Салимжон Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Тургунов Нозимжон Абдуманнопович, физика-математика фанлари доктори, профессор; 
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети
Диссертация йўналиши: Назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади: 
Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларига ҳажмдаги нотекисликлар (нодир ер элементлари)  таъсирини комплекс тадқиқ қилишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор чуқур сатҳлар ностатсионар сиғимли спектроскопияси, Раман спектроскопияси, рентген нурларининг дифракцияси, сканерловчи электрон микроскопия ҳамда энергия дисперсияли спектроскопия усуллари ёрдамида Си<Гд,Мн> ва Си<Эр,Cр>  намуналар ҳажмида ҳосил бўлувчи чуқур сатҳларининг энергетик спектрлари ва структуравий нуқсонлар  идентификатсия қилинган;
илк бор аниқландики, марганетс билан легирланган кремнийда гадолиний атомлари мавжудлиги Мн билан боғлиқ Эc-0,42 эВ ва Эc-0,54 эВ чуқур сатҳлар консентратсиясини оширган, мазкур қонуният Си<Эр, Cр> тизимларида ҳам тасдиқланган;
илк бор рентген нурларининг дифракцияси натижалари асосида Мн киритилган Си намуналарида СиО₂ (~65-72 нм), Си-Мн (~43 нм) ва МнО (~37-51 нм) гетерофазалар шаклланиши ҳамда уларнинг силитсид–Си  ва Си–СиОх   чегараларида интерфейс-тутқичлар ҳосил бўлиши аниқланган;
илк бор инфрақизил спектроскопияси ва рентген нурларининг дифракцияси асосида Си<Мн> ва Си<Cр>  намуналар ҳажмида оптик фаол кислород консентратсиясининг 20-30% га камайиши ва кислородли комплексларнинг қайта тақсимланиши аниқланган;
комплекс таҳлиллар асосида термик ишлов ҳароратига боғлиқ фазалар  Т≤600ºC - аморфланиш; 600-750ºC - МнСи; 800-950ºC - Мн4Си7 шаклланиши аниқланган;
илк бор Гд билан легирланган кремнийнинг Раман спектрларида 68-1610 см-1 диапазонда янги локал тебраниш модаларининг шаклланиши ва уларнинг интенсивлиги Гд консентратсияси ортиши билан ўсиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ўтувчи элементлар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларига ҳажмдаги нотекисликлар (нодир ер элементлари)  таъсирини комплекс тадқиқ қилишда олинган илмий натижалар асосида: 
Тадқиқот доирасида ҳосил бўлган чуқур энергетик сатҳлар ва улар ҳосил қиладиган нуқсонли комплекслар каби илмий натижалар “ФОТОН” АЖ да да ишлаб чиқаришда жорий этилган (“ФОТОН” АЖ уюшмасининг 2025-йил 3-декабрдаги 450-сон маълумотномаси). Юқори консентратсияли Мн₄Си₇ силисид интерфейсидаги нуқсонларнинг зарядланган заррачаларнинг ютиш юзаси билан мувофиқ ўзгариши ҳисобига диод ва транзистор структураларининг барқарорлиги ҳамда талаб этиладиган электрофизик ишчи параметрлари таъминланди ва тажриба намуналарида ишлаш муддати 15% гача ошган. 
Фаза ҳосил бўлиш жараёнлари, чуқур сатҳлар спектрлари ва заряд ташувчиларнинг тутиб олиш механизмлари каби илмий натижалар Малайзия Халқаро Ислом университетида бажарилган ФРГС19-039-0647 лойиҳасини бажаришда жорий этилган (Малайзия Халқаро Ислом университетининг 2025-йил 7-ноябрдаги 044-кое-25-сон маълумотномаси). Диссертатсия натижалари асосида тавсия этилган режимларда тайёрланган Мн билан легирланган Си асосидаги датчиклар, МДЯ-тузилмалар ҳамда термоелектрик ва оптоелектрон қурилмаларни ташқи таъсирларга электрофизик параметрларнинг юқори барқарорлиги, халқаро аналоглар даражасидаги такрорланувчанлик ва хоссаларининг сезиларли яхшиланганини намоён этган.