Xudoynazarov Zafar Burxutovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Elektrodiffuziya usuli bilan marganes va nikel kirishma atomlari kiritilgan kremniyning elektrofizik xossalari”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi” (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.3.PhD/FM770 
Ilmiy rahbar:Iliev Xalmurat Midjitovich , fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: “Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona davlat texnika unversiteti, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Rasmiy opponentlar:Karimberdi Egamberdievich Onarqulov , fizika-matematika fanlari doktori, professor. Uchqun Otoboevich Qutliev, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Namangan  davlat texnika universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Kremniy materialiga kirishma atomlarini legirlashning yangi elektrodiffuziya usulini yaratish, nikel va marganes kirishma atomlarini kremniyga legirlash va olingan  kremniy namunalarining elektrofizik xossalarini tadqiq etishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
monokristall kremniyga marganes va nikel kirishma atomlarini an’anaviy diffuziya usulidan farqli ravishda, tashqi elektr maydoni ta’sirida, ya’ni elektrodiffuziya usuli orqali kiritishga mo‘ljallangan elektrodiffuziya qurilmasi yaratilgan hamda elektrodiffuziya texnologiyasi ishlab chiqilgan. 
monokristall kremniyga marganes va nikel kirishma atomlarini elektrodiffuziya usulida kiritish uchun 700–950 °C oralig‘i maqbul diffuziya harorati ekani aniqlangan hamda ushbu usul an’anaviy diffuziyaga nisbatan diffuziya haroratini 200–300 °C ga pasaytirishi ko‘rsatilgan.
elektrodiffuziya usulida marganes kirishma atomlarini kremniyda T = 850 °C, 900 °C va 950 °C haroratlarda diffuziya qilinganda diffuziya koeffisientining qiymati oshganligi aniqlangan.
nikel kirishma atomlarini kremniyda T = 700–800 °C harorat oralig‘ida diffuziya qilinganda diffuziya koeffisienti oshishi aniqlangan.
elektrodiffuziya usuli yordamida kremniydagi qoldiq kirishma atomlari va kristall panjaradagi nuqsonlarni getterlash mumkinligi, shuningdek, ushbu texnologiyani yarim o‘tkazgichlarga kirishma atomlarini kiritishda harorat va vaqtni kamaytiruvchi samarali usul sifatida qo‘llash mumkinligi ko‘rsatib berilgan.
kremniyga marganes kirishma atomlari elektrodiffuziya usulida kiritilgan bo‘lib, elektr o‘tkazuvchanligi p-tur va xona haroratida solishtirma qarshiligi ρ = 1,2·10² ÷ 4·10⁴ Om·cm bo‘lgan Si<B,Mn> namunalari olingan hamda olingan Si<B,Mn> namunalarning hν = 0,4 ÷ 0,8 eV oralig‘idagi foton energiyasiga yuqori sezgirligi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Mazkur dissertatsiya ishining ilmiy tadqiqot natijlaridan foydalanish quyidagilarga imkon bergan:
Ishlab chiqilgan yangi texnologiya asosida olingan natijalar “O‘zeltexsanoat” uyushmasining ruxsatiga ko‘ra «FOTON» aksiyadorlik jamiyatida ishlab chiqarish jarayoniga joriy etilgan (2025 yil 19 sentyabrdagi 364-sonli ma’lumotnoma). Natijada Mn va Ni kirishma atomlari elektrodiffuziya usulida legirlangan Si namunalaridan tayyorlangan fotoelektrik asboblarning fotosezgirligi Mn va Ni kirishma atomlari an’anaviy diffuziya usulida legirlangan Si namunalaridan tayyorlangan fotoelektrik asboblarnikiga nisbatan 1,2 marotabaga oshish imkonini bergan;
Kirishma atomlarini yarimo‘tkazgich materiallarga legirlashning yangi elektrodiffuziya usulidan FZ-2020092433 raqamli “Yuqori harorat va kuchli mikroto‘lqinli maydondagi nanostrukturali yarimo‘tkazgichlarda magnitoqarshilik, magnit singdiruvchanlik va magnitooptik yutilish koeffisientlarini aniqlash” nomli fundamental ilmiy tadqiqot loyihasida nanoklasterli namunalar olish uchun joriy etilgan (Namangan davlat texnika universitetini 2025 yil 15 noyabrdagi 01/10-04/2854-sonli ma’lumotnoma). Natijada nanoklasterli kremniy namunalari magnit qarshilik qiymati 100% gacha ekanligini ko‘rsatib, ushbu yuqori magnit qarshilikka ega kremniy namunalari spintronik qurilmalar, magnit sensorlar va energiya tejamkor xotira tizimlarini yaratish imkonini bergan.