Туйчибаев Баходир Курбоналиевичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “CдСе, CдСе:Cд:Cл, CдСе:Cу:Cл асосидаги бўйлама фотоўтказувчанликли пленкаларнинг олиш технологияси, микроструктураси ва электрофизик хоссалари”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси” (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2026.1.PhD/FM1438
Илмий раҳбар: Юлдашев Носиржон Хайдарович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “Фарғона давлат техника университети”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Расмий оппонентлар: Зикриллаев Нурулло Файзуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Отажонов Салим Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Самарқанд давлат университети. 
Диссертация йўналиши: назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади CдСе, CдСе:Cд:Cл, CдСе:Cу:Cл таркибли, бўйлама фотоўтказувчанликка эга бўлган плёнкаларни олиш технологиясини такомиллаштириш, уларнинг микроструктураси ва янги электрофизик хусусиятларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
биринчи марта катодли пуркаш йўли билан оддий шиша тагликка бўйлама фотоўтказувчанлик режимида ишловчи фотосезгир плёнка структуралари учун СнО₂ ва CдО асосида шаффофлиги 70–80% ва электр қаршилиги 50–60 Ом бўлган шаффоф ўтказувчи контактларни олиш бўйича янги усуллар ишлаб чиқилган;
биринчи марта Тт = 250–300 °C ҳароратда ва П≈10-1–10-2 Па вакуум шароитида шиша тагликка олдиндан ўстирилган СнО₂ қатлами устига CдСе қатламини буғлатиб ўтказиш ва унга қўшимча термик ишлов бериш орқали сезгирлигини оширишни ўз ичига олган фотосезгир CдСе:Cд,Cу,Cл плёнкаларни олиш технологиялари ишлаб чиқилган;
CдСе плёнкаларнинг: ҳавода CдCл₂ иштирокида Т=470°C, т=6 минут мобайнида, CуCл₂ иштирокида Т=300°C, т=4 минут мобайнида ва вакуумда Т=480 °C, т=10 минут мобайнида термик ишлов берилганда фотосезгирлиги (К≈105) энг барқарор бўлиши аниқланган; 
янги тайёрланган CдСе плёнкаларга вакуумда, ҳавода CдCл₂ ёки CуCл₂ иштирокида қўшимча ТИБ жараёнида уларнинг микроструктурасини ўзгариш динамикаси аниқланган: таглик ҳарорати 200°C дан 350°C гача оширилганда, когерент сочилиш соҳаси ўлчами (Дксс) 85 дан 97 нм гача ошган, кристалл панжарадаги микрочетлашишлар эса 2,5·10⁻³ дан 6,64·10⁻⁴ гача камайган;
CдСе:Cд:Cу:Cл плёнкаларининг фотосезгирлик механизми асосан термик ишлов бериш жараёнидаги Cд, Се вакансиялари ва улар комплексларининг оптимал консентрацияси билан белгиланиши, бироқ ёруғлик интенсивлиги Л < 10 лк бўлган ҳолларда потенсиал тўсиқли фотоўтказувчанликни шакллантирадиган субструктура омиллари муҳим рол ўйнаши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Поликристалл CдСе, CдСе:Cд:Cл, CдСе:Cу:Cл юпқа плёнкаларини олиш технологияси ва уларнинг фотоелектрик хоссаларини тадқиқ этиш бўйича олинган натижаларга асосланиб:
катодли пуркаш йўли билан оддий шиша тагликка бўйлама фотоўтказувчанлик режимида ишловчи фотосезгир плёнка структуралари учун СнО₂ ва CдО асосида шаффофлиги 70–80% ва электр қаршилиги 50–60 Ом бўлган шаффоф ўтказувчи контактларни олиш бўйича ишлаб чиқилган янги усуллардан  «Арзон, экологик тоза ва юқори самарали поликристалл юпқа қатламли Сб₂(СₓСе₁₋ₓ)₃ қуёш элементлари» мавзусидаги ФЗ-2020102944 рақамли илмий-амалий лойиҳа доирасида илмий-техник вазифаларни бажаришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 20.11.2025 й. даги №2/1255-2924-сон маълумотномаси). Натижада СнО₂/CдСе структураларни қўллаган ҳолда, шаффоф шиша тагликга самарадорлиги η=6,47% га етказилган Сб₂(СₓСе₁₋ₓ)₃ асосидаги юпқа плёнкали қуёш элементлари олинган;
поликристалларда дислокациялар зичлигини, донлар ўлчамини, ўтказувчанлик тури ва қийматини, шунингдек фотосезгирликни бошқаришга имкон берувчи материалнинг структуравий ва электрофизик хоссаларини яхшилайдиган CдCл₂ ва CуCл₂ иштирокида термик ишлов бериш каби турли муҳитларда ўтказиладиган ўстиришдан кейинги жараёнларнинг оптимал шартлари аниқланган бўлиб, бу натижалардан «Биринчи турдаги билвосита зонали яримўтказгич наноструктураларда экситонлар ва заряд ташувчилар динамикаси» мавзусидаги №19-52-12001-сон лойиҳасини бажаришда фойдаланилган (Россия Фанлар академияси Сибир бўлими А.В. Ржанов номидаги Яримўтказгичлар физикаси институтининг 10.11.2025 й. даги №153071242-26-733-сон маълумотномаси). Олинган илмий натижалардан фойдаланиш наноструктураланган яримўтказгичларни олиш, уларнинг электрофизик ва оптик хоссаларини ўрганишда янгича ёндашувларнинг ривожланишига фундаментал асос бўлиб хизмат қилган.